KR970023826A - 반도체장치의 층간 절연막 형성방법 - Google Patents

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Abstract

오존-TEOS 산화막을 이용하여 반도체장치의 층간 절연막을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
본 발명은 반도체기판상에서 임의의 패턴을 이루고 있는 하지막(11)상에 오존-TEOS 산화막(14)을 이용하여 층간 절연막을 형성하는 반도체장치의 층간 절연막 형성방법에 있어서, 상기 하지막(11)상에 오존-TEOS 산화막(14)을 형성하기 전에 상기 하지막(11)에 대하여 상기 하지막(11)의 표면변화를 일으키도록 자외선(22)을 조사하는 공정을 추가하여 이루어진다.
따라서, 하지막에 대한 의존성이 제거되면서도 공정수 및 공정시간이 달축되고, 이물질이나 결함의 발생이 억제되며, 플라즈마 처리공정에 의한 산화막에서 나타나는 단차 증가를 방지하는 효과가 있다.

Description

반도체장치의 층간 절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명의 일 실시예에 따라 오존-TEOS 산화막을 이용한 층간 절연막의 형성 과정을 나타낸 단면도들이다.

Claims (4)

  1. 반도체기판상에서 임의의 패턴을 이루고 있는 하지막(11)상에 오존-TEOS 산화막(14)을 이용하여 층간 절연막을 형성하는 반도체장치의 층간 절연막 형성 방법에 있어서, 상기 하지막(11)상에 오존-TEOS 산화막(14)을 형성하기 전에 상기 하지막(11)에 대하여 상기 하지막(11)의 표면변화를 일으키도록 자외선(22)을 조사하는 공정을 추가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 층간절연막 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자외선(22) 조사공정은 후속되는 오존-TEOS산화막(14) 형성공정과 동일한 설비내에서 인 사이튜(in-situ) 상태로 수행되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 층간 절연막 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서 상기 자외선(22) 조사공정은 오존가스 분위기하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 층간 절연막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서 상기 자외선(22) 조사공정은 N2, NH3, O2, He, Ar가스로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 가스 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 층간 절연막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100208795B1 (ko) * 1997-08-30 1999-07-15 윤종용 레이져 빔 프린터의 용지급지장치
KR100486235B1 (ko) * 1998-03-23 2005-06-16 삼성전자주식회사 도핑되지않은실리콘유리(usg)막의형성방법
JP4470163B2 (ja) * 2003-09-03 2010-06-02 株式会社エンプラス 成形プラスチック歯車及びこれを使用した間歇回転伝達機構、成形プラスチック歯車の使用方法
US7172091B2 (en) * 2004-05-07 2007-02-06 Sweports Limited Mop dispenser
CN100372681C (zh) * 2004-05-10 2008-03-05 中国印钞造币总公司 用于在线检测的吸风停纸方法及其装置
CN103538453B (zh) * 2013-10-11 2016-07-06 北京白云朵朵科技有限公司 车用防护车衣收放装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61226424A (ja) * 1985-03-29 1986-10-08 Canon Inc 給送装置
JP2607956B2 (ja) * 1989-06-08 1997-05-07 キヤノン株式会社 駆動力伝達機構

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