KR970008669A - 집적 열싱크를 갖는 반도체소자 - Google Patents

집적 열싱크를 갖는 반도체소자 Download PDF

Info

Publication number
KR970008669A
KR970008669A KR1019960030314A KR19960030314A KR970008669A KR 970008669 A KR970008669 A KR 970008669A KR 1019960030314 A KR1019960030314 A KR 1019960030314A KR 19960030314 A KR19960030314 A KR 19960030314A KR 970008669 A KR970008669 A KR 970008669A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mesa
semiconductor device
emitter
metallization
substrate
Prior art date
Application number
KR1019960030314A
Other languages
English (en)
Inventor
씰뱅 들라쥬
씨몬느 까세뜨
에르베 블랑
에릭 샤르띠에
Original Assignee
쥬느비에프 뷔 땅
톰슨-시에스에프
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쥬느비에프 뷔 땅, 톰슨-시에스에프 filed Critical 쥬느비에프 뷔 땅
Publication of KR970008669A publication Critical patent/KR970008669A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92—Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5221—Crossover interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

전력 트랜지스터 일 수 있는 반도체소자는 메사구조 기본 바이폴라 트랜지스터를 구비한다. 이 소자는 두꺼운 금속 열 싱크로서 그의 부분(PI)이 브릿지 형태를 취하고 그의 부분(PⅡ)이 기판과 접촉하는 뚜거운 금속열 싱크를 갖는다. 브릿지의 다리부는 메사들에 의해 이루어진 전영역에 놓인다. 기판의 전면에 형성된 열싱크는 접지판을 구비하는 기판의 후면에 접속될 수도 있다. 따라서 열의 방출은 상당히 촉진된다.

Description

집적 열싱크를 갖는 반도체소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전력 트랜지스터의 기본 핑거의 단면도.

Claims (9)

  1. 전면(前面)인 기판의 제1면에 관해 엠보스된 메사라고 하는 영역을 하나 이상 갖고, 상기 영역은 실질적인 열방출원이며, 상기 메사와 전면은 패시베이션층(CP)으로 덮여 있는 반도체소자로서, -엠보스된 메사를 형성하는 유닛의 레벨에서 패시베이션층(CP)에 각부들이 놓여있는 브릿지 형상인 오버행 부분(PI)과. -상기 엠보스된 메사를 구성하는 영역을 제외한 기판의 상기 전면의 영역을 덮는 부분(PⅡ)으로 이루어진 두꺼운 금속 열 싱크를 구비하는 반도체소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판으로부터 베이스에 의해 형성된 제1메사와, 에미터에 의해 형성된 제2메사의 2개의 연속적인 메사를 각기 트랜지스터가 갖는 하나 이상의 병렬 접속된 트랜지스터를 구비하고, 상기 제1메사는 상기 에미터의 각 측부에 베이스 메탈라이제이션(mB)를 구비하고, 상기 제2메사는 에미터 메탈라이제이션(mE)를 구비하고, 상기 열 싱크의 오버행 부분(PI)은 상기 에미터 메탈라이제이션(mE) 및 베이스 메탈라이제이션(mB)에 의해 형성된 유닛의 레벨에서 상기 패시베이션층(CP)에 위치하며, 에미터 콘택트(CE)는 트랜지스터에 관해 오프셋인 반도체소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판으로부터 베이스에 의해 형성된 제1메사와, 에미터에 의해 형성된 제2메사의 2개의 연속적인 메사를 각 트랜지스ㅊ터가 갖는 하나 이상의 병렬 접속된 트랜지스터를 구비하고, 상기 제1메사는 상기 에미터의 각 측부에 베이스 메탈라이제이션(mB)를 구비하고, 상기 제2메사는 에미터 메탈라이제이션(mE)를 구비하고, 상기 열 싱크의 오버행 부분(PI)은상기 에미터 메탈라이제이션(mE) 및 베이스 메탈라이제이션(mB)에 의해 형성된 유닛상에 부분적으로 상기 패시베이션층(CP)에 및 부분적으로 에미터 메탈라이제이션(mE)에 위치하며, 에미터 콘택트(CE’)는 트랜지스터상에 직접 위치된 것인 반도체소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 부분(PⅡ)은 기판을 통하는 비어 홀에 의해 기판의 후면에 접속되고, 상기 후면은 금속 접지판을 갖는 것은 반도체소자.
  5. 제2항에 있어서, 상기 트랜지스터는 GaInP/GaAs형 이종접합 바이폴라 트랜지스터인 반도체소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 패시베이션층이 Sin, GaN, BN 혹은 SiC형인 반도체소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 열 싱크는 열 양전도체 금속으로 이루어지는 것인 반도체소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열 싱크의 두께는 약 10미크론인 것인 반도체소자.
  9. 제7항에 있어서, 상기 금속은 금 또는 구리인 것인 반도체소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960030314A 1995-07-25 1996-07-25 집적 열싱크를 갖는 반도체소자 KR970008669A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9508994A FR2737342B1 (fr) 1995-07-25 1995-07-25 Composant semiconducteur avec dissipateur thermique integre
FR95-08994 1995-07-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970008669A true KR970008669A (ko) 1997-02-24

Family

ID=9481335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960030314A KR970008669A (ko) 1995-07-25 1996-07-25 집적 열싱크를 갖는 반도체소자

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5719433A (ko)
EP (1) EP0756322B1 (ko)
JP (1) JPH0945704A (ko)
KR (1) KR970008669A (ko)
DE (1) DE69619604T2 (ko)
FR (1) FR2737342B1 (ko)
TW (1) TW317025B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447156B1 (ko) * 1997-02-18 2004-10-14 엘지전자 주식회사 디지탈패킷데이터의클럭및타이밍복구장치
KR100447155B1 (ko) * 1997-02-18 2004-10-14 엘지전자 주식회사 디지탈패킷데이터의클럭및타이밍복구장치
KR100447151B1 (ko) * 1996-12-31 2004-11-03 엘지전자 주식회사 디지탈패킷데이터의클럭및타이밍복구장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5949144A (en) * 1996-05-20 1999-09-07 Harris Corporation Pre-bond cavity air bridge
FR2764118B1 (fr) * 1997-05-30 2000-08-04 Thomson Csf Transistor bipolaire stabilise avec elements isolants electriques
US6051871A (en) * 1998-06-30 2000-04-18 The Whitaker Corporation Heterojunction bipolar transistor having improved heat dissipation
FR2793953B1 (fr) * 1999-05-21 2002-08-09 Thomson Csf Capacite thermique pour composant electronique fonctionnant en impulsions longues
US6376898B1 (en) * 1999-08-02 2002-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bipolar transistor layout with minimized area and improved heat dissipation
TW561799B (en) 1999-08-11 2003-11-11 Fujikura Ltd Chip assembly module of bump connection type using a multi-layer printed circuit substrate
FR2803102B1 (fr) * 1999-12-23 2002-03-22 Thomson Csf Transistor bipolaire a heterojonction a collecteur en haut et procede de realisation
SE520109C2 (sv) 2000-05-17 2003-05-27 Ericsson Telefon Ab L M Effekttransistorer för radiofrekvenser
US6527422B1 (en) * 2000-08-17 2003-03-04 Power Signal Technologies, Inc. Solid state light with solar shielded heatsink
KR100344103B1 (ko) * 2000-09-04 2002-07-24 에피밸리 주식회사 질화갈륨계 결정 보호막을 형성한 반도체 소자 및 그 제조방법
DE10133362A1 (de) * 2001-07-10 2003-01-30 Infineon Technologies Ag Transistorzelle
US20050124176A1 (en) * 2001-07-17 2005-06-09 Takashi Sugino Semiconductor device and method for fabricating the same and semiconductor device application system
KR20070028364A (ko) 2004-04-07 2007-03-12 팅기 테크놀러지스 프라이빗 리미티드 반도체 발광 다이오드상의 반사층 제조
US8916966B2 (en) * 2004-09-28 2014-12-23 Triquint Semiconductor, Inc. Integrated circuit including a heat dissipation structure
SG131803A1 (en) * 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
SG133432A1 (en) 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
SG140473A1 (en) 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
SG140512A1 (en) 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices
US8093713B2 (en) 2007-02-09 2012-01-10 Infineon Technologies Ag Module with silicon-based layer
DE102007009521B4 (de) 2007-02-27 2011-12-15 Infineon Technologies Ag Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
US10032690B2 (en) 2015-02-24 2018-07-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor structure including a thermally conductive, electrically insulating layer
US10319830B2 (en) * 2017-01-24 2019-06-11 Qualcomm Incorporated Heterojunction bipolar transistor power amplifier with backside thermal heatsink
FR3069704B1 (fr) 2017-07-27 2019-09-20 Thales Transistor a base metallique et comprenant des materiaux iii-v
US10332805B2 (en) * 2017-10-30 2019-06-25 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Semiconductor structure with strain reduction
CN112105141B (zh) * 2020-09-17 2021-12-31 湖南维胜科技电路板有限公司 一种多层pcb电路板及其打孔装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3631719A (en) * 1969-07-25 1972-01-04 Henri Charvier Fluid speed measuring system
FR2109513A5 (ko) * 1970-10-30 1972-05-26 Thomson Csf
US3956820A (en) * 1975-02-26 1976-05-18 Rca Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having a lead bonded to a surface thereof
JPS52116185A (en) * 1976-03-26 1977-09-29 Hitachi Ltd Mesa-type semiconductor laser
FR2388371A1 (fr) * 1977-04-20 1978-11-17 Thomson Csf Procede d'alignement, dans un photorepeteur, d'une plaquette semi-conductrice et des motifs a y projeter et photorepeteur mettant en oeuvre un tel procede
FR2507797A1 (fr) * 1981-06-16 1982-12-17 Inf Milit Spatiale Aeronaut Dispositif stabilise d'asservissement par tout ou rien a periode constante et dispositif d'alimentation electrique comportant un tel dispositif d'asservissement
FR2585183B1 (fr) * 1985-07-19 1987-10-09 Thomson Csf Procede de fabrication d'un detecteur d'image lumineuse et detecteur matriciel bidimensionnel obtenu par ce procede
FR2586859B1 (fr) * 1985-08-27 1987-11-20 Thomson Csf Procede de fabrication d'un transistor de commande pour ecran plat de visualisation et element de commande realise selon ce procede
FR2605442B1 (fr) * 1986-10-17 1988-12-09 Thomson Csf Ecran de visualisation electrooptique a transistors de commande et procede de realisation
US4800420A (en) * 1987-05-14 1989-01-24 Hughes Aircraft Company Two-terminal semiconductor diode arrangement
US4959705A (en) * 1988-10-17 1990-09-25 Ford Microelectronics, Inc. Three metal personalization of application specific monolithic microwave integrated circuit
JPH02220464A (ja) * 1989-02-22 1990-09-03 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH03252155A (ja) * 1990-02-28 1991-11-11 Narumi China Corp 半導体パッケージ
FR2659494B1 (fr) * 1990-03-09 1996-12-06 Thomson Composants Microondes Composant semiconducteur de puissance, dont la puce est montee a l'envers.
FR2667724B1 (fr) * 1990-10-09 1992-11-27 Thomson Csf Procede de realisation des metallisations d'electrodes d'un transistor.
FR2697945B1 (fr) * 1992-11-06 1995-01-06 Thomson Csf Procédé de gravure d'une hétérostructure de matériaux du groupe III-V.
EP0627124A1 (en) * 1992-12-22 1994-12-07 Hughes Aircraft Company Fet chip with heat-extracting bridge
JPH07111272A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Murata Mfg Co Ltd 電界効果トランジスタ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447151B1 (ko) * 1996-12-31 2004-11-03 엘지전자 주식회사 디지탈패킷데이터의클럭및타이밍복구장치
KR100447156B1 (ko) * 1997-02-18 2004-10-14 엘지전자 주식회사 디지탈패킷데이터의클럭및타이밍복구장치
KR100447155B1 (ko) * 1997-02-18 2004-10-14 엘지전자 주식회사 디지탈패킷데이터의클럭및타이밍복구장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE69619604D1 (de) 2002-04-11
EP0756322A1 (fr) 1997-01-29
DE69619604T2 (de) 2002-08-22
FR2737342B1 (fr) 1997-08-22
US5719433A (en) 1998-02-17
JPH0945704A (ja) 1997-02-14
FR2737342A1 (fr) 1997-01-31
TW317025B (ko) 1997-10-01
EP0756322B1 (fr) 2002-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970008669A (ko) 집적 열싱크를 갖는 반도체소자
KR970077228A (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치를 포함하는 구조물
TW200612495A (en) Epitaxial substrate and semiconductor element
KR950015757A (ko) 저 열 임피던스 집적 회로 및 그 제조 방법
DE59913715D1 (de) Hochspannungs-halbleiterbauelement
EP1077494A3 (en) Heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same
KR880005688A (ko) 헤테로 접합형 바이폴러트랜지스터
US6376867B1 (en) Heterojunction bipolar transistor with reduced thermal resistance
EP1220322A3 (en) High breakdown-voltage semiconductor device
US5279888A (en) Silicon carbide semiconductor apparatus
US11605599B2 (en) Semiconductor device having a thin semiconductor die
KR940008111A (ko) 역행 n웰 캐소드 쇼트키 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법
KR900012164A (ko) 집적 회로용 안전장치
KR970077390A (ko) 패드를 이용한 반도체 장치
JP2005507173A5 (ko)
JP2853288B2 (ja) 半導体装置
SE9403722L (sv) Halvledaranordning
KR960043228A (ko) 반도체집적회로장치 및 그 제조방법
KR870009453A (ko) 수지봉합형 반도체장치
JPS5745274A (en) Semiconductor device
WO2022172328A1 (ja) 半導体装置
SE9501385D0 (sv) Bipolar silicon-on-insulator transistor
KR970077724A (ko) 집적주입논리형 바이폴라 트랜지스터
JPH0618242B2 (ja) ハイブリツド集積回路
JP2502696B2 (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid