KR970030437A - 폴리싱처리의 종점 결정방법 및 장치 - Google Patents
폴리싱처리의 종점 결정방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970030437A KR970030437A KR1019960051559A KR19960051559A KR970030437A KR 970030437 A KR970030437 A KR 970030437A KR 1019960051559 A KR1019960051559 A KR 1019960051559A KR 19960051559 A KR19960051559 A KR 19960051559A KR 970030437 A KR970030437 A KR 970030437A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- workpiece
- time
- end point
- throughput
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 9
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title claims abstract 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체웨이퍼와 같은 작업물을 폴리싱하여 평탄하게 경면화하는 폴리싱처리의 작업물 평면상의 종점을 결정하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 울퉁불퉁한 표면을 갖는 작업물은 톱링에 의해 지지되어 폴리싱처리대에 대하여 가압된다. 작업물은 폴리싱처리대에 대하여 이동되어 폴리싱처리되며, 작업물 및 폴리싱처리대 사이의 마찰력의 변화가 검출된다. 울통불통한 표면을 갖는 작업물이 평탄한 표면으로 폴리싱되는 기준시간은 작업물 및 폴리싱처리대 사이의 마찰력의 변화에 의거하여 결정된다. 기준시간으로부터 폴리싱시간의 일정 주기가 경과하는 시간이 작업물상의 종점으로서 결정된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도1은 본 발명의 종점 검출장치를 구비하는 폴리싱장치를 도시한 개략적인 정면도.
Claims (13)
- 작업물 폴리싱처리의 종점을 결정하는 방법에 있어서: 울퉁불퉁한 표면을 갖는 작업물을 지지부재에 의하여 지지하고 폴리싱처리대에 대하여 상기 작업물을 가압하는 단계; 상기 작업물을 폴리싱하도록 상기 폴리싱처리대에 대하여 상기 작업물을 이동시키는 단계; 상기 작업물 및 상기 폴리싱처리대 사이의 마찰력의 변화를 검출하는 단계; 상기 작업물 및 상기 폴리싱처리대 사이의 상기 마찰력의 상기 변화에 의거하여, 울퉁불퉁한 표면을 갖는 상기 작업물이 평탄한 표면으로 폴리싱되는 기준시간을 결정하는 단계; 및 상기 기준시간으로부터 폴리싱시간의 일정 주기가 경과하는 시간을 상기 작업물의 종점으로서 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마찰력의 상기 변화는 상기 폴리싱처리대 또는 상기 지지부재를 위한 구동모터의 전류의 변화에 의하여 검출되는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리싱시간의 일정 주기는 변화가능하며, 이전에 폴리싱된 적어도 하나의 작업물의 폴리싱시간 및 폴리싱처리량에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정방법.
- 제3항에 있어서, 상기 폴리싱시간의 일정 주기는, 상기 종점을 결정하고자 하는 대상물인 상기 작업물을 폴리싱하기 직전에 폴리싱된 적어도 하나의 작업물의 폴리싱시간 및 폴리싱처리량에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 중점 결정방법.
- 제3항에 있어서, 상기 폴리싱시간의 일정 주기는, 상기 종점을 결정하고자 하는 대상물인 상기 작업물을 폴리싱하기 직전에 폴리싱된 복수의 작업물의 폴리싱처리율의 평균값에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정방법.
- 제3항에 있어서, 상기 작업물은 기판 및 상기 기판상에 적층원 적어도 하나의 층을 포함하며, 상기 폴리싱 처리량은 상기 적층된 표면층의 폴리싱처리량인 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정방법.
- 작업물 폴리싱처리의 종점을 결정하는 장치에 있어서: 폴리싱처리대; 작업물을 지지하고 상기 폴리싱처리대에 대하여 상기 작업물을 가압하는 톱링; 상기 작업물 및 상기 폴리싱처리대 사이의 마찰력의 변화를 검출하는 검출기; 및 상기 작업물 및 상기 풀리싱처리대 사이의 상기 마찰력의 상기 변화에 의거하여 울퉁불퉁한 표면을 갖는 상기 작업물이 평탄한 표면으로 폴리싱되는 기준시간을 결정하며, 상기 기준시간으로부터 폴리싱시간의 일정 주기가 경과하는 시간을 상기 작업물의 종점으로서 결정하는 처리장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정장치.
- 제7항에 있어서, 상기 마찰력의 상기 변화는 상기 폴리싱처리대 또는 상기 톱링에 대한 구동모터의 전류의 변화에 의하여 검출되는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정장치.
- 제7항에 있어서, 상기 폴리싱시간의 일정주기는 변화가능하며, 이전에 폴리싱된 적어도 하나의 작업물의 폴리싱시간 및 폴리싱처리량에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정장치.
- 제9항에 있어서, 상기 폴리싱시간의 일정 주기는, 상기 종점을 결정하고자 하는 대상물인 상기 작업물을 폴리싱하기 직전에 폴리싱된 적어도 하나의 작업물의 폴리싱시간 및 풀리성처리량에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정장치.
- 제9항에 있어서, 상기 폴리싱시간의 일정 주기는, 상기 종점을 결정하고자 하는 대상물인 상기 작업물을 폴리싱하기 직전에 폴리싱된 복수의 작업물의 폴리싱처리율의 평균값에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는폴리싱처리의 종점 결정장치.
- 제9항에 있어서, 상기 작업물은 기판 및 상기 기판상에 적층된 적어도 하나의 층을 포함하며, 상기 폴리싱처리량은 상기 적층된 표면층의 폴리싱처리량인 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정장치.
- 제7항에 있어서, 폴리싱된 상기 작업물의 폴리싱처리량을 측정하는 측정장치를 더욱 포함하여 이루어지며; 상기 측정장치는 상기 처리장치에 접속되어 상기 작업물의 상기 폴리싱처리량의 신호를 상기 처리장치에 전송하는 것을 특징으로 하는 폴리싱처리의 종점 결정장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30998295A JP3649493B2 (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | ポリッシングの終点決定方法及び装置 |
JP7-309982 | 1995-11-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970030437A true KR970030437A (ko) | 1997-06-26 |
KR100453378B1 KR100453378B1 (ko) | 2005-01-15 |
Family
ID=17999718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960051559A KR100453378B1 (ko) | 1995-11-02 | 1996-11-01 | 폴리싱처리의종점결정방법및장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5830041A (ko) |
EP (1) | EP0771611B1 (ko) |
JP (1) | JP3649493B2 (ko) |
KR (1) | KR100453378B1 (ko) |
DE (1) | DE69625984T2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010066334A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 박종섭 | 반도체소자의 화학적 기계적 연마공정에서 종말점측정장치 및 그 측정방법 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2780552B1 (fr) * | 1998-06-26 | 2000-08-25 | St Microelectronics Sa | Procede de polissage de plaquettes de circuits integres |
US6191037B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Methods, apparatuses and substrate assembly structures for fabricating microelectronic components using mechanical and chemical-mechanical planarization processes |
US6165052A (en) * | 1998-11-16 | 2000-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method and apparatus for chemical/mechanical planarization (CMP) of a semiconductor substrate having shallow trench isolation |
US6623334B1 (en) | 1999-05-05 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing with friction-based control |
JP4030247B2 (ja) * | 1999-05-17 | 2008-01-09 | 株式会社荏原製作所 | ドレッシング装置及びポリッシング装置 |
US6492273B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-12-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for monitoring and controlling mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies |
US6293845B1 (en) * | 1999-09-04 | 2001-09-25 | Mitsubishi Materials Corporation | System and method for end-point detection in a multi-head CMP tool using real-time monitoring of motor current |
DE19946493C2 (de) * | 1999-09-28 | 2002-05-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Abtragen von Schichten |
TW430594B (en) * | 1999-12-29 | 2001-04-21 | United Microelectronics Corp | Method for controlling polishing time in CMP process |
US6368184B1 (en) | 2000-01-06 | 2002-04-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for determining metal CMP endpoint using integrated polishing pad electrodes |
US6257953B1 (en) | 2000-09-25 | 2001-07-10 | Center For Tribology, Inc. | Method and apparatus for controlled polishing |
JP3844973B2 (ja) | 2001-03-16 | 2006-11-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の研磨終点検出 |
US6844262B1 (en) * | 2001-08-31 | 2005-01-18 | Cypress Semiconductor Corporation | CMP process |
US6741913B2 (en) | 2001-12-11 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | Technique for noise reduction in a torque-based chemical-mechanical polishing endpoint detection system |
DE10208166B4 (de) * | 2002-02-26 | 2006-12-14 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Herstellung von Metallleitungen mit verbesserter Gleichförmigkeit auf einem Substrat |
JP2003318140A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Applied Materials Inc | 研磨方法及び装置 |
US8025759B2 (en) | 2003-07-02 | 2011-09-27 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
JP2005026453A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Ebara Corp | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
WO2005043132A1 (en) | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Applied Materials, Inc. | Polishing endpoint detection system and method using friction sensor |
US7727049B2 (en) | 2003-10-31 | 2010-06-01 | Applied Materials, Inc. | Friction sensor for polishing system |
DE102006018276A1 (de) * | 2006-04-20 | 2007-10-31 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Schliffpräparation eines mehrere ebene und zueinander parallel verlaufende Schichten unterschiedlichen Materials aufweisenden Probenkörpers |
CN102049706B (zh) * | 2010-10-22 | 2012-02-22 | 厦门大学 | 一种微小球体的精密超冷研抛装置 |
US9358660B2 (en) | 2011-11-07 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Grinding wheel design with elongated teeth arrangement |
US9960088B2 (en) * | 2011-11-07 | 2018-05-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | End point detection in grinding |
CN103753379A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-04-30 | 上海华力微电子有限公司 | 研磨速率侦察装置、研磨设备及实时侦察研磨速率的方法 |
CN105033838B (zh) * | 2015-07-27 | 2018-05-15 | 郑州大学 | 机械研磨金属表面微纳米孔的成型方法 |
JP6989317B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2022-01-05 | キオクシア株式会社 | 研磨装置、研磨方法、およびプログラム |
US11660722B2 (en) | 2018-08-31 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Polishing system with capacitive shear sensor |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4910155A (en) * | 1988-10-28 | 1990-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer flood polishing |
US5036015A (en) * | 1990-09-24 | 1991-07-30 | Micron Technology, Inc. | Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5069002A (en) * | 1991-04-17 | 1991-12-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5308438A (en) * | 1992-01-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Endpoint detection apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
US5222329A (en) * | 1992-03-26 | 1993-06-29 | Micron Technology, Inc. | Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials |
US5245794A (en) * | 1992-04-09 | 1993-09-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Audio end point detector for chemical-mechanical polishing and method therefor |
GB2275130B (en) * | 1992-05-26 | 1997-01-08 | Toshiba Kk | Polishing apparatus and method for planarizing layer on a semiconductor wafer |
KR940022734A (ko) * | 1993-03-15 | 1994-10-21 | 사또 후미오 | 연마 방법 및 연마 장치 |
US5439551A (en) * | 1994-03-02 | 1995-08-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical-mechanical polishing techniques and methods of end point detection in chemical-mechanical polishing processes |
US5668063A (en) * | 1995-05-23 | 1997-09-16 | Watkins Johnson Company | Method of planarizing a layer of material |
-
1995
- 1995-11-02 JP JP30998295A patent/JP3649493B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-10-31 EP EP96117500A patent/EP0771611B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-31 DE DE69625984T patent/DE69625984T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-01 KR KR1019960051559A patent/KR100453378B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-04 US US08/743,361 patent/US5830041A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010066334A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 박종섭 | 반도체소자의 화학적 기계적 연마공정에서 종말점측정장치 및 그 측정방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0771611A1 (en) | 1997-05-07 |
JP3649493B2 (ja) | 2005-05-18 |
DE69625984D1 (de) | 2003-03-06 |
JPH09131663A (ja) | 1997-05-20 |
US5830041A (en) | 1998-11-03 |
DE69625984T2 (de) | 2004-01-08 |
EP0771611B1 (en) | 2003-01-29 |
KR100453378B1 (ko) | 2005-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970030437A (ko) | 폴리싱처리의 종점 결정방법 및 장치 | |
US5936733A (en) | Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers | |
JP2001345292A5 (ko) | ||
KR970077291A (ko) | 연동기능을 구비한 폴리싱 장치 | |
AU2003210224A1 (en) | Method and device for determination of the wear resistance of a surface | |
US6336841B1 (en) | Method of CMP endpoint detection | |
KR910005974A (ko) | 광학소자 연마방법 및 장치 | |
TW343358B (en) | Methods and apparatus for the in-process detection of workpieces | |
KR960040559A (ko) | 연마방법 및 그 장치 | |
EP1116552A3 (en) | Polishing apparatus with thickness measuring means | |
JP3011113B2 (ja) | 基板の研磨方法及び研磨装置 | |
AU3761799A (en) | Endpoint detection in chemical mechanical polishing (cmp) by substrate holder elevation detection | |
KR970030408A (ko) | 반도체장치의 평탄화 방법 및 장치 | |
EP1072359A3 (en) | Semiconductor wafer polishing apparatus | |
KR102272903B1 (ko) | 수평식 드릴링 가공장치 | |
US6074517A (en) | Method and apparatus for detecting an endpoint polishing layer by transmitting infrared light signals through a semiconductor wafer | |
US6432823B1 (en) | Off-concentric polishing system design | |
JPH02222533A (ja) | 半導体ウェーハの研削装置 | |
KR940022734A (ko) | 연마 방법 및 연마 장치 | |
JPH10202520A (ja) | ウェーハの厚み加工量測定装置 | |
EP1050369A3 (en) | Method and apparatus for polishing workpieces | |
US6285035B1 (en) | Apparatus for detecting an endpoint polishing layer of a semiconductor wafer having a wafer carrier with independent concentric sub-carriers and associated method | |
JPS637268A (ja) | 研削装置 | |
EP0796702A3 (en) | Polishing apparatus | |
DK0808693T3 (da) | Fremgangsmåde og apparat til bearbejdning af en ringformet CBN- eller diamantbelægning på slibeskiver |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130925 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140919 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150916 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160909 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Expiration of term |