KR970008388A - 망간산화물을 함유하는 슬러리(slurry) 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

망간산화물을 함유하는 슬러리(slurry) 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

슬러리는 연마입자의 주성분으로서 MnO2또는 다른 망간 산화물을 함유한다. 더우기, 이러한 망간 산화물을 사용하는 연마공정과 연마공정을 사용하는 반도체장치의 제조방법이 제공된다.

Description

망간산화물을 함유하는 슬러리(slurry) 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 사용된 연마장치의 구성을 개략적으로 도시한 도.

Claims (17)

  1. MnO2의 연마입자, 상기 연마입자를 분산시키는 용매, 및 벤젠링을 포함하고 상기 용매에 첨가되는 첨가제로 구성되는 슬러리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 용매가 H20이고, 상기 첨가제가 프탈산 화합물로 구성되는 슬러리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 용매가 H20이고, 상기 첨가제가 안트라닐레이트와 안트라닐리산으로 구성되는 슬러리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 용매가 H20와 저급알콜로부터 선택되고 상기 첨가제가 프탈산과 벤조산으로부터 선택되는 슬러리.
  5. MnO2의 연마입자, 상기 연마입자를 분산시키는 H20용매, 및 상기 용매에 첨가되고 락트산과 락토즈로부터 선택되는 첨가제로 구성되는 슬러리.
  6. 슬러리에 의해 대상물체를 연마하는 단계로 구성되고, 상기 슬러리가 MnO2의 연마입자, 이 연마입자를 분산시키는 용매, 및 이 용매에 첨가되고 프탈산 칼륨, 프탈산 암모늄, 프탈산 벤조산, 안트라닐레이트, 안트라닐리산, 락트산 및 락토즈로 이루어지는 군에서 선택되는, 대상물체를 연마하는 연마방법.
  7. 절연층상에 비절연층을 형성하고, 이 절연층이 노출될때까지 비절연층을 연마하는 단계로 구성되고, 상기 연마단계는 슬러리에 의해 행해지며, 이 슬러리는 MnO2의 연마입자, 이 연마입자를 분산시키는 용매, 이 용매에 첨가되는 첨가제를 포함하고, 상기 용매는 프탈산 칼륨, 프탈산 암모늄, 프탈산, 벤조산, 안트라닐레이트, 안트라닐리산, 락트산, 및 락토즈로 이루어지는 군에서 선택되는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 비절연층이 도전체층으로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 비절연층이 반도체층으로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  10. 제1층상에 내화원소의 질화막을 형성하고, 상기 질화막에 제2층을 형성하며, 상기 질화막을 연마정지기로서 사용하면서 MnO2의 연마입자를 함유하는 슬러리에 의해 상기 제2층을 연마하는 단계로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2층이 도전체층으로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제2층이 절연층으로 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, SiO2와 Al2O3에서 선택되는 연마입자로 더 첨가된 상기의 슬러리를 사용함으로써, 상기 질화막을 연마하여 제거하는 단계로 더 구성되는 반도체장치의 제조방법.
  14. Si와 O를 함유하는 절연막을 연마하는 단계로 구성되고, 이 연마단계가 연마입자로서 MnO2입자를 함유하는 슬러리에 의해 행해지는 반도체장치의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 절연막이 Si-O-Si망상을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 연마단계가 상기 절연막상에 형성된 단차구조를 상기 슬러리에 의해 그 일부로서 평탄화하는 반도체장치의 제조방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 단차구조가 도전체 패턴을 더 포함하고, 상기 연마단계가 상기 절연막과 상기 도전체막 양쪽에 대해 동시에 행해지는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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