KR970023429A - 반도체 메모리소자의 비트라인 방전방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리소자에 관한 것으로, 특히 데이타 리드방식이 랜덤억세스인 메모리소자의 비트라인(BIT LINE) 방전방법에 관한 것으로, Y-프리디코더 제어신호의 역신호(inverse signal)를 메모리쎌에 인가하여 선택되지 아니한 비트라인을 방전시킴을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 센싱구간에서의 비트라인과 비트라인 간의 커플링을 막을 수 있으며, 비트라인 방전에 의한 속도지연을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 회로도.
Claims (1)
- 반도체메모리소자에서 비트라인을 방전시키기 위한 방법에 있어서, Y-프리디코더 제어신호의 역신호(inverse signal)를 메모리쎌에 인가하여 선택되지 아니한 비트라인을 방전시킴을 특징으로 반도체 메모리소자의 비트라인 방전방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039005A KR970023429A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 반도체 메모리소자의 비트라인 방전방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039005A KR970023429A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 반도체 메모리소자의 비트라인 방전방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023429A true KR970023429A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66586762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950039005A KR970023429A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 반도체 메모리소자의 비트라인 방전방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023429A (ko) |
-
1995
- 1995-10-31 KR KR1019950039005A patent/KR970023429A/ko not_active Application Discontinuation
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