KR970048748A - 액정표시 소자의 제조방법 - Google Patents

액정표시 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시 소자에 관한 것으로,특히 공정진행시에 정렬(Align)층으로 이용되는 불투명층을 기판전면(Front side)에지(Edge)부분에 형성하고,양극산화(Anode Oxidation)등의 공간을 가하여 소자의 오염을 줄이고,공정을 단순화 하는데 적당하도록 한 액정표시 소자의 제조방법에 관한 것이다.

Description

액정표시 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a) 내지 (f)는 본 발명의 액정표시 소자의 공정단면도.

Claims (7)

  1. 투명 절연기판상에 불순물이 도핑되지 않은 다결정 실리콘을 증착하는 공정과,상기 다결정 실리콘층상에 포토 레지스트를 증착하고 투명 절연기판의 에지(Edge)부분만 제거되도록 패터닝 하는 공정과,상기 투명 절연기판 전면(全面)에 Si를 5％이상 포함한 금속을 일정온도 이상에서 증착하는 공정과,상기 금속층을 에치백(Ecth Back)하여 상기 포토 레지스트층이 제거된 에지부분에만 남도도록 하고,상기 포토 레지스트층을 제거하는 공정과,상기 에너부분에만 남은 금속을 습식식각으로 일정 두께 제거하여 정선 스파이크(Junction Spike)를 형성하고 양극산화 공정으로 전면(全面)에 산화막을 형성하는 공정과,상기 다결정 실리콘층상에 형성된 산화막을 습식식각으로 제거하고,상기 에지부부분의 금속을 정려층으로 하여 상기 다결정 실리콘층을 섬(lsland)형태로 남도록 식각하여 활성층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,정렬층으로 이용되는 금속은 Al을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,정렬층으로 이용되는 금속상에 양극산화 공정으로 Al2O3를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,다결정 실리콘층상의 산화막(SiO2) 제거공정에는 HF 용액이 이용되는 것을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,포토 레지스트는 1000Å 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,폴리 실리콘층은 1000Å의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,포토 레지스트층이 제거되는 에지부분의 폭은 5㎜이상이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950048261A 1995-12-11 1995-12-11 액정표시소자의제조방법 KR100407927B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100301359B1 (ko) * 1998-07-07 2001-10-29 아끼구사 나오유끼 액정 표시 장치의 제조 방법

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