KR840007296A - 반도체 기억장치 - Google Patents
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- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 반도체 기억장치의 부분 블럭회로도.
제2도는 제1도 장치의 동작을 설명하기 위한 파형도.
제3도는 본 발명의 1실시예에 의한 반도체기억장치의 부분블럭회로도.
Claims (3)
- 반도체기억장치에 있어서, 워어드라인, 한쌍의 비트라인, 상기 워어드라인과 상기 비트라인의 하나에 연결된 메모리셀, 기입동작(write operation)에 있어 데이타버스로부터 비트라인까지 데이타를 전송하기 위해 상기 비트라인 쌍과 상기 데이타버스쌍들 사이에 연결된 제전송수단, 및 비트라인의 전위(potential)를 실질적으로 변경함이 없이 판독동작(read operation)에 있어 비트라인으로부터 데이타버스까지 데이타를 전송하기 위해 상기 비트라인쌍과 상기 데이타 버스쌍들 사이에 연결된 제2전송수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
- 제1항에 있어서, 제2전송수단은 한쌍의 트랜지스터로 이루어지며 각각의 상기 트랜지스터는 비트라인쌍의 하나에 작동적으로 접속된 게이트를 갖추고 상기 비트라인쌍의 하나의 전위에 응하여 그의 전위를 제어하도록 대응하는 하나의 데이타버스쌍중 다른 것에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체기억 장치.
- 제1항에 있어서, 기입용 칼럼선택신호를 제공하기 위해 상기 제1전송수단에 작동적으로 접속된 제1수단과, 판독용 칼럼선택신호를 제공하기 위해 상기 제2전송수단에 작동적으로 접속된 제2수단을 다시 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
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JP???58-12987 | 1983-01-31 | ||
JP58012987A JPS59140692A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 半導体記憶装置 |
JP12987 | 1986-01-25 |
Publications (2)
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KR840007296A true KR840007296A (ko) | 1984-12-06 |
KR890002584B1 KR890002584B1 (ko) | 1989-07-19 |
Family
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Family Applications (1)
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KR1019840000385A KR890002584B1 (ko) | 1983-01-31 | 1984-01-28 | 반도체 기억장치 |
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