KR970043093A - 분철광석의 2단유동층식 예비환원장치 및 그 방법 - Google Patents

분철광석의 2단유동층식 예비환원장치 및 그 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 철광석과 일반탄을 직접사용하여 선철을 제조하는 용융환원하는 방법에 있어서 입도분포가 넓은 분철광석을 예비환원하는 유동층식 환원장치 및 그 방법에 관한 것으로써, 제1유도층 환원로를 하광상협구조로 형성하고 제2유도층 환원로를 상광하협구조를 형성하므로써, 분급효율을 향상시킬수 있을 뿐만 아니라 중/미립 광석의 비산을 억제할 수 있는 분철광석의 2단유동층식 예비환원장치 및 이를 이용한 분철광석의 예비환원방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다. 본 발명은 분철광석 저장용 호퍼(10)로부터 분철광석을 공급받아 중/미립 광석은 상부로 비산배출시키고 대립광석을 기포유동층을 형성하면서 환원하도록 구성되는 제1유동층 환원로(20), 상기 제1유동층로(20)의 상부로 비산배출되는 중/미립광석을 공급받아 난류 유동층을 형성하면서 중/미립 광석을 환원하도록 구성되는 제2유동층 환원ㄹ(30), 및 상기 제2유동층 환원로(30)의 배가스에 함유된 미립광석을 포집하는 제1고온 사이클론(40)을 포함하여, 구성되는 분철광석의 2단 유동층식 예비환원장치 및 이를 이용한 분철광석의 예비환원방법을 그 요지로 한다.

Description

분철광석의 2단유동층식 예비환원장치 및 그 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 종래의 분철광석의 유동층식 예비환원로의 구성도,
제3도는 본 발명에 부합되는 분철광석의 2단 유동층식 예비환원장치의 구성도

Claims (10)

  1. 분철광석의 2단 유동층식 예비환원장치에 있어서, 분철광석 저장용 호퍼(10)로부터 분철광석을 공급받아 중/미립광석은 상부로 비산배출시키고 대립광석을 기포유동층을 형성하면서 환원하도록 구성되는 제1유동층 환원로(20), 상기 제1유동층로(20)의 상부로 비산배출되는 중/미립광석을 공급받아 난류 유동층을 형성하면서 중/미립 광석을 환원하도록 구성되는 제2유동층 환원로(30) 및 상기 제2유동층환원로(30)의 배가스에 함유된 미립광석을 포집하는 제1고온사이클론(40)을 포함하고, 상기 제1유동층 환원로(20)는 측소상부(20a), 하광경사부(20b), 및 확대하부(20c)로 이루어지는 하광 상협구조를 갖고, 상기 확대하부내(20c)에는 제1가스 분산판(21)이 정착되고, 상기 제1가스분산판(21)의 아래측벽에는 제1환원가스도입관(24)이 연결되어 있고, 상기 제1가스분산판(21)위의 측벽에는 광석공급관(11) 및 대립광석 배출관(22)이 연결되어 있고, 상기 제2유동층환원로(20)는 확대상부(30a), 상광경사부(30b), 및 축소하부(30c)로 이루어지는 상광하협구조를 갖고, 상기 축소하부(30C)내에는 제2가스분산판(31)이 장착되고, 제2가스부산판(31) 아래측벽에는 제2가스도입관(33)이 연결되고, 상기 제2가스 분산판(31)위의 측벽에는 제2중/미립 광석배출관(32)이 연결되어 있고, 상기 제1유동층 환원로(20)와 제2유동층 환원로(20)는 제1중/미립광석배출관(23)을 통해 광석소통관계를 연통되고, 상기 제2유동층환원로(30)와 제1고온이사이클(40)은 제3배가스 배출관(43)을 통해 연결되고, 상기 제1고온사이클론(40)의 상부에는 제1배가스 배출관(41)이 연결되고, 그 하부에는 상기 제1중/미립 광석 배출관(23)과 연결되어 있는 제1미립광석공급관(42)이 연결되어 구성되는 분철광석의 2단 유동층식예비환원장치
  2. 제1항에 있어서, 제1고온사이클론(40)에서 배출되는 배가스에 함유된 극미립 광석을 포집하기 위한 제2고온사이클론(50)이 추가로 구비되고, 상기 제1고온사이클론(40)과 제2고온사이클론(50)은 제1배가스배출관(41)을 통해 연통되고, 상기 제2고온사이클론(50)의 상부에는 제2배가스배출관(51)이 연결되고, 그 하부는 제2미립광석 공급관(52)을 통해 제2유동층 환원로(30)와 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 분철광석의 2단 유동층식 예비환원장치
  3. 제2항에 있어서, 제2미립광석공급관(52)에는 미분환원철을 외부로 배출하기 위한 미분 환원철 배출관(53)이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 분철광석의 2단유동층식 예비환원장치
  4. 제1항에서 제3항중의 어느한항에 있어서, 제1유동층환원로(20)의 축소상부(20a)의 내경은 확대하부내경(20c)의 0.8-0.9배이고, 그리고 하광경사부(20b)의 경사각은 8-10°이고 그리고 제2유동층식 환원로(20)의 확대상부(30a)의 내경을 축소하부(30c)내경의 1.5-1.8배이고, 상광 경사부(30b)의 경사각은 8-10°인 것을 특징으로 하는 분철광석의 2단 유동층식 예환원장치
  5. 제1항의 분철광석의 2단 유동층식 예비환원장치를 사용하여 제1유동층환원로(20)에서는 공급된 분철광석 중 입도분포가 0.5mm미만인 중/미립광석을 분급하여 제2유동층환원로(30)로 배출시킴과 동시에 입도분포가 0.5mm이상인 대립광석을 유동층을 형성하면서 예비환원하고, 제2유동층환원로(30)에서는 상기 제1유동층한원로(20)에서 분급된 중/미립광석을 유동층을 형성하면서 예비환원하는 것을 특징으로 하는 분철광석의 예비환원방법
  6. 제5항에 있어서, 제1유동층환원로(20)에서 제2유동층환원로(30)로 분급되는 0.5mm미만인 중/미립광석이 90%이상인 것을 특징으로 하는 분철광석의 예비환원방법
  7. 제6항에 있어서, 제1유동층환원로(20)의 하부 공탑가스 유속 2.0-2.5m/sec이고, 그리고 제2유동층환원로(30)의 하부 공탑가스유속은 0.2-0.5m/sec인 것을 특징으로 하는 분철광석의 예비환원방법
  8. 제3항의 분철광석의 2단 유동층식 예비환원장치를 사용하여 분철광석을 예비환원함에 있어, 제1유동층환원로(20)에서는 공급된 분철광석중 입도분포가 0.5mm미만인 중/미립 광석을 분급하여 제2유동층환원로(30)로 배출시킴과 동시에 입도분포가 0.5mm이상인 대립광석을 유도층을 형성하면서 예비환원하여 배출하고, 제2유동층환원로(30)에서는 상기 제1유동층환원로(20)에서 분급된 중/미립 광석을 유동층을 형성하면서 예비환원하여 배출하고, 그리고 미분환원철배출관(53)을 통해서는 0.125mm미만의 미립환원철의 배출되도록 구성되는 분철광석의 예비환원방법
  9. 제8항에 있어서, 제1유동층환원로(20)에서 제2유동층환원로(30)로 분급되는 0.5mm미만인 중/미립광석이 90%이상인 것을 특징으로 하는 분철광석의 예비환원방법
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 제1유동층환원로(20)의 하부공탑가스유속은 2.0-2.5m/sec이고, 그리고 제2유동층환원로(30)의 하부 공탑 가스유속은 0.2-0.5m/sec인 것을 특징으로 하는 분철광석의 예비환원방법
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