KR970030796A - 전원단자의 정전기 보호회로 - Google Patents
전원단자의 정전기 보호회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970030796A KR970030796A KR1019950039963A KR19950039963A KR970030796A KR 970030796 A KR970030796 A KR 970030796A KR 1019950039963 A KR1019950039963 A KR 1019950039963A KR 19950039963 A KR19950039963 A KR 19950039963A KR 970030796 A KR970030796 A KR 970030796A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- terminal
- transistor
- static electricity
- protection circuit
- substrate
- Prior art date
Links
- 230000005611 electricity Effects 0.000 title claims abstract 13
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title claims abstract 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0266—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements
- H01L27/027—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements specially adapted to provide an electrical current path other than the field effect induced current path
- H01L27/0274—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements specially adapted to provide an electrical current path other than the field effect induced current path involving a parasitic bipolar transistor triggered by the electrical biasing of the gate electrode of the field effect transistor, e.g. gate coupled transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
이 발명은 전원단자의 정전기 보호회로에 관한 것으로서, 이미터가 GND 단자에 연결되고, 컬렉터가 Vdd 단자에 연결되며, 베이스가 기판에 연결된 제1기생 트랜지스터와; 소스가 Vdd 단자에 연결되고, 드레인이 GND 단자에 연결된 제1트랜지스터와; 한쪽 단자가 Vdd 단자에 연결되고, 다른 한쪽 단자가 상기한 제1트랜지스터의 게이트에 연결된 저항과; 한쪽 단자가 GND단자에 연결되고, 다른 한쪽 단자가 상기한 제1트랜지스터의 게이트에 연결된 커패시터와; 소스가 Vss 단자에 연결되고, 드레인이 GND 단자에 연결되며, 게이트가 상기한 커패시터의 다른 한쪽 단자에 연결된 제2트랜지스터와; 이미터가 Vss 단자에 연결되고, 컬렉터가 GND 단자에 연결되며, 베이스가 기판에 연결된 제2기생 트랜지스터로 이루어져서, 집적회로의 동작시에 보호회로에 의한 불필요한 전류가 흐르지 않게하고, 정전기가 인가되었을 때 정전기로부터 집적회로를 보호하는 효과를 가진, 전원단자의 정전기 보호회로에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도에 이 발명의 실시예에 따른 전원단자의 정전기 보호회로를 나타낸 도면이다.
제4도는 이 발명의 실시예에 따른 전원단자의 정전기보호회로를 집적회로 내에 나타낸 수직 구조도 및 결선도이다.
Claims (10)
- 이미터가 GND 단자에 연결되고, 컬렉터가 Vdd 단자에 연결되며, 베이스가 기판에 연결된 제1기생 트랜지스터와; 소스가 Vdd 단자에 연결되고, 드레인이 GND 단자에 연결된 제1트랜지스터와; 한쪽 단자가 Vdd 단자에 연결되고, 다른 한쪽 단자가 상기한 제1트랜지스터의 게이트에 연결된 저항과; 한쪽 단자가 GND단자에 연결되고, 다른 한쪽 단자가 상기한 제1트랜지스터의 게이트에 연결된 커패시터와; 소스가 Vss 단자에 연결되고, 드레인이 GND 단자에 연결되며, 게이트가 상기한 커패시터의 다른 한쪽 단자에 연결된 제2트랜지스터와; 이미터가 Vss 단자에 연결되고, 컬렉터가 GND 단자에 연결되며, 베이스가 기판에 연결된 제2기생 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 상기한 제1기생 트랜지스터(Q1)와 상기한 제2기생 트랜지스터(Q2)는 PNP 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 상기한 제1트랜지스터(T1)와 상기한 제2트랜지스터(T2)는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 전원단자에 인가된 정전기가 상기한 커패시터(C)를 통해, 상기한 기생 트랜지스터(Q1, Q2)와 상기한 트랜지스터(T1, T2)를 거쳐 방전되는 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 상기한 기판은 N-기판인 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기한 기판이 P-기판인 경우, PMOS 트랜지스터(T1, T2)의 자리에는 NMOS 트랜지스터를, PNP 트랜지스터(Q1, Q2)의 자리에는 NPN 트랜지스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 집적회로가 정상동작시에는, PMOS 트랜지스터(T1, T2)와 측면의 PNP 트랜지스터(Q1, Q2)의 게이트 및 베이스에 Vdd(+) 전압이 인가되게 하는 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 상기한 커패시터(C)는 패드 메탈(P.M.)을 제1전극으로 하고, 제1전극 밑에 절연체를 거쳐 제2전극을 형성하며, 제2전극은 웰, 폴리실리콘(polysilicon), 메탈(Al) 액티브(N+or P+diffusion) 영역에 의해 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.
- 제1항 또는 제8항에 있어서, 상기한 커패시터(C)의 제1전극과 제2전극은 서로 바뀔수도 있는 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.
- 제1항 또는 제8항에 있어서, 상기한 커패시터(C)의 제2전극은 기판과 연결된 것을 특징으로 하는 전원단자의 정전기 보호회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950039963A KR0158626B1 (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 전원단자의 정전기 보호회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950039963A KR0158626B1 (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 전원단자의 정전기 보호회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970030796A true KR970030796A (ko) | 1997-06-26 |
KR0158626B1 KR0158626B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19433124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950039963A KR0158626B1 (ko) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 전원단자의 정전기 보호회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0158626B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010059781A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 이계안 | 자동 변속기의 시프트 락 장치 |
KR100470183B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2005-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의정전기보호회로 |
-
1995
- 1995-11-06 KR KR1019950039963A patent/KR0158626B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100470183B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2005-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의정전기보호회로 |
KR20010059781A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 이계안 | 자동 변속기의 시프트 락 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0158626B1 (ko) | 1998-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3246807B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0821680B2 (ja) | 集積回路 | |
JP2528795B2 (ja) | ラツチアツプ保護回路付き集積回路 | |
US5357126A (en) | MOS transistor with an integrated protection zener diode | |
KR970053865A (ko) | 반도체장치 | |
JPH0833438B2 (ja) | テスト・モ−ド始動回路 | |
JP3559075B2 (ja) | Cmos技術の集積電子回路用の極性反転保護装置 | |
JP2001308282A (ja) | 半導体装置 | |
KR970030796A (ko) | 전원단자의 정전기 보호회로 | |
JPH06151744A (ja) | 半導体入出力保護装置 | |
JPH044755B2 (ko) | ||
KR960002788A (ko) | 반도체 소자의 데이터 출력버퍼 | |
KR970053847A (ko) | 반도체 장치용 정전기 방지회로 및 그 제조방법 | |
JPH06244371A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0532908B2 (ko) | ||
KR850007315A (ko) | 상보형(相補形) 금속산화막 반도체 직접회로 장치 | |
KR100226741B1 (ko) | 정전기보호회로 | |
JPH0494167A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05267586A (ja) | 出力保護回路 | |
KR0151075B1 (ko) | 반도체장치의 정전 방전 보호회로 | |
JPS63301558A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR0165384B1 (ko) | 반도체 장치의 정전기 보호구조 | |
JPS6281053A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS6031266A (ja) | 半導体装置 | |
KR940012661A (ko) | 씨모스 트랜지스터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060728 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |