KR970008387A - 망간 산화물을 함유하는 슬러리(slurry) 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

슬러리는 연마입자의 주성분으로서 MnO2또는 다른 망간산화물을 함유한다. 더욱이, 이러한 망간 산화물 연마제를 사용하는 연마공정과 이러한 연마공정을 사용하는 반도체장치의 제조방법이 제공된다.

Description

망간 산화물을 함유하는 슬러리(slurry) 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 사용된 연마장치의 구성을 개략적으로 도시한 도.

Claims (20)

  1. 연마입자의 주성분으로서 MnO2를 함유하는 슬러리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연마입자가 MnO2로 구성되는 슬러리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 연마입자가 10㎛보다 작은 입자크기를 갖는 슬러리.
  4. 연마입자의 주성분으로서 MnO2를 함유하는 슬러리에 의해 대상물체를 연마하는 단계로 구성되는 연마방법.
  5. 기판상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층상에 요부를 형성하고, 상기 절연층상에 도전체층을 퇴적하여 상기 요부를 매립하여, 상기 절연층이 노출될때까지 상기 도전체층을 연마하는 단계로 구성되고, 상기 연마단계는 연마입자의 주성분으로서 MnO2를 함유하는 슬러리에 의해 행해지는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기판층을 산으로 세척하고, 상기 연마단계후에 행해지는 세척단계로 더 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 세척단계가 상기 산과 산화제의 혼합물에서 행해지는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 산이 HC1, HNO2, H2SO4및 HF로 이루어지는 군에서 선택되는 반도체장치의 제조방법.
  9. 망간 산화물을 함유하는 연마입자로 구성되는 슬러리.
  10. 제9항에 있어서, 상기 망간 산화물이 Mn2O3, Mn304및 그 혼합물을 포함하는 슬러리.
  11. 주성분으로서 MnO2를 함유하는 연마입자, 및 상기 연마입자를 분산시키는 용매로 구성되며, 상기 용매가 상기 연마입자의 표면상에 Mn2O3와 Mn3O4중 적어도 하나를 형성하도록 설정된 산화-환원전위와 pH를 갖는 슬러리.
  12. 절연재료를 망간 산화물의 연마입자로 연마하는 단계로 구성되는 절연재료를 연마시키는 연마방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 망간 산화물이 Mn2O3와 Mn3O4를포함하는 연마방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 연마단계를 MnO2가 Mn2O3또는 Mn3O4로 변화시키도록 설정된 산화-환원전위와 pH를 갖는 용매에서 행해지는 연마방법.
  15. 하부의 비절연층상에 절연층을 형성하고, 연마입자로서 망간 산화물을 함유하는 슬러리에 의해 상기 하부의 비절연층에 대하여 선택적으로 상기 절연층을 연마하는 단계로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 하부의 비절연층이 금속층으로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 하부의 비절연층이 반도체층으로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 망간 산화물이 Mn2O3, Mn3O4및 그 혼합물을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 망간 산화물이 MnO2로 구성되고, 산기 연마단계는 MnO2가 Mn2O3또는 Mn3O4로 변화시키도록 설정된 산화-환원전위와 pH를 갖는 용매에서 행해지는 반도체장치의 제조방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 하부의 비절연층이 분리홈통이 형성된 반도체기판이고, 상기 절연층의 형성단계는 상기 절연층을 형성하는 SiO2층이 상기 분리홈통을 매립하도록 행해지며, 상기 연마단계는 상기 반도체기판의 표면에서 상기 SiO2층의 선택적인 제거를 일으키고, 이것에 의해 상기 반도체기판의 표면의 노출시에 자발적으로 중지하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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