KR970017210A - 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 자기 헤드의 메탈층을 소정 형상으로 패터닝시키기 위한 방법에 관한 것으로서, 하부 기판상에 소정 두께로 도포된 포트 레지스터(PR)에 모노 클로벤젠(mono chlorobenzene)을 침투시켜서 침투 영역 및 비침투 영역으로 구성된 제1감광층을 패터닝시키는 제1단계와, 소정 형상으로 패터닝된 제1감광층이 형성된 상기 하부 기판상에 시드층을 형성시키는 제2단계와, 전기 도금 공정에 의하여 상기 시드층상에 메탈층 상기 하부 기판상에 평탄화 물질을 소정 두께로 도포시켜서 평탄화층을 형성시키는 제4단계와, 상기 평탄화 물질을 제거하여 상기 제1감광층상에 형성된 시드층을 노출시키는 제5단계와, 상기 노출된 시드층을 제거하여서 상기 제1감광층을 노출시키는 제6단계와, 그리고 상기 메탈층이 노출될 때까지 상기 제1감광층 및 평탄화층을 제거하는 제7단계로 이루어지며 이에 의해서 메탈층 주위에 기공이 형성되는 것을 방지시키고 또한 평탄한 표면을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 (가) 내지 (사)는 본 발명에 따른 박막 자기 헤드의 매탈층을 패터닝시키는 방법을 순차적으로 도시한 공정도.
Claims (9)
- 박막 자기 헤드의 메탈층을 소정 형상으로 패터닝시키는 방법에 있어서, 하부 기판(31)상에 포토 레지스트를 소정 두께로 도포시켜서 형성된 제1감광층(32)을 패터닝시키는 제1단계와, 소정 형상으로 패터닝된 제1감광층(32)이 형성된 상기 하부기판(31)상에 시드층(33)을 형성시키는 제2단계와, 전기 도금 공정에 의하여 상기 시드층(33) 상에 메탈층(34)을 형성시키는 제3단계와, 상기 제1감광층(32)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 메탈층(34)이 형성된 상기 하부 기판(31)상에 평탄화 물질을 소정 두께로 도포시켜서 평탄화층(35)을 형성시키는 제4단계와, 상기 평탄화층(35)을 구성하는 평탄화 물질을 균일하게 제거하여서 상기 제1감광층(32)상에 형성된 시드층(33)을 노출시키는 제5단계와, 상기 노출된 시드층(33)을 제거하여서 상기 제1감광층(32)을 노출시키는 제6단계와, 그리고 상기 메탈층(34)이 노출될 때까지 상기 제1감광층(32) 및 평탄화층(35)을 제거하는 제7단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하부 기판(31)상에 소정 두께로 도포된 포토 레지스트를 모노 클로로벤젠을 노출시켜서 상기 제1감광층(32)을 침투 영역(32b) 및 비침투 영역(32a)으로 구성시키는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 평탄화층(35)을 구성하는 평탄화 물질은 상기 제1감광층(32)을 구성하는 조성과 동일한 조성의 포토 레지스트로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제5단계는 상기 평탄화층(35)을 구성하는 평탄화 물질을 에칭 백 공정에 의하여 제거함으로서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 에칭 백 공정은 반응성 이온 식각 공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 평탄화 물질은 상기 제5단계에 의하여 상기 시드층(33)을 제거할 때 상기 메탈층(34)에 대한 표면 보호 작용을 나타내는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 시드층(33)은 습식 식각 공정에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 메탈층 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6단계는 에칭 백 공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제7단계는 상기 하부 기판(31)상에 잔존하는 제1감광층(32)을 하드 베이킹시키는 공정을 부가적으로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033534A KR0154945B1 (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950033534A KR0154945B1 (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970017210A true KR970017210A (ko) | 1997-04-30 |
| KR0154945B1 KR0154945B1 (ko) | 1998-12-15 |
Family
ID=19428936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950033534A KR0154945B1 (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 박막 자기 헤드의 메탈층 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0154945B1 (ko) |
-
1995
- 1995-09-30 KR KR1019950033534A patent/KR0154945B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0154945B1 (ko) | 1998-12-15 |
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