KR970049000A - 포토 레지스트 패턴 형성 방법 - Google Patents
포토 레지스트 패턴 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 포토 레지스트 패턴 형서 방법에 관한 것ㅇ르ㅗ, 실리콘 기판에 패더 산화막을 증착하고 그 위에 질화막을 증착하는 공정과; 이후 상기 질화막 위에 ARC 층을 형성하는 공정과; 이후 포토 레지스트를 덥고 패터닝하는 공정으로 형성되며, 딥 유브이 포토 공정에 있어서, 풋팅 현상이 방지되어 패턴 스페이스가 0.25㎛이하로 확보된 포토 레지스트 패턴을 형성 할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 딥 유브이 광원에 의해 형성된 포토 레지스트 패턴의 단면도.
Claims (5)
- 실리콘 기판에 패드 산화막을 증착하고 그 위에 질화막을 증착하는 공정과; 이후 상기 질화막위에 ARC층을 형성하는 공정과; 이후 포토 레지스트를 덥고 패터닝하는 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 질화막이 이외에도 TiN과 Al을 이용하여 피식각 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, ARC 층은 SiOxN층으로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
- 제3항에 있어서, SiOxN층은 딥 유브 오존 시스템 및 간단한 오존 발생기를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 레지스트 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, ARC의 재료는 무기물 재료를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 레지스트 패턴형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950053429A KR970049000A (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 포토 레지스트 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950053429A KR970049000A (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 포토 레지스트 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970049000A true KR970049000A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66646648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950053429A KR970049000A (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 포토 레지스트 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970049000A (ko) |
-
1995
- 1995-12-21 KR KR1019950053429A patent/KR970049000A/ko not_active Application Discontinuation
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