KR970702387A - 화학증착 반응기 및 방법(CHEMlCAL VAPOR DEPOSITION REACTOR AND METHOD) - Google Patents

화학증착 반응기 및 방법(CHEMlCAL VAPOR DEPOSITION REACTOR AND METHOD)

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KR970702387A
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Abstract

반응기내에 지지된 반도체 웨이퍼(30)의 선택표면에 반도체 물질을 성장시키는 CVD 반응기 및 방법은 반응기의 투과성 벽(46)을 통해 웨이퍼(30)의 하측을 비추게끔 되어 있는 고강도 램프(49)의 뱅크(32)에 의해 상승 온도까지 가열된 웨이퍼(30)로부터의 방사 플럭스를 변화시키기 위해, 웨이퍼(30)의 둘레 가장자리와 하측에 대해서 배열된 다수의 열 차폐부(50, 56, 58 및 60)를 포함한다. 웨이퍼 위로부터 체임버내로 흐르는 반응기체는 웨이퍼(30)의 하측을 중심으로 흐르는 흐름이 억제되므로 웨이퍼의 하측이 오염되지 않는다.

Description

화학증착 반응기 및 방법(CHEMlCAL VAPOR DEPOSITION REACTOR AND METHOD)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 다른 CVD 반응기의 단면도,
제3도는 제2도의 반응기내의 웨이퍼용 지지체의 평면도,
제4도는 반응기내에 웨이퍼를 위치시키고 회수하는 웨이퍼 핸들링 ″패들″의 평면도.

Claims (22)

  1. 반도체 웨이퍼상에 CVD 증착을 형성하는 반응기 장치로서, 체임버를 중심으로 경계부를 형성하는 벽, 및 방사 플럭스를 상부벽을 통해 체임버로 투입하기 위해 선택 웨이브밴드내의 방사를 실질적으로 투과하는 체임버의 하부벽을 포함하는 체임버 ; 선택된 웨이브밴드내의 방사 플럭스를 상기 체임버에 공급하기 위해 체임버 상부벽에 인접배치된 방사 플럭스의 소오스 수단; 방사 플럭스를 받는 상부벽에 인접한 선택위치에 전도체 웨이퍼를 위치시키기 위해 체임버내에 배치된 지지수단으로서, 반도체 웨이퍼를 지지하기 위해 내부에 리세스를 갖는 외부 환형부를 포함하는 지지수단; 및 외부 환형부의 하측에 그리고 이 환형부에 의해 지지된 반도체 웨이퍼의 하측에 근접배치된 열 차폐부로서, 외부 환형부 및 이 외부 환형부에 의해 지지된 반도체 웨이퍼에 대해 실질적으로 평행하게 위치하는 열 차폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열 차폐부는 상기 외부 환형부와의 사이의 기체의 흐름을 억제하기 위해 상기 외부 환형부의 하측으로부터 약 .050인치 내에 배치된 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열 차폐부가 하부 환형부 및 상기 하부 환형부의 내부면적의 선택부내에 배치된, 그리고 상기 외부 환형부에 의해 지지된 반도체 웨이퍼의 표면적내에 배치된 중앙 차폐부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 중앙 차폐부는 상기 하부 환형부에 대해 실질적으로 평행하게 배치되며, 상기 외부 환형부와 그 내에 지지된 반도체 웨이퍼의 외부를 실질적으로 지지하기 위해 상기 하부 환형부와 함께 연장되는 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 열 차폐부는 반도체 웨이퍼의 하측으로부터의 방사 플럭스를 변화시키기 위해, 상기 반도체 웨이퍼의 하측으로부터 떨어진 상기 하부 환형부의 거리보다도 더 먼 거리로, 상기 외부 환형부에 지지된 반도체 웨이퍼의 하측으로부터 떨어져 이격된 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 체임버의 벽을 통해 상기 열 차폐부의 하측을 관찰하도록 배치된 광학 검출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 열 차폐부의 하측으로부터의 방사 플럭스를 변화시키기 위해, 외부 둘레 근처의 상기 열 차폐부 아래에 배치된, 그리고 그로부터 이격된 보조 환형부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  8. 제1항에 있어서, 다수의 기체 통로를 갖는, 그리고 선택된 웨이브밴드의 방사를 실질적으로 투과하는 기체 확산판을 포함하며, 이 기체 확산판은 상기 웨이퍼 및 외부 환형부에 걸친 기체의 흐름을 실질적으로 관리하기 위해, 상부벽과 외부 환형부 및 이 외부 환형부에 의해 지지된 반도체 웨이퍼 사이에 개재되어 체임버 내에 지지된 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  9. 제8항에 있어서, 체임버에 기체를 유도하기 위해, 상기 반도체 웨이퍼 및 외부 환형부를 통한 흐름을 위한 상기 상부벽 및 기체 확산판사이에 개재되어 체임버의 둘레를 중심으로 배치된 입구 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 입구 수단은 선택된 성분의 기체를 교차 스트림으로 체임버에 유도하기 위해, 상부벽 및 기체 확산판에 개재하여 체임버의 둘레를 중심으로 한 각변위로 배치된 두개 이상의 입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 입구가 상기 체임버의 둘레를 중심으로 약 90도 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 반응기 장치.
  12. 선택된 웨이브밴드내의 방사를 실질적으로 투과하는 상부벽을 갖는 반응기 체임버내의 반도체 웨이퍼상에 에피택시얼 증착을 형성하는 방법으로서, 방사 플럭스를 받는 상기 상부벽에 인접한 체임버내에 상기 웨이퍼를 지지하는 단계; 웨이퍼로부터 방사 플럭스를 변화시키기 위해, 웨이퍼를 에워싸는 상부 열 차폐부로 상기 웨이퍼의 둘레를 에워싸는 단계; 및 체임버내의 하부 열 차폐부를 웨이퍼의 하측에 근접하여 지지하고 상부 열 차폐부를 에워싸는 단계들로 이루어지며, 상기 하부 열 차폐부는 웨이퍼 및 상부 연 차폐부로부터 방사 플럭스를 변화시키기 위해, 웨이퍼의 하측과 이 웨이퍼를 에워싸는 상기 상부 열 차폐부에 대해 평행하게 위치시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 하부 열 차폐부를 지지하는 단계에서, 그들 사이의 기체의 흐름을 억제하기 위해, 상기 하부 열 차폐부를 상기 상부 열 차폐부의 하측으로부터 약 .050 인치내에 배치시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 하부 열 차폐부를 지지하는 단계에서, 웨이퍼의 중앙영역으로부터 방사 플럭스를 변화시키기 위해, 선택된 내부 면적을 갖는 상기 하부 열 차폐부의 중앙부를 웨이퍼의 하측으로부터 이격시켜 위치시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 하부 열 차폐부를, 반도체 웨이퍼를 에워싸는 상기 상부 열 차폐부의 외부까지 실질적으로 연장시켜 배치하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제14항에 있어서, 반도체 웨이퍼의 하측으로부터 방사 플럭스를 변화시키기 위해, 상기 하부 열 차폐부의 중앙부를 반도체 웨이퍼의 하측으로부더 이격시켜, 반도체 웨이퍼의 하측으로부터 떨어진 상기 하부 열 차폐부의 거리보다도 더 먼 거리로 상부 열 차폐부를 에워싸는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 하부 열 차폐부의 하측을 결정하기 위해, 반도체 웨이퍼의 하측으로부터의 방사 플럭스를 체임버의 벽을 통해 광학적으로 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제12항에 있어서, 상기 하부 열 차폐부의 하측으로부터 방사 플럭스를 변화시키기 위해, 외부 둘레 근처의 상기 하부 열 차폐부 아래에 배치된, 그리고 그로부터 이격된 보조 열 차폐부를 지지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제12항에 있어서, 웨이퍼 및 실질적으로 평면과 상기 상부 열 차폐부에 걸친 기체의 흐름을 실질적으로 관리하기 위해, 이들 내에 지지된 반도체 웨이퍼위로부터 기체를 체임버내로 확산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 기체를 체임버내로 확산시키는 단계에서, 반도체 웨이퍼 및 상부 열 차폐부로의 확산과 흐름을 위해, 기체를 상부벽 아래의 체임버에 유도하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제19항에 있어서, 기체를 체임버내로 확산시키는 상기 단계는 기체를 상부벽 아래의 그리고 웨이퍼위의 둘 이상의 교차 스트림으로 체임버내에 유도하는 단계와 상부 열 차폐부를 에워싸는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 기체를 체임버내로 확산시키는 상기 단계는 두 기체 스트림을 체임버를 중심으로 약 90도 방향으로 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법·
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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