KR970051164A - 서브워드라인 드라이버를 갖는 반도체 메모리장치 - Google Patents

서브워드라인 드라이버를 갖는 반도체 메모리장치 Download PDF

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KR970051164A
KR970051164A KR1019950056974A KR19950056974A KR970051164A KR 970051164 A KR970051164 A KR 970051164A KR 1019950056974 A KR1019950056974 A KR 1019950056974A KR 19950056974 A KR19950056974 A KR 19950056974A KR 970051164 A KR970051164 A KR 970051164A
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semiconductor memory
line driver
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KR1019950056974A
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이상재
전준영
차기원
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

서브워드라인(Sub Word Line Driver)을 갖는 반도체 메모리장치, 특히 서브워드라인을 갖는 반도체 메모리 장치에 있어서 포지티브 피드백 앰프(Positive Feedback Amplifier)를 사용하여 메인워드라인을 구동시키는 것에 관한 것이 포함되어 있다. 본 발명은 각각의 워드라인의 피치를 확보하기 위해 1개의 메인워드라인(Main Word Line, MWL)에 다수개의 서브워드라인(Sub Word Line, SWL)이 달려있는 서브워드라인 드라이버(Driver)구조를 채택하고, 또한 상기 서브워드라인 드라이버 구조에서 상기 메인워드라인에 포지티브 피드백 앰프를 구비하여 상기 메인워드라인을 활성화시키고, 상기 메인워드라인의 큰 부하에 의해서 초기에 디벨럽시간이 지연되는 것을 방지하기 위해 상기 메인워드라인 초기값을 피드백하여 초기 디벨럽을 VDD전원에 의해서 이루어지게 함으로써, 전체적인 엑세스 시간을 줄일 수 있고 집적도를 높이고 칩 크기를 줄일 수 있다.

Description

서브워드라인 드라이버를 갖는 반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 의한 메모리 어레이 블락도,
제3도는 본 발명의 실시예에 의한 포지티브 피드백 앰프의 회로도,
제4도는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 메모리 어레이 블락도.

Claims (3)

  1. 복수개의 메모리셀 어레이 블락과, 메인워드라인과, 서브워드라인으로 구성되는 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 메인워드라인 및 서브워드라인을 구성함에 있어서 로우데코더의 출력이 상기 메인워드라인에 연결되고, 상기 메인워드라인에는 서브워드라인 드라이버가 연결되고, 또한 상기 메인워드라인에는 포지티브 피드백 앰프가 연결된 구조를 갖는 반도체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포지티브 피드백 앰프가 상기 로우데코더의 출력과 가장 먼쪽의 메인워드라인에 연결된 곳에 위치하는 반도체 메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 포지티브 피드백 앰프가 로우데코더의 출력에 연결된 메인워드라인의 중간에 위치하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950056974A 1995-12-26 1995-12-26 서브워드라인 드라이버를 갖는 반도체 메모리장치 KR970051164A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100592548B1 (ko) * 1998-10-29 2006-06-23 하이닉스 세미컨덕터 아메리카 인코포레이티드 반도체 메모리용 워드 라인 구동기

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KR100592548B1 (ko) * 1998-10-29 2006-06-23 하이닉스 세미컨덕터 아메리카 인코포레이티드 반도체 메모리용 워드 라인 구동기

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