KR970013045A - 반도체소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 저장전극 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970013045A KR970013045A KR1019950026727A KR19950026727A KR970013045A KR 970013045 A KR970013045 A KR 970013045A KR 1019950026727 A KR1019950026727 A KR 1019950026727A KR 19950026727 A KR19950026727 A KR 19950026727A KR 970013045 A KR970013045 A KR 970013045A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- forming
- insulating
- titanium nitride
- spacer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/86—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions
- H01L28/88—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions made by patterning layers, e.g. by etching conductive layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 하부구조물이 형성된 반도체기판 상부에 제1절연막, 제2절연막 및 제3절연막을 형성하고 감광막패턴을 이용한 식각공정으로 제3절연막을 식각한 다음, 상기 제3절연막 식각면에 티타늄질화막 스페이서를 형성하고 상기 티타늄질화막 스페이서를 마스크로하여 식각선택비 차이를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성한 다음, 상기 티타늄질화막 스페이서를 제거하고 전체표면상부에 제1도전층과 PSG막을 형성한 다음, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 PSG 막과 제1도전층을 식각하고 제2도전층 스페이서를 형성한 다음, 상기 PSG막을 제거하여 포면적이 증가된 저장전극을 형성함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키며 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1H도는 본 발명에 의한 따른 반도체소자의 저장전극 형성방법에 설명하기 위한 단면도.
Claims (7)
- 반도체기판 상부에 하부구조물을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막 상부에 제2절연막과 제3절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제3절연막 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 제3절연막을 식각하는 공정과, 상기 제3절연막 식각면에 티타늄질화막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 티타늄질화막 스페이서를 마스크로하여 상기 콘택홀을 형성하는 동시에 상기 제1절연막 상부에 제2, 3절연막을 식각하는 공정과 상기 티타늄질막 스페이서를 제거하는 공정과, 전체표면상부에 제1도전층과 PSG막을 순타적으로 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 PSG 막과 제1도전층을 식각하는 공정과, 상기 PSG 막과 제1도전층의 식각면에 제2도전층 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 PSG 막을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 3절연막은 BPSG 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 TEOS 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄질화막 스페이서는 130℃에서 H2SO4: H2O2를 3 : 1로 하는 혼합용액으로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄질화막 스페이서는 티타늄 실리사이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제5항에 있어서, 상기 티타늄질화막 스페이서 제거공정은 100 : 1의 HF 용액으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 PSG 막은 8wt% 농도의 P2O5로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026727A KR970013045A (ko) | 1995-08-26 | 1995-08-26 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026727A KR970013045A (ko) | 1995-08-26 | 1995-08-26 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013045A true KR970013045A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66595214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950026727A KR970013045A (ko) | 1995-08-26 | 1995-08-26 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013045A (ko) |
-
1995
- 1995-08-26 KR KR1019950026727A patent/KR970013045A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940012650A (ko) | 반도체 소자의 콘택제조방법 | |
| KR940002940A (ko) | 반도체 접속장치 형성방법 | |
| KR100366634B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR970013045A (ko) | 반도체소자의 저장전극 형성방법 | |
| KR970052336A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR950021130A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| KR0166495B1 (ko) | 반도체소자의 저장전극 제조방법 | |
| KR0166029B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR0166492B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR940016878A (ko) | 반도체 소자의 자기정렬콘택 형성방법 | |
| KR970030817A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR20030001857A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026835A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026799A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970052203A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| KR960026793A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR19990003047A (ko) | 반도체소자의 커패시터 형성방법 | |
| KR19980030405A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960036071A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 | |
| KR970003635A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR980005476A (ko) | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 | |
| KR20020046681A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPS5953710B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR970067858A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970003983A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |