KR970017664A - 반도체 메모리용 센스앰프의 노이즈 면역강화 방법 및 노이즈 면역회로 - Google Patents
반도체 메모리용 센스앰프의 노이즈 면역강화 방법 및 노이즈 면역회로 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 메모리.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
노이즈 면역강화 방법을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
반도체 메모리 장치의 노이즈 면역강화 방법은 상기 장치내에 있는 메모리 셀의 제1,2비트라인에 연결된 데이타 라인 쌍을 가지는 블럭 센스앰프의 상기 신호라인 쌍간에 커플링 캐패시터를 사용하여, 상기 제1,2비트 라인에 발생되는 노이즈가 상기 블럭센스앰프의 내부로 유입되는 것을 차단시킴을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리의 센스앰프에 적합하게 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 데이타 신호버스의 형성도,
제3도는 본 발명에 따른 노이즈 면역강화의 원리를 설명하는 도면,
제5도는 본 발명에 따른 바이씨모오스 센스 앰프의 회로도.
Claims (5)
- 반도체 메모리 장치의 노이즈 면역강화 방법에 있어서 : 상기 장치내에 있는 메모리 셀의 제1,2비트라인에 연결된 데이타 라인 쌍을 가지는 블럭 센스앰프의 상기 데이타 라인 쌍간에 커플링 캐패시터를 사용하여, 상기 제1,2비트라인에 발생되는 노이즈가 상기 블럭센스앰프의 내부로 유입되는 것을 차단시킴을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 커플링 캐패시터는 NMOS 캐패시터로 제조한 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 커플링 캐패시터는 PMOS 캐패시터로 제조한 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 커플링 캐패시터는 통상의 전용 캐패시터로 제조한 것을 특징으로 하는 방법.
- 반도체 메모리 장치의 노이즈 연역강화 회로에 있어서 : 상기 장치내에 있는 메모리 셀의 제1,2비트라인에 연결된 데이타 라인 쌍간에 연결된 커플링 캐패시터를 적어도 포함하는 블럭 센스앰프와 상기 블럭 센스앰프의 제1,2출력라인간에 연결된 커플링용 캐패시터를 포함하는 메인센스 앰프를 가짐에 의해, 상기 제1,2비트 라인에 발생되는 노이즈가 상기 블럭센스앰프의 내부로 유입되는 것을 차단시키고, 상기 제1,2출력라인에 발생되는 노이즈가 상기 메인 센스앰프로 유입되는 것을 차단시키는 것을 특징으로 하는 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030103A KR100197551B1 (ko) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 반도체 메모리용 센스앰프의 노이즈 면역강화회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030103A KR100197551B1 (ko) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 반도체 메모리용 센스앰프의 노이즈 면역강화회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970017664A true KR970017664A (ko) | 1997-04-30 |
| KR100197551B1 KR100197551B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19426861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950030103A KR100197551B1 (ko) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 반도체 메모리용 센스앰프의 노이즈 면역강화회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100197551B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100936796B1 (ko) | 2008-04-30 | 2010-01-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 |
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1995
- 1995-09-14 KR KR1019950030103A patent/KR100197551B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100197551B1 (ko) | 1999-06-15 |
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