KR970018057A - 반도체장치의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
반도체 제조 공정중에서 극미세패턴을 형성하기 위하여 스페이서 또는 폴리머를 부착하지 아니하고 포토레지스트에 고온의 열을 가하여 노출 방사원의 원래의 해상도 이상으로 미세패턴을 형성할 수 있으며, 이는 포토레지스트의 열적흐름(Thermal)을 이용한 것으로, 에칭시에 폴리머가 쉽게 깨지는 기존의 문제점과 그로 인한 불균일 패턴이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5A도 내지 제5D도는 본 발명에 의한 미세패턴을 형성하는 공정도.
Claims (3)
- 기판상의 포토 레지스트를 도포하는 공정과 포토 레지스트를 패터닝하는 공정과, 패터닝된 포토 레지스트를 고온 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 패터닝된 포토 레지스트를 고온 열처리할때, 기판을 뒤집거나 회전시켜서 베이크하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제2항에 있어서, 패터닝된 포토 레지스트를 베이크하는 경우, 온도 차이를 두어서 여러단계로 베이크하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031820A KR970018057A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031820A KR970018057A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018057A true KR970018057A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031820A KR970018057A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018057A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100524812B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2005-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불화아르곤 전사법을 이용한 비트라인 형성 방법 |
-
1995
- 1995-09-26 KR KR1019950031820A patent/KR970018057A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100524812B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2005-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불화아르곤 전사법을 이용한 비트라인 형성 방법 |
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