KR970018681A - 전압, 전류 감지 능력이 향상된 센스펫 - Google Patents

전압, 전류 감지 능력이 향상된 센스펫 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전압, 전류 감지능력이 향상된 센스펫에 관한 것으로, 특히 주셀과 센싱셀 사이에 형성되는 기생적층저항(Accumulation Resistasnce)을 근본적으로 발생되지 않는 구조를 구현하여 접압, 전류 감지능력이 향상된 센스펫에 관한 것이다. 본 발명의 센싱펫은 도전되는 전류를 감지하기 위한 센싱펫에 있어서, 고농도의 제1 도전형 반도체 기판과; 상기 반도체 기판 위에 형성된 저농도의 제1도전형 에피택셜층과; 상기 에피택셜층상측에 소정 간격을 갖고 형성된 다수의 제2도전형 웰과; 상기 다수의 제2도전형 웰 중 일측 및 타측의 웰 내부 상측에 형성된 한쌍의 제1도전형 소오스 영역과; 상기 다수의 제2도전형 웰 중 타측 웰과 소정 거리를 두고 내측에 위치한 웰의 내부 상측에 형성된 한쌍의 제1도전형 센싱 영역과; 상기 다수의 제2도전형 웰과 웰 사이의 상부면에 게이트 산화막을 통하여 그 위에 각각 형성된 다수의 게이트와; 상기 다수의 게이트를 각각 둘러싸는 다수의 절연 산화막과; 상기 일측 및 타측의 소오스 영역과; 이들을 둘러 싸는 상기 웰에 접촉된 주셀의 소오스 배선전극과; 상기 센싱 영역과 이들을 둘러 싸는 상기 웰에 접촉된 센싱셀의 센싱 전극패드와; 상기 주셀의 일측 소오스영역과 센싱셀의 센싱영역 사이에 위치한 웰과 상기 다수의 게이트를 연결하는 게이트 배선전극으로 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

전압, 전류 감지 능력이 향상된 센스펫
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 센스펫의 수직 단면도
제5도는 본 발명의 주요부를 보여주는 수직 단면 구조도

Claims (2)

  1. 도전되는 전류를 감지하기 위한 센싱펫에 있어서, 고농도의 제1 도전형 반도체 기판과; 상기 반도체 기판 위에 형성된 저농도의 제1도전형 에피택셜층과; 상기 에피택셜층상측에 소정 간격을 갖고 형성된 다수의 제2도전형 웰과; 상기 다수의 제2도전형 웰 중 일측 및 타측의 웰 내부 상측에 형성된 한쌍의 제1도전형 소오스 영역과; 상기 다수의 제2도전형 웰 중 타측 웰과 소정 거리를 두고 내측에 위치한 웰의 내부 상측에 형성된 한쌍의 제1도전형 센싱 영역과; 상기 다수의 제2도전형 웰과 웰 사이의 상부면에 게이트 산화막을 통하여 그 위에 각각 형성된 다수의 게이트와; 상기 다수의 게이트를 각각 둘러싸는 다수의 절연 산화막과; 상기 일측 및 타측의 소오스 영역과; 이들을 둘러 싸는 상기 웰에 접촉된 주셀의 소오스 배선전극과; 상기 센싱 영역과 이들을 둘러 싸는 상기 웰에 접촉된 센싱셀의 센싱 전극패드와; 상기 주셀의 일측 소오스영역과 센싱셀의 센싱영역 사이에 위치한 웰과 상기 다수의 게이트를 연결하는 게이트 배선전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전압, 전류 감지능력이 향상된 센스펫
  2. 제2항에 있어서, 상기 센싱 전극패드 아래에 주셀의 소오스에 연결되는 제2도전형의 역전류패스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압, 전류 감지능력이 향상된 센스펫
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JPH03151670A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP3063167B2 (ja) * 1989-12-29 2000-07-12 日本電気株式会社 電流検出端子付mos fetおよびその製造方法
JPH05129597A (ja) * 1991-11-07 1993-05-25 Hitachi Ltd 半導体装置

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