KR970012779A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치를 공개한다. 그 장치는 복수개의 비트라인들은 선택하기 위한 비트라인 선택트랜지스터들, 상기 비트라인 선택트랜지스터들에 의해서 선택된 비트라인들을 연결하기 위한 전송 트랜지스터, 상기 전송 트랜지스터에 의해서 연결된 비트라인을 제1선충전 신호에 의해서 선충전하기 위한 비트라인 선충전 회로, 및 상기 전송 트랜지스터에 의해서 연결된 비트라인을 제2선충전 신호에 의해서 선충전하기 위한 부가적인 비트라인 선충전 회로로 구성되어 있다. 따라서, 반도체 메모리 장치의 전체적인 동작속도에 영향을 미침이 없이 데이타 전송속도를 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 메모리 장치의 비트라인을 선충전하기 위한 회로를 나타내는 것이다.
Claims (2)
- 복수개의 비트라인들을 선택하기 위한 비트라인 선택 트랜지스터들; 상기 비트라인 선택트랜지스터들에 의해서 선택된 비트라인들을 연결하기 위한 전송 트랜지스터; 상기 전송 트랜지스터에 의해서 연결된 비트라인을 제1선충전 신호에 의해서 선충전하기 위한 비트라인 선충전 회로; 및 상기 전송 트랜지스터에 의해서 연결된 비트라인을 제2선충전 신호에 의해서 선충전하기 위한 부가적인 비트라인 선충전 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1선충전 신호에 의한 선충전 시간은 상기 제2선충전 신호에 의한 선충전 시간과 동일하며, 제1선충전 신호에 의한 선충전 기간이 제2선충전 신호에 의한 선충전 기간보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026285A KR970012779A (ko) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 반도체 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026285A KR970012779A (ko) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 반도체 메모리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970012779A true KR970012779A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66596114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950026285A KR970012779A (ko) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 반도체 메모리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970012779A (ko) |
-
1995
- 1995-08-24 KR KR1019950026285A patent/KR970012779A/ko not_active Application Discontinuation
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