KR970043095A - 분철광석의 3단 유동층로식 환원장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 입도분포가 넓은 분철광석을 3단의 유동층로에서 단계적으로 환원시켜 용융로에 장입할 수 있도록 고체환원철을 제조할 수 있는 넓은 입도분포의 분철광석의 3단 유동층로식 환원장치에 관한 것으로써, 환원율과 가스이용율 및 가스원단 위의 향상을 도모하고, 미립철광석 사이의 괴성화나 스팅킹현상 등으로 인한 비유동화를 억제하고, 철광석의 환원조업을 최적화시킬 수 있는 분철광석의 3단 유동층로식 환원장치를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.
본 발명은 분철광석의 유동층 환원장치에 있어서, 원료분철광석이 기포유동층을 형성하면서 건조/예열되도록 구성되는 싱글(single)형 제1유동층로(10); 상기 제1유동층로의 배가스에 함유된 미립철광석이 집진되도록 구성되는 제1사이클론(50); 고속영역(20A)과 저속영역(20B)으로 이루어져 제1유동층로(10)에서 건조/예열된 분철광석이 대립과 중/미립 광석으로 분급되어 각각 기포유동층을 형성하면서 예비 환원되도록 구성되는 시리얼 트윈형 제2유동층로(20); 상기 제2유동층로(20)의 배가스에 함유된 미립철광석이 집진되도록 구성되는 제2사이클론(60); 제1반응로(30) 및 제2반응로(40)로 이루어져 제2유동층로(20)에서 대립과 중/미립으로 분리되어 공급된 예비환원된 철광석을 각각 기포유동층을 형성하면서 최종 환원되도록 구성되는 트윈(twin)형 제3유동층로(340); 상기 제3유동층로(340)의 제1반응로(30)의 배가스에 함유된 중/미립 철광석이 집진되도록 구성되는 제3사이클론(70); 상기 제3유동층로(340)의 제2반응로(40)의 배가스에 함유된 극미립철광석이 집진되도록 구성되는 제4사이클론(80)을 포함하여 구성되는 분철광석의 3단 유동층로식 환원장치를 그 요지로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 분철광석의 유동층식 환원로를 나타내는 구성도.
제2도는 본 발명에 부합되는 분철광석의 3단 유동층로식 환원장치의 일례를 나타내는 구성도.
Claims (2)
- 입도분포가 넓은 분철광석의 유동층 환원장치에 있어서, 원료분철광석이 기포유동층을 형성하면서 건조/예열되도록 구성되는 싱글(single)형 제1유동층로(10); 상기 제1유동층로의 배가스에 함유된 미립철광석이 집진되도록 구성되는 제1사이클론(50); 고속영역(20A)과 저속영역(20B)으로 이루어져 제1유동층로(10)에서 건조/예열된 분철광석이 대립과 중/미립 광석으로 분급되어 각각 기포유동층을 형성하면서 예비환원되도록 구성되는 시리얼 트윈형 제2유동층로(20); 상기 제2유동층로(20)의 배가스에 함유된 미립철광석이 집진되도록 구성되는 제2사이클론(60); 상기 제2유동층로(20)에서 예비환원된 철광석 중 대립철광석이 최종 환원되도록 구성되는 원통형의 제1반응로(30) 및 중 /미립 철광석이 최종 환원되도록 구성되는 제2반응로(40)로 이루어져 있는 트윈(twin)형 제3유동층로(340); 상기 제3유동층로(40)의 제1반응로(30)의 배가스에 함유된 중/미립 철광석이 집진되도록 구성되는 제3사이클론(70); 및 상기 제3유동층로(340)의 제2반응로(40)의 배가스에 함유된 극미립철광석이 집진되도록 구성되는 제4사이클론(80)을 포함하고; 상기 제1유동층로(10)는 제1확대부(10a), 제1경사부(10b) 및 제1축소부(10c)로 이루어지고, 상기 제1축소부(10c)의 하단에는 제1배가스 공급구(11)가 형성되고, 상기 제1축소부(10c)내에는 제1분산판(12)이 장착되고, 상기 제1축소부(10c)의 일측에는 제1배출구(13)가 형성되고, 상기 제1확대부(10a)와 제1축소부(10c)는 각각 제16도관(53)과 제1도관(51)을 통해 제1사이클론(50)과 연통되고, 그리고 상기 제1축소부(10c)는 제17도관(91)을 통해 호퍼(90)에 연통되고; 상기 제2유동층로(20)는 원통형의 고속영역(20A)과 제2확대부(20a), 제2경사부(20b) 및 제2축소부(20c)로 이루어지는 저속영역(20B)으로 이루어지고, 상기 고속영역(20A)의 하단부에는 상기 제2배가스 공급구(21)가 형성되고, 그 하부내에는 제2분산판(22)이 장착되고, 상기 저속영역(20B)의 하단부에는 제6배출구(27)가 형성되고, 그 하부내에는 원추형인 가스분산판(28)이 장착되고, 상기 제2축소부(20C)의 하부에는 제5배가스 공급구(24) 및 제2배출구(25)가 형성되고, 상기 제2확대부(20a)와 제2축소부(20c)는 각각 제18도관(62)과 제4도관(61)을 통해 제2사이클론(60)과 연통되고, 제2축소부(20c)는 제2도관(14)을 통해 제1유동층로(10)의 축소부(10c)와 연통되고, 그리고 상기 제2사이클론(60)은 제3도관(15)을 통해 상기 제1배가스 공급구(11)와 연통되고; 상기 제3유동층로(340)의 제1반응로(30)는 원통형상을 갖고, 그 하단에는 용융로(100)와 연통되어 있는 제3배가스 공급구(31)가 형성되고, 그 하부내에는 제3분산판(32)이 장착되고, 그 일측에는 제8도관(35)을 통해 용융로(100)에 연통되어 있는 제3배출구(34)가 형성되고, 그 상부에는 제19도관(33)을 통해 제3사이클론(70)과 연통되고, 상기 제3사이클론(70)의 상부는 제7도관(29)을 통해 제2배가스 공급부(21)와 연통되고, 그리고 상기 제1반응로(30)는 제21도관(26a)을 통해 제2유동층로(20)의 고속영역(20A)과 연통되고; 그리고 상기 제3유동층로(340)의 제2반응로(40)는 제3확대부(40a), 제3경사부(40b) 및 제3축소부(40c)로 이루어지고, 상기 제3축소부(40c)의 하단에는 제5배출구(44)가 형성되고, 상기 제3축소부(40c)내에는 원추형인 제4분산판(42)이 장착되고 상기 제3축소부(40c)의 일측에는 제12도관(49)을 통해 용융로(100)에 연통되어 있는 제4배출구(45)가 형성되고, 상기 제3확대부(40a)와 제3축소부(40c)는 각각 제20도관(83) 및 제14도관(81)을 통해 상기 제4사이클론(80)과 연통되고, 상기 제3축소부(40c)는 제6도관(26)을 통해 제2유동층로(20)의 제2축소부(20c)와 연통되고, 상기 제4사이클론(80)의 상부는 제5도관(82)을 통해 제2유동층 저속영역(20B)과 연통되어 있고, 제4분산판(42)의 하부에 해당되는 제3축소부(40c)의 타측에는 제11도관(48)을 통해 용융로(100)에 연통되어 있는 제4배가스 공급구(41)가 형성되고, 상기 제5배출구(44)는 제9도관(46)을 통해 제3유동층로(30)와 연통되고, 상기 제9도관(46)과 상기 제11도관(48)이 각각 제10도관(47)과 연통되고, 그리고 상기 제3사이클론(70)의 하부는 제13도관(71)을 통해 제10도관(47)에 연통되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 분철광석의 3단 유동층로식 환원장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2유동층로(20)의 고속영역(20A)의 상부에는 가스유속을 증가시키기 위한 리듀싱 핀(reducing fin)(27a)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 분철광석의 3단 유동층로식 환원장치.
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