KR970016852A - 화상 형성 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 화상 형성 장치는 전자 사진 감광 부재와 같은 제1화상 보유 부재, 제1화상 보유 부재 상에 형성된 전사성 화상을 수용하기 위한 중간 전사 부재 및 중간 전사 부재로부터 전사 재료로 전사성 화상을 전사시키기 위한 접촉 전사 수단을 포함한다. 제1화상 보유 부재는 표면층의 유전율이 εd이고, 중간 전사 부재는 표면층의 유전율이 εITD이고, 접촉 전사 수단은 표면층의 유전율이 εTr이며, 이들은 관계식 εd≤εITD≤εTr을 만족한다. 중간 전사 부재는(1kV의 인가 전압에서) 106내지 1015ohm·㎝의 체적 저항률을 나타내고, 접촉 전사 수단은(1kV의 인가 집안에서) 108내지 1015ohm·㎝의 체적 저항률을 나타낸다. 그 결과, 일차 및 이차 전사 모두에 있어 넓은 전사 바이어스 인가 범위에 걸쳐 높은 전사 효율을 얻는 것이 가능하다.

Description

화상 형성 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시 태양에 따른 화상 형성 장치의 구성을 예시하기 위한 개략적인 단면도.
제5도는 본 발명의 제2실시 태양에 따른 레이저 프린터의 구성을 예시하기 위한 개략적인 단면도.
제7도는 본 발명의 하나의 실시 태양에 적합하게 사용된 중합 토너 입자의 개략적 단면도.

Claims (10)

  1. 제1화상 보유 부재, 제1화상 보유 부재 상에 형성된 전사성 화상을 수용하기 위한 중간 전사 부재 및 중간 전사 부재로부터 전사 재료로 전사성 화상을 전사시키기 위한 접촉 전사 수단으로 이루어지고, 제1화상 보유 부재는 표면층의 유전율이 εd이고, 중간 전사 부재는 표면층의 유전율이 εITD이고, 접촉 전사 수단은 표면층의 유전율이 εTr이며, 관계식 εd≤εITD≤εTr을 만족하고, 중간 전사 부재는(1kV의 인가 전압에서) 108내지 1015ohm·㎝의 체적 저항률을 나타내고, 접촉 전사 수단은(1kV의 인가 전압에서) 108내지 1015ohm·㎝의 체적 저항률을 나타내는 화상 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서, 제1화상 보유 부재 및 중간 전사부재가 제1화상 보유 부재로부터 중간 전자 부재로의 다색의 전사성 화상의 연속 전사 및 중간 전사 부재로부터 전자 재료로의 다색의 전사성 화상의 동시 전사에 적합한 것인 장치.
  3. 제1항에 있어서, 중간 전사 부재가 롤러 형태인 장치.
  4. 제1항에 있어서, 중간 전사 부재의 표면층이 이형층이고 탄성층 상에 배치된 것인 장치.
  5. 제1항에 있어서, 형상 계수 SF1이 100 내지 120이고 형상 계수 SF2가 100 내지 120인 실질적으로 구형의 비자성 현상제를 사용하는데 적합한 장치.
  6. 제1항에 있어서, 형성 계수 SF1이 140 내지 150이고 형상 계수 SF2가 120 내지 130인 자성 현상제를 사용하는데 적합한 장치.
  7. 제1항에 있어서, 제1화상 보유 부재가 저유전율의 오버코팅층으로 피복시킨 것인 장치.
  8. 제7항에 있어서, 오버 코팅층의 유전율이 3 이하인 장치.
  9. 제1항에 있어서, εd, εITD및 εTr이 관계식 εd＜εITD＜εTr을 만족하는 것인 장치.
  10. 제9항에 있어서, εd, εITD및 εTr이 관계식 εd+1≤εITD및 εITD+1≤εTr을 만족하는 것인 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960037666A 1995-09-01 1996-08-31 화상 형성 장치 KR100198170B1 (ko)

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