KR970018651A - 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970018651A KR970018651A KR1019950032896A KR19950032896A KR970018651A KR 970018651 A KR970018651 A KR 970018651A KR 1019950032896 A KR1019950032896 A KR 1019950032896A KR 19950032896 A KR19950032896 A KR 19950032896A KR 970018651 A KR970018651 A KR 970018651A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate
- memory device
- nonvolatile memory
- film
- polycrystalline silicon
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
- H10B41/35—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region with a cell select transistor, e.g. NAND
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명은 반도체 기판에 형성된 선택 트랜지스터의 선택 게이트와 상기 선택 게이트의 표면에 형성된 절연막과 일측벽에 형성된 산화막 스페이서를 개재하여 상기 선택게이트의 측벽과 그 상단의 일부에 형성된 적층 구조의 부유 게이트와 조절 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치를 제공한다, 본 발명은 상기 비휘발성 메모리 장치를 제조하는데 있어서, 가장 적합한 제조방법을 제공한다, 본 발명에 의한 비휘발성 메모리 장치는 프로그램시 고효율을 지니고, 저전압에서도 고속으로 프로그램이 가능하며, 콘택구조를 형성하지 않으므로 단위소자당 단위밀도가 증가하게 되어 고집적화에 유리하며 새로운 레이아웃의 제안이 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 의한 제조된 비휘발성 메모리 장치를 나타내는 단면도이다.
Claims (2)
- 반도체 기판에 형성된 선택 트랜지스터의 선택 게이트와 상기 선택 게이트의 표면에 형성된 절연막과 일측벽에 형성된 산화막 스페이서를 개재하여 상기 선택게이트의 측벽과 그 상단의 일부에 형성된 적층 구조의 부유 게이트와 조절 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
- 반도체 기판위에 게이트 산화막, 제1다결정실리콘막, 절연막을 차례대로 적층하는 단계; 상기 절연막, 제1다결정실리콘막을, 사진 식각 공정에 의해 식각하여 선택 게이트 패턴을 형성하는 단계; 상기 선택 게이트 패턴과 노출된 반도체 기판위에 스페이서 형성용 산화막을 형성한 후 사진 식각공정에 의해 식각하여 상기 선택 게이트의 측벽에 스페이서로 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 터널산화막, 제2다결정실리콘막, ONO막 및 제2다결정실리콘막을 차례대로 적층하는 단계; 및 상기 제 2 다결정 실리콘막, ONO막 및 제3다결정실리콘막을 차례대로 식각하여 조절게이트와 부유게이트를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032896A KR970018651A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032896A KR970018651A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018651A true KR970018651A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032896A KR970018651A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018651A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451491B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬이이피롬셀및그의제조방법 |
| KR100470184B1 (ko) * | 1997-12-10 | 2005-07-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬메모리소자및그제조방법 |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032896A patent/KR970018651A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451491B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬이이피롬셀및그의제조방법 |
| KR100470184B1 (ko) * | 1997-12-10 | 2005-07-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬메모리소자및그제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7369436B2 (en) | Vertical NAND flash memory device | |
| RU2153210C2 (ru) | Полупроводниковое запоминающее устройство с высокой степенью интеграции и способ изготовления полупроводникового запоминающего устройства | |
| JP2001168306A5 (ko) | ||
| JPH07302854A (ja) | デュアル・チャネルを有するｓｏｉ上のトレンチｅｅｐｒｏｍ構造およびその製造方法 | |
| KR950034805A (ko) | 반도체 소자와 그 제조방법 | |
| KR20070017552A (ko) | 듀얼 폴리를 사용하는 비트라인 임플랜트 | |
| WO2007036876A1 (en) | Double gate non-volatile memory device and method of manufacturing | |
| KR950034731A (ko) | 비휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법 | |
| KR970018651A (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2004111892A (ja) | フラッシュメモリ装置及びその製造方法ならびにフラッシュメモリ装置用トランジスタ | |
| JP4339112B2 (ja) | 選択トランジスタとメモリトランジスタを含む複数のメモリセルを有する不揮発性メモリを備えた半導体装置の製造方法 | |
| KR970013382A (ko) | 비휘발성 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | |
| JP2003188290A5 (ko) | ||
| KR100280250B1 (ko) | 폴리실리콘 절연체를 사용한 컨택이 없는 플래시 eprom셀 어레이 및 그 제조 방법 | |
| KR100559523B1 (ko) | 플래시 메모리 소자의 셀 제조 방법 | |
| KR20060089530A (ko) | 하프 리세스된 부유게이트를 갖는 플래쉬 메모리 셀 및 그제조방법 | |
| KR100210857B1 (ko) | 비휘발성 메모리소자 및 그 제조방법 | |
| KR100442151B1 (ko) | 비휘발성 메모리 셀의 플로팅 게이트 제조방법 | |
| KR100279001B1 (ko) | 플래쉬 메모리 셀의 제조방법 | |
| KR100442152B1 (ko) | 비휘발성 메모리 셀의 플로팅 게이트 제조방법 | |
| KR0161114B1 (ko) | 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR0177391B1 (ko) | 반도체 기억소자와 그 제조방법 | |
| US6927128B2 (en) | Method for manufacturing low voltage flash memory | |
| TW202420953A (zh) | 非揮發性記憶體元件及其製造方法 | |
| KR960026900A (ko) | 가상 접지 eprom 셀 구조를 갖는 비휘발성 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |