KR970016760A - 실리콘함유 포토레지스트를 이용한 투과율조절마스크(tcm) 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 투과율 조절을 할 수 있는 투과율조절마스크(TCM) 제조방법에 관한 것으로서, 특히 실리콘 함유 포토레지스트를 사용하는 것에 관해 개시한다. 본 발명의 투과율조절마스크 제조 방법은 투명 레티클기판 상에 제 1차광막을 형성하는 단계, 상기 제 1차광막을 한정하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제 1차광막을 패터닝하는 단계, 상기 결과물 상에 투과율을 감소시킬 부분을 한정하는 실리콘 함유 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 실리콘 함유 포토레지스트 패턴을 산화막(SiO2)화하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 투과율조절마스크(TCM)을 제조하는 과정에 있어서, 실리콘 함유 포토레지스트를 사용함으로써, 포토레지스트를 한 번만 사용할 수 있었으며, 이것은 TCM 제조 공정을 종래보다 단순하게 할 수 있었다. 또한 실리콘 함유 포토레지스트는 산화막화되며, 그 두께를 조절할 수 있기 때문에 필요에 따라 원하는 투과율을 갖는 TCM을 제조할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 15도는 본 발명에 의한 투과율조절마스크 제조 방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
Claims (2)
- 투명 레티클기판 상에 제 1차광막을 형성하는 단계 ; 상기 제 1차광막을 한정하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제 1차광막을 패터닝하는 단계 ; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 ; 상기 결과물 상에 투과율을 감소시킬 부분을 한정하는 실리콘 함유 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 및 상기 실리콘 함유 포토레지스트 패턴을 산화막(SiO2)화 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 포토레지스트를 이용한 투과율조절마스크(TCM) 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산화막화는 산소 플라즈마(02-plasma) 공정으로 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 포토레지스트를 이용한 투과율조절마스크(TCM) 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031039A KR970016760A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 실리콘함유 포토레지스트를 이용한 투과율조절마스크(tcm) 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950031039A KR970016760A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 실리콘함유 포토레지스트를 이용한 투과율조절마스크(tcm) 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970016760A true KR970016760A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66615834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031039A KR970016760A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 실리콘함유 포토레지스트를 이용한 투과율조절마스크(tcm) 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970016760A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010025764A (ko) * | 1998-12-30 | 2001-04-06 | 박종섭 | 광투과율 조정레티클 및 그를 이용한 감광물질 현상방법 |
| KR20020089195A (ko) * | 2001-05-22 | 2002-11-29 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 상전이마스크 및 그 제조방법 |
| WO2010151087A2 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Manufacturing method of half tone mask |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031039A patent/KR970016760A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20010025764A (ko) * | 1998-12-30 | 2001-04-06 | 박종섭 | 광투과율 조정레티클 및 그를 이용한 감광물질 현상방법 |
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| WO2010151087A2 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Manufacturing method of half tone mask |
| WO2010151087A3 (en) * | 2009-06-25 | 2011-04-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Manufacturing method of half tone mask |
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