JP3495143B2 - 研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に半導体装置
の製造に関し、特に研磨工程を含む半導体装置の製造方
法に関する。
の製造に関し、特に研磨工程を含む半導体装置の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置、特に半導体集積回路では、
基板上に形成した絶縁層上に配線パターンを埋め込んだ
配線構造を多層積層した多層配線構造が一部に採用され
てきた。このような多層配線構造では、第１の、下層配
線構造上に、他の配線構造が形成されるため、各々の配
線構造は平坦な表面を有することが要求される。
基板上に形成した絶縁層上に配線パターンを埋め込んだ
配線構造を多層積層した多層配線構造が一部に採用され
てきた。このような多層配線構造では、第１の、下層配
線構造上に、他の配線構造が形成されるため、各々の配
線構造は平坦な表面を有することが要求される。
【０００３】そこで、従来より、多層配線構造を形成す
る場合には、絶縁層上にコンタクトホールあるいは配線
溝を形成し、かかる絶縁層上に、前記コンタクトホール
あるいは配線溝を埋めるように金属層を堆積し、次いで
かかる金属層を、前記絶縁層表面が露出するまで研磨に
より除去し、平坦な配線構造を形成することが行われて
いる。かかる配線構造は、上主面が平坦であるため、そ
の上に次の配線構造を容易に形成することができる。
る場合には、絶縁層上にコンタクトホールあるいは配線
溝を形成し、かかる絶縁層上に、前記コンタクトホール
あるいは配線溝を埋めるように金属層を堆積し、次いで
かかる金属層を、前記絶縁層表面が露出するまで研磨に
より除去し、平坦な配線構造を形成することが行われて
いる。かかる配線構造は、上主面が平坦であるため、そ
の上に次の配線構造を容易に形成することができる。
【０００４】以下、かかる研磨工程を含む従来の半導体
装置の製造方法を、ＭＯＳトランジスタの製造工程を例
に図１〜４を参照しながら説明する。図１（Ａ）を参照
するに、ＭＯＳトランジスタは例えばｐ型にドープされ
たＳｉ基板１上に、前記基板１上に形成されたフィール
ド酸化膜１ａが画成する活性領域１Ａに対応して形成さ
れる。より具体的には、ＭＯＳトランジスタは前記活性
領域１Ａ表面に形成されたｎ+ 型拡散領域１ｂと、前記
活性領域１Ａ表面上に、前記拡散領域１ｂからＭＯＳト
ランジスタのチャネル領域１ｄにより隔てられて形成さ
れた別の拡散領域１ｃと、前記チャネル領域１ｄ上に、
ゲート酸化膜（図示せず）を挟んで形成されたゲート電
極２とより構成され、前記ゲート電極２の側壁には側壁
絶縁膜２ａ，２ｂが形成される。また、前記拡散領域１
ｂおよび１ｃはそれぞれＭＯＳトランジスタのソース領
域およびドレイン領域として作用する。
装置の製造方法を、ＭＯＳトランジスタの製造工程を例
に図１〜４を参照しながら説明する。図１（Ａ）を参照
するに、ＭＯＳトランジスタは例えばｐ型にドープされ
たＳｉ基板１上に、前記基板１上に形成されたフィール
ド酸化膜１ａが画成する活性領域１Ａに対応して形成さ
れる。より具体的には、ＭＯＳトランジスタは前記活性
領域１Ａ表面に形成されたｎ+ 型拡散領域１ｂと、前記
活性領域１Ａ表面上に、前記拡散領域１ｂからＭＯＳト
ランジスタのチャネル領域１ｄにより隔てられて形成さ
れた別の拡散領域１ｃと、前記チャネル領域１ｄ上に、
ゲート酸化膜（図示せず）を挟んで形成されたゲート電
極２とより構成され、前記ゲート電極２の側壁には側壁
絶縁膜２ａ，２ｂが形成される。また、前記拡散領域１
ｂおよび１ｃはそれぞれＭＯＳトランジスタのソース領
域およびドレイン領域として作用する。
【０００５】図１（Ａ）の工程では、かかるＭＯＳトラ
ンジスタを埋め込むように、ＳｉＯ 2 よりなる層間絶縁
膜３が、例えばＣＶＤ法等により、典型的には５０ｎｍ
程度の厚さに堆積される。その結果、前記ゲート電極お
よび拡散領域１ｂ，１ｃは前記絶縁膜３により覆われ
る。ただし、図１（Ａ）に示すように、絶縁膜３の表面
は前記ゲート電極２に対応した凹凸を有する。
ンジスタを埋め込むように、ＳｉＯ 2 よりなる層間絶縁
膜３が、例えばＣＶＤ法等により、典型的には５０ｎｍ
程度の厚さに堆積される。その結果、前記ゲート電極お
よび拡散領域１ｂ，１ｃは前記絶縁膜３により覆われ
る。ただし、図１（Ａ）に示すように、絶縁膜３の表面
は前記ゲート電極２に対応した凹凸を有する。
【０００６】次に、図１（Ｂ）の工程で、前記絶縁膜３
の表面が一様に研磨され、その結果、絶縁膜３の面が平
坦化される。さらに、図２（Ｃ）の工程で、前記絶縁膜
３がレジスト（図示せず）を使ったフォトリソグラフィ
によりパターニングされ、その結果、前記絶縁膜３中
に、前記拡散領域１ｂに対応して、前記領域１ｂの表面
を露出するコンタクトホール３ａが形成される。さら
に、図２（Ｄ）の工程において、図２（Ｃ）の構造上
に、Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属あるいは合金よりなる導体
層４を、一様な厚さに、例えばＣＶＤ法により堆積す
る。その結果、前記導体層４は、前記コンタクトホール
３ａを埋め、前記コンタクトホールにおいて拡散領域１
ｂと電気的に接触する。先にも説明したように、図２
（Ｄ）の構造では、前記導体層４は前記コンタクトホー
ル３ａを埋めるため、導体層４表面上には前記コンタク
トホール３ａに対応して凹部４ａが現れる。換言する
と、前記導体層４の表面には凹凸が生じる。
の表面が一様に研磨され、その結果、絶縁膜３の面が平
坦化される。さらに、図２（Ｃ）の工程で、前記絶縁膜
３がレジスト（図示せず）を使ったフォトリソグラフィ
によりパターニングされ、その結果、前記絶縁膜３中
に、前記拡散領域１ｂに対応して、前記領域１ｂの表面
を露出するコンタクトホール３ａが形成される。さら
に、図２（Ｄ）の工程において、図２（Ｃ）の構造上
に、Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属あるいは合金よりなる導体
層４を、一様な厚さに、例えばＣＶＤ法により堆積す
る。その結果、前記導体層４は、前記コンタクトホール
３ａを埋め、前記コンタクトホールにおいて拡散領域１
ｂと電気的に接触する。先にも説明したように、図２
（Ｄ）の構造では、前記導体層４は前記コンタクトホー
ル３ａを埋めるため、導体層４表面上には前記コンタク
トホール３ａに対応して凹部４ａが現れる。換言する
と、前記導体層４の表面には凹凸が生じる。
【０００７】そこで、図３（Ｅ）の工程において、前記
導体層４が一様に研磨され、図３（Ｅ）に示すように絶
縁膜３の表面が平坦な構造が得られる。かかる導体層４
の研磨は導体層４を構成する金属に対して選択的に作用
し、前記絶縁膜３の上主面が露出した段階で停止する。
その結果、前記コンタクトホール３ａを埋めるように、
前記拡散領域１ｂに接触する導体プラグ４ｂが形成され
る。研磨による平坦化の結果、前記導体プラグ４ｂの上
主面は前記絶縁膜３の上主面と一致する。
導体層４が一様に研磨され、図３（Ｅ）に示すように絶
縁膜３の表面が平坦な構造が得られる。かかる導体層４
の研磨は導体層４を構成する金属に対して選択的に作用
し、前記絶縁膜３の上主面が露出した段階で停止する。
その結果、前記コンタクトホール３ａを埋めるように、
前記拡散領域１ｂに接触する導体プラグ４ｂが形成され
る。研磨による平坦化の結果、前記導体プラグ４ｂの上
主面は前記絶縁膜３の上主面と一致する。
【０００８】次に、図３（Ｆ）の工程において、前記平
坦化された図３（Ｆ）の構造上に、ＳｉＯ2 等よりなる
別の絶縁膜５が堆積され、図４（Ｇ）の工程でフォトリ
ソグラフィによりパターニングされ、前記導体プラグ４
ｂを露出する溝５ａが形成される。さらに、図４（Ｈ）
の工程において、Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属あるいは合金
よりなる別の導体層６が、前記図４（Ｇ）の構造上に堆
積され、その結果前記溝５ａに対応して導体層６には凹
部６ａが、図４（Ｈ）に示すように形成される。
坦化された図３（Ｆ）の構造上に、ＳｉＯ2 等よりなる
別の絶縁膜５が堆積され、図４（Ｇ）の工程でフォトリ
ソグラフィによりパターニングされ、前記導体プラグ４
ｂを露出する溝５ａが形成される。さらに、図４（Ｈ）
の工程において、Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属あるいは合金
よりなる別の導体層６が、前記図４（Ｇ）の構造上に堆
積され、その結果前記溝５ａに対応して導体層６には凹
部６ａが、図４（Ｈ）に示すように形成される。
【０００９】さらに、図５（Ｉ）の工程において、前記
導体層６を研磨し、図５（Ｉ）に示す平坦化された構造
が得られる。図５（Ｉ）の構造では、前記絶縁膜５中の
溝を前記導体層６の一部をなす導体パターニング６ｂが
埋める。さらに、かかる構造上に、図５（Ｉ）の工程
で、さらに別の絶縁層７を堆積する。かかる構造では、
絶縁層７上に、必要に応じて様々な配線パターンを形成
することができる。
導体層６を研磨し、図５（Ｉ）に示す平坦化された構造
が得られる。図５（Ｉ）の構造では、前記絶縁膜５中の
溝を前記導体層６の一部をなす導体パターニング６ｂが
埋める。さらに、かかる構造上に、図５（Ｉ）の工程
で、さらに別の絶縁層７を堆積する。かかる構造では、
絶縁層７上に、必要に応じて様々な配線パターンを形成
することができる。
【００１０】かかる従来の半導体装置の製造工程におい
て、図３（Ｅ）あるいは図５（Ｉ）における導体層４あ
るいは６の研磨工程は、α−Ａｌ2 Ｏ3 よりなる砥粒を
Ｈ2Ｏ2 等よりなる液体酸化剤との混合物よるなる研磨
剤を使い、ウレタン樹脂等の研磨布上において実行され
ていた。
て、図３（Ｅ）あるいは図５（Ｉ）における導体層４あ
るいは６の研磨工程は、α−Ａｌ2 Ｏ3 よりなる砥粒を
Ｈ2Ｏ2 等よりなる液体酸化剤との混合物よるなる研磨
剤を使い、ウレタン樹脂等の研磨布上において実行され
ていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような酸
化剤を含んだ研磨剤をＷ等の導体層の研磨に使用する
と、酸化剤が前記導体層凹部、例えば凹部４ａを埋める
導体層４中に、前記導体層４の堆積時に形成される継ぎ
目ないしシーム４ｃに沿って侵入してしまい、その結
果、かかる酸化剤の存在下で実行される研磨工程によ
り、前記シーム４ｃが、図６（Ａ）に示す状態から図６
（Ｂ）に示す状態へと、酸化剤のエッチング作用により
拡大してしまう問題が発生する。すなわち、導体プラグ
４ｂの中央部には前記拡大したシーム４ｃに対応して大
きくまた深い凹部が形成されてしまい、コンタクトホー
ル３ａにおける拡散領域１ｂと導体パターン６ｂとの接
触が不確実になってしまう問題点が生じる。かかる導体
プラグ研磨時に形成される凹部は、特にコンタクトホー
ル３ａの大きさが０．５μｍあるいはそれ以下の高い集
積密度を有する半導体装置および集積回路において、特
に深刻な信頼性の低下をもたらす。
化剤を含んだ研磨剤をＷ等の導体層の研磨に使用する
と、酸化剤が前記導体層凹部、例えば凹部４ａを埋める
導体層４中に、前記導体層４の堆積時に形成される継ぎ
目ないしシーム４ｃに沿って侵入してしまい、その結
果、かかる酸化剤の存在下で実行される研磨工程によ
り、前記シーム４ｃが、図６（Ａ）に示す状態から図６
（Ｂ）に示す状態へと、酸化剤のエッチング作用により
拡大してしまう問題が発生する。すなわち、導体プラグ
４ｂの中央部には前記拡大したシーム４ｃに対応して大
きくまた深い凹部が形成されてしまい、コンタクトホー
ル３ａにおける拡散領域１ｂと導体パターン６ｂとの接
触が不確実になってしまう問題点が生じる。かかる導体
プラグ研磨時に形成される凹部は、特にコンタクトホー
ル３ａの大きさが０．５μｍあるいはそれ以下の高い集
積密度を有する半導体装置および集積回路において、特
に深刻な信頼性の低下をもたらす。
【００１２】この問題点を解決するため、本発明の出願
人は、先に固体酸化剤として作用するＭｎＯ2 を砥粒と
して有する研磨剤、およびかかる研磨剤を使った半導体
装置の製造方法を提案した。かかるＭｎＯ2 を使った研
磨剤では、Ｈ2 Ｏ2 のような液体酸化剤を使わないた
め、コンタクトホール中のシームが酸化されることがな
く、このため研磨を行ってもシームが侵食されることが
ない。
人は、先に固体酸化剤として作用するＭｎＯ2 を砥粒と
して有する研磨剤、およびかかる研磨剤を使った半導体
装置の製造方法を提案した。かかるＭｎＯ2 を使った研
磨剤では、Ｈ2 Ｏ2 のような液体酸化剤を使わないた
め、コンタクトホール中のシームが酸化されることがな
く、このため研磨を行ってもシームが侵食されることが
ない。
【００１３】一方、このようなＭｎＯ2 を使った研磨剤
では、特にＳｉＯ2 膜上に堆積したＷ層を研磨する際に
おける、下地のＳｉＯ2 に対するＷの研磨の選択性、換
言すると、ＳｉＯ2 の研磨速度に対するＷの研磨速度の
比が２倍程度であるため、ＳｉＯ2 が効果的な研磨スト
ッパとして作用しない問題点があった。
では、特にＳｉＯ2 膜上に堆積したＷ層を研磨する際に
おける、下地のＳｉＯ2 に対するＷの研磨の選択性、換
言すると、ＳｉＯ2 の研磨速度に対するＷの研磨速度の
比が２倍程度であるため、ＳｉＯ2 が効果的な研磨スト
ッパとして作用しない問題点があった。
【００１４】そこで、本発明は、上記の課題を解決した
新規で有用な研磨剤、かかる研磨剤を使った研磨方法お
よび半導体装置の製造方法を提供することを概括的目的
とする。本発明のより具体的な目的は、研磨される金属
材料の侵食を抑止でき、しかも絶縁膜に対して高い選択
性を示す研磨剤、かかる研磨剤を使った研磨方法および
半導体装置の製造方法を提供することにある。
新規で有用な研磨剤、かかる研磨剤を使った研磨方法お
よび半導体装置の製造方法を提供することを概括的目的
とする。本発明のより具体的な目的は、研磨される金属
材料の侵食を抑止でき、しかも絶縁膜に対して高い選択
性を示す研磨剤、かかる研磨剤を使った研磨方法および
半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１５】本発明のさらにより具体的な目的は、Ｍｎ
Ｏ2 よりなる砥粒を含み、Ｗに対して選択的に作用する
研磨剤、かかる研磨剤を使った研磨方法および半導体装
置の製造方法を提供することにある。
Ｏ2 よりなる砥粒を含み、Ｗに対して選択的に作用する
研磨剤、かかる研磨剤を使った研磨方法および半導体装
置の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を、
請求項１に記載したように、ＭｎＯ ２ よりなる砥粒と、
溶媒と、添加剤とよりなる研磨剤において、前記溶媒は
Ｈ ２ Ｏであり、前記添加剤はフタル酸カリウム，フタル
酸アンモニウム，アントラニル酸、乳酸，ラクトース，
およびＢａＳＯ ４ のいずれかであることを特徴とする研
磨剤により、または請求項２に記載したように、ＭｎＯ
２ よりなる砥粒と、溶媒と、添加剤とよりなる研磨剤に
おいて、前記溶媒はＨ ２ Ｏまたは低級アルコールであ
り、前記添加剤はフタル酸または安息香酸であることを
特徴とする研磨剤により、または請求項３に記載したよ
うに、ＭｎＯ ２ よりなる砥粒を、溶媒と共に、フタル酸
カリウム，フタル酸アンモニウム，フタル酸，安息香
酸，アントラニル酸、乳酸，ラクトース，およびＢａＳ
Ｏ ４ より選ばれる化合物よりなる添加剤と組み合わせて
使うことを特徴とする研磨方法により、または請求項４
に記載したように、ＭｎＯ ２ よりなる砥粒を、溶媒と共
に、フタル酸カリウム，フタル酸アンモニウム，フタル
酸，安息香酸，アントラニル酸、乳酸，ラクトース，お
よびＢａＳＯ ４ より選ばれる化合物よりなる添加剤と組
み合わせて、絶縁膜上の金属を研磨することを特徴とす
る半導体装置の製造方法により解決する。
請求項１に記載したように、ＭｎＯ ２ よりなる砥粒と、
溶媒と、添加剤とよりなる研磨剤において、前記溶媒は
Ｈ ２ Ｏであり、前記添加剤はフタル酸カリウム，フタル
酸アンモニウム，アントラニル酸、乳酸，ラクトース，
およびＢａＳＯ ４ のいずれかであることを特徴とする研
磨剤により、または請求項２に記載したように、ＭｎＯ
２ よりなる砥粒と、溶媒と、添加剤とよりなる研磨剤に
おいて、前記溶媒はＨ ２ Ｏまたは低級アルコールであ
り、前記添加剤はフタル酸または安息香酸であることを
特徴とする研磨剤により、または請求項３に記載したよ
うに、ＭｎＯ ２ よりなる砥粒を、溶媒と共に、フタル酸
カリウム，フタル酸アンモニウム，フタル酸，安息香
酸，アントラニル酸、乳酸，ラクトース，およびＢａＳ
Ｏ ４ より選ばれる化合物よりなる添加剤と組み合わせて
使うことを特徴とする研磨方法により、または請求項４
に記載したように、ＭｎＯ ２ よりなる砥粒を、溶媒と共
に、フタル酸カリウム，フタル酸アンモニウム，フタル
酸，安息香酸，アントラニル酸、乳酸，ラクトース，お
よびＢａＳＯ ４ より選ばれる化合物よりなる添加剤と組
み合わせて、絶縁膜上の金属を研磨することを特徴とす
る半導体装置の製造方法により解決する。
【００１７】 請求項１〜４記載の本発明の特徴によれ
ば、ＭｎＯ２よりなる砥粒を、溶媒と共に、フタル酸カ
リウム，フタル酸アンモニウム，フタル酸，安息香酸，
アントラニル酸等のベンゼン環を有する添加剤、あるい
は乳酸，ラクトース，およびＢａＳＯ４より選ばれる化
合物よりなる添加剤と組み合わせて使うことにより、そ
の機構は解明されていないが、Ｗの研磨速度とＳｉＯ２
の研磨速度との間に２０以上の選択比を実現できること
が発見された。換言すると、本発明の砥粒を使うことに
より、Ｗの研磨を行った場合にＳｉＯ２を効果的な研磨
ストッパとして使うことができる。
ば、ＭｎＯ２よりなる砥粒を、溶媒と共に、フタル酸カ
リウム，フタル酸アンモニウム，フタル酸，安息香酸，
アントラニル酸等のベンゼン環を有する添加剤、あるい
は乳酸，ラクトース，およびＢａＳＯ４より選ばれる化
合物よりなる添加剤と組み合わせて使うことにより、そ
の機構は解明されていないが、Ｗの研磨速度とＳｉＯ２
の研磨速度との間に２０以上の選択比を実現できること
が発見された。換言すると、本発明の砥粒を使うことに
より、Ｗの研磨を行った場合にＳｉＯ２を効果的な研磨
ストッパとして使うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施例
を、半導体装置の製造に適用した場合につき、実験例に
もとづいて説明する。
を、半導体装置の製造に適用した場合につき、実験例に
もとづいて説明する。
【００１９】
【実施例】実験例１
本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはフタル酸カリウムを使い、研
磨剤中におけるフタル酸カリウムの割合を１０ｗｔ％に
なるように調整した。
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはフタル酸カリウムを使い、研
磨剤中におけるフタル酸カリウムの割合を１０ｗｔ％に
なるように調整した。
【００２０】かかる組成の研磨剤を使って基板上に形成
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例２ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはフタル酸アンモニウムを使
い、研磨剤中におけるフタル酸カリウムの割合を１０ｗ
ｔ％になるように調整した。
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例２ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはフタル酸アンモニウムを使
い、研磨剤中におけるフタル酸カリウムの割合を１０ｗ
ｔ％になるように調整した。
【００２１】かかる組成の研磨剤を使って基板上に形成
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例３ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏまたは低級アルコールを使い、
研磨剤の組成を、研磨剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１
０ｗｔ％になるように調整した。添加剤としてはフタル
酸を使い、研磨剤中におけるフタル酸の割合を１０ｗｔ
％になるように調整した。
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例３ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏまたは低級アルコールを使い、
研磨剤の組成を、研磨剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１
０ｗｔ％になるように調整した。添加剤としてはフタル
酸を使い、研磨剤中におけるフタル酸の割合を１０ｗｔ
％になるように調整した。
【００２２】かかる組成の研磨剤を使って基板上に形成
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例４ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏまたは低級アルコールを使い、
研磨剤の組成を、研磨剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１
０ｗｔ％になるように調整した。添加剤としては安息香
酸を使い、研磨剤中における安息香酸の割合を１０ｗｔ
％になるように調整した。
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例４ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏまたは低級アルコールを使い、
研磨剤の組成を、研磨剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１
０ｗｔ％になるように調整した。添加剤としては安息香
酸を使い、研磨剤中における安息香酸の割合を１０ｗｔ
％になるように調整した。
【００２３】かかる組成の研磨剤を使って基板上に形成
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例５ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはアントラニル酸を使い、研磨
剤中におけるアントラニル酸の割合を１０ｗｔ％になる
ように調整した。
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例５ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはアントラニル酸を使い、研磨
剤中におけるアントラニル酸の割合を１０ｗｔ％になる
ように調整した。
【００２４】かかる組成の研磨剤を使って基板上に形成
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例６ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはアントラニル酸を使い、研磨
剤中におけるアントラニル酸の割合を１０ｗｔ％になる
ように調整した。
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例６ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはアントラニル酸を使い、研磨
剤中におけるアントラニル酸の割合を１０ｗｔ％になる
ように調整した。
【００２５】かかる組成の研磨剤を使って基板上に形成
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例７ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としては乳酸を使い、研磨剤中におけ
る乳酸の割合を１０ｗｔ％になるように調整した。
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例７ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としては乳酸を使い、研磨剤中におけ
る乳酸の割合を１０ｗｔ％になるように調整した。
【００２６】かかる組成の研磨剤を使って基板上に形成
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例８ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはラクト−スを使い、研磨剤中
におけるラクト−スの割合を１０ｗｔ％になるように調
整した。
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例８ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはラクト−スを使い、研磨剤中
におけるラクト−スの割合を１０ｗｔ％になるように調
整した。
【００２７】かかる組成の研磨剤を使って基板上に形成
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例９ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはＢａＳＯ4 を使い、研磨剤中
におけるＢａＳＯ4 の割合を１０ｗｔ％になるように調
整した。
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。実験例９ 本実験例では、平均粒径が１．０μｍのＭｎＯ2 よりな
る砥粒と、溶媒と、添加剤とを混合して研磨剤を形成し
た。溶媒としてはＨ2 Ｏを使い、研磨剤の組成を、研磨
剤中におけるＭｎＯ2 の割合が１０ｗｔ％になるように
調整した。添加剤としてはＢａＳＯ4 を使い、研磨剤中
におけるＢａＳＯ4 の割合を１０ｗｔ％になるように調
整した。
【００２８】かかる組成の研磨剤を使って基板上に形成
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。次に、本発明の研磨剤を使っ
た半導体装置の製造工程を、ＭＯＳトランジスタの製造
工程を例に、先に従来の技術に関連して説明した図１〜
５を参照しながら説明する。
されたＷ層およびＳｉＯ2 層をそれぞれ研磨したとこ
ろ、Ｗの研磨速度がＳｉＯ2 の研磨速度の２０倍以上に
なることが見いだされた。次に、本発明の研磨剤を使っ
た半導体装置の製造工程を、ＭＯＳトランジスタの製造
工程を例に、先に従来の技術に関連して説明した図１〜
５を参照しながら説明する。
【００２９】図１（Ａ）を参照するに、ＭＯＳトランジ
スタは例えばｐ型にドープされたＳｉ基板１上に、前記
基板１上に形成されたフィールド酸化膜１ａが画成する
活性領域１Ａに対応して形成される。より具体的には、
ＭＯＳトランジスタは前記活性領域１Ａ表面に形成され
たｎ+ 型拡散領域１ｂと、前記活性領域１Ａ表面上に、
前記拡散領域１ｂからＭＯＳトランジスタのチャネル領
域１ｄにより隔てられて形成された別の拡散領域１ｃ
と、前記チャネル領域１ｄ上に、ゲート酸化膜（図示せ
ず）を挟んで形成されたゲート電極２とより構成され、
前記ゲート電極２の側壁には側壁絶縁膜２ａ，２ｂが形
成される。また、前記拡散領域１ｂおよび１ｃはそれぞ
れＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域
として作用する。
スタは例えばｐ型にドープされたＳｉ基板１上に、前記
基板１上に形成されたフィールド酸化膜１ａが画成する
活性領域１Ａに対応して形成される。より具体的には、
ＭＯＳトランジスタは前記活性領域１Ａ表面に形成され
たｎ+ 型拡散領域１ｂと、前記活性領域１Ａ表面上に、
前記拡散領域１ｂからＭＯＳトランジスタのチャネル領
域１ｄにより隔てられて形成された別の拡散領域１ｃ
と、前記チャネル領域１ｄ上に、ゲート酸化膜（図示せ
ず）を挟んで形成されたゲート電極２とより構成され、
前記ゲート電極２の側壁には側壁絶縁膜２ａ，２ｂが形
成される。また、前記拡散領域１ｂおよび１ｃはそれぞ
れＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域
として作用する。
【００３０】図１（Ａ）の工程では、かかるＭＯＳトラ
ンジスタを埋め込むように、ＳｉＯ 2 よりなる層間絶縁
膜３が、例えばＣＶＤ法等により、典型的には５０ｎｍ
程度の厚さに堆積される。その結果、前記ゲート電極お
よび拡散領域１ｂ，１ｃは前記絶縁膜３により覆われ
る。ただし、図１（Ａ）に示すように、絶縁膜３の表面
は前記ゲート電極２に対応した凹凸を有する。
ンジスタを埋め込むように、ＳｉＯ 2 よりなる層間絶縁
膜３が、例えばＣＶＤ法等により、典型的には５０ｎｍ
程度の厚さに堆積される。その結果、前記ゲート電極お
よび拡散領域１ｂ，１ｃは前記絶縁膜３により覆われ
る。ただし、図１（Ａ）に示すように、絶縁膜３の表面
は前記ゲート電極２に対応した凹凸を有する。
【００３１】次に、図１（Ｂ）の工程で、前記絶縁膜３
の表面が一様に研磨され、その結果、絶縁膜３の面が平
坦化される。この工程では、公知の適当な研磨剤を使え
ばよい。さらに、図２（Ｃ）の工程で、前記絶縁膜３が
レジスト（図示せず）を使ったフォトリソグラフィによ
りパターニングされ、その結果、前記絶縁膜３中に、前
記拡散領域１ｂに対応して、前記領域１ｂの表面を露出
するコンタクトホール３ａが形成される。さらに、図２
（Ｄ）の工程において、図２（Ｃ）の構造上に、Ｗ，Ａ
ｌ，Ｃｕ等の金属あるいは合金よりなる導体層４を、一
様な厚さに、例えばＣＶＤ法により堆積する。その結
果、前記導体層４は、前記コンタクトホール３ａを埋
め、前記コンタクトホールにおいて拡散領域１ｂと電気
的に接触する。先にも説明したように、図２（Ｄ）の構
造では、前記導体層４は前記コンタクトホール３ａを埋
めるため、導体層４表面上には前記コンタクトホール３
ａに対応して凹部４ａが現れる。換言すると、前記導体
層４の表面には凹凸が生じる。
の表面が一様に研磨され、その結果、絶縁膜３の面が平
坦化される。この工程では、公知の適当な研磨剤を使え
ばよい。さらに、図２（Ｃ）の工程で、前記絶縁膜３が
レジスト（図示せず）を使ったフォトリソグラフィによ
りパターニングされ、その結果、前記絶縁膜３中に、前
記拡散領域１ｂに対応して、前記領域１ｂの表面を露出
するコンタクトホール３ａが形成される。さらに、図２
（Ｄ）の工程において、図２（Ｃ）の構造上に、Ｗ，Ａ
ｌ，Ｃｕ等の金属あるいは合金よりなる導体層４を、一
様な厚さに、例えばＣＶＤ法により堆積する。その結
果、前記導体層４は、前記コンタクトホール３ａを埋
め、前記コンタクトホールにおいて拡散領域１ｂと電気
的に接触する。先にも説明したように、図２（Ｄ）の構
造では、前記導体層４は前記コンタクトホール３ａを埋
めるため、導体層４表面上には前記コンタクトホール３
ａに対応して凹部４ａが現れる。換言すると、前記導体
層４の表面には凹凸が生じる。
【００３２】そこで、本実施例においては、図３（Ｅ）
の工程において、前記第１〜第９の実験例のいずれかに
記載した研磨剤を使って前記導体層４を一様に研磨し、
図３（Ｅ）に示す絶縁膜３の表面が平坦化された構造を
得る。本発明による研磨剤は導体層４を構成するＷ層に
対して選択的に作用し、研磨は前記絶縁膜３の上主面が
露出した段階で自発的に停止する。その結果、前記コン
タクトホール３ａを埋めるように、前記拡散領域１ｂに
接触する導体プラグ４ｂが形成される。かかる研磨によ
る平坦化の結果、前記導体プラグ４ｂの上主面は前記絶
縁膜３の上主面と一致する。本発明の研磨剤では砥粒と
して含まれるＭｎＯ2 が固体酸化剤として作用するため
に、研磨は砥粒が実際に作用する導体プラグ４ｂの表面
に限定され、導体プラグ４ｂ中のシーム４ｃが研磨に際
して侵食されることはない。
の工程において、前記第１〜第９の実験例のいずれかに
記載した研磨剤を使って前記導体層４を一様に研磨し、
図３（Ｅ）に示す絶縁膜３の表面が平坦化された構造を
得る。本発明による研磨剤は導体層４を構成するＷ層に
対して選択的に作用し、研磨は前記絶縁膜３の上主面が
露出した段階で自発的に停止する。その結果、前記コン
タクトホール３ａを埋めるように、前記拡散領域１ｂに
接触する導体プラグ４ｂが形成される。かかる研磨によ
る平坦化の結果、前記導体プラグ４ｂの上主面は前記絶
縁膜３の上主面と一致する。本発明の研磨剤では砥粒と
して含まれるＭｎＯ2 が固体酸化剤として作用するため
に、研磨は砥粒が実際に作用する導体プラグ４ｂの表面
に限定され、導体プラグ４ｂ中のシーム４ｃが研磨に際
して侵食されることはない。
【００３３】次に、図３（Ｆ）の工程において、前記平
坦化された図３（Ｆ）の構造上に、ＳｉＯ2 等よりなる
別の絶縁膜５が堆積され、図４（Ｇ）の工程でフォトリ
ソグラフィによりパターニングされ、前記導体プラグ４
ｂを露出する溝５ａが形成される。さらに、図４（Ｈ）
の工程において、Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属あるいは合金
よりなる別の導体層６が、前記図４（Ｇ）の構造上に堆
積され、その結果前記溝５ａに対応して導体層６には凹
部６ａが、図４（Ｈ）に示すように形成される。
坦化された図３（Ｆ）の構造上に、ＳｉＯ2 等よりなる
別の絶縁膜５が堆積され、図４（Ｇ）の工程でフォトリ
ソグラフィによりパターニングされ、前記導体プラグ４
ｂを露出する溝５ａが形成される。さらに、図４（Ｈ）
の工程において、Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属あるいは合金
よりなる別の導体層６が、前記図４（Ｇ）の構造上に堆
積され、その結果前記溝５ａに対応して導体層６には凹
部６ａが、図４（Ｈ）に示すように形成される。
【００３４】さらに、図５（Ｉ）の工程において、前記
導体層６を、図３（Ｅ）の工程と同様に、第１〜第９の
実験例のいずれかに示す研磨剤により研磨し、図５
（Ｉ）に示す平坦化された構造が得られる。図５（Ｉ）
の構造では、前記絶縁膜５中の溝を前記導体層６の一部
をなす導体パターニング６ｂが埋める。さらに、かかる
構造上に、図５（Ｉ）の工程で、さらに別の絶縁層７を
堆積し、絶縁層７上に、必要に応じて様々な配線パター
ンを形成する。
導体層６を、図３（Ｅ）の工程と同様に、第１〜第９の
実験例のいずれかに示す研磨剤により研磨し、図５
（Ｉ）に示す平坦化された構造が得られる。図５（Ｉ）
の構造では、前記絶縁膜５中の溝を前記導体層６の一部
をなす導体パターニング６ｂが埋める。さらに、かかる
構造上に、図５（Ｉ）の工程で、さらに別の絶縁層７を
堆積し、絶縁層７上に、必要に応じて様々な配線パター
ンを形成する。
【００３５】かかる半導体装置の製造方法においては、
図３（Ｅ）あるいは図５（Ｉ）の研磨工程において平坦
性のすぐれた構造を得ることができ、また絶縁層中を延
在する導体プラグが研磨剤により侵食されないため、多
層配線構造を容易にかつ確実に形成することができる。
図３（Ｅ）あるいは図５（Ｉ）の研磨工程において平坦
性のすぐれた構造を得ることができ、また絶縁層中を延
在する導体プラグが研磨剤により侵食されないため、多
層配線構造を容易にかつ確実に形成することができる。
【００３６】なお、上記実施例ではＳｉＯ2 上のＷの研
磨について詳述したが、本発明は他の絶縁膜上の金属の
研磨についても有効である。他の絶縁膜としては、ＰＳ
Ｇ，ＢＰＳＧ，ＳｉＮ等が含まれ、また本発明が適用で
きる金属には、さらにＡｌ，Ｃｕ，Ｔｉ等の高融点金属
が含まれる。
磨について詳述したが、本発明は他の絶縁膜上の金属の
研磨についても有効である。他の絶縁膜としては、ＰＳ
Ｇ，ＢＰＳＧ，ＳｉＮ等が含まれ、また本発明が適用で
きる金属には、さらにＡｌ，Ｃｕ，Ｔｉ等の高融点金属
が含まれる。
【００３７】
【発明の効果】請求項１，２記載の本発明の特徴によれ
ば、シーム等の欠陥部を侵食することがなく、ＷとＳｉ
Ｏ２との間における研磨の選択比が非常に大きい研磨剤
が得られる。
ば、シーム等の欠陥部を侵食することがなく、ＷとＳｉ
Ｏ２との間における研磨の選択比が非常に大きい研磨剤
が得られる。
【００３８】 請求項３および４記載の本発明の特徴に
よれば、研磨工程を含む半導体装置の製造方法におい
て、平坦性のすぐれた構造を得ることができ、また絶縁
層中を延在する導体プラグが研磨剤により侵食されない
ため、信頼性の高い多層配線構造を、容易にかつ確実に
形成することができる。
よれば、研磨工程を含む半導体装置の製造方法におい
て、平坦性のすぐれた構造を得ることができ、また絶縁
層中を延在する導体プラグが研磨剤により侵食されない
ため、信頼性の高い多層配線構造を、容易にかつ確実に
形成することができる。
【図１】（Ａ），（Ｂ）は従来および本発明における半
導体装置の製造工程を示す図（その一）である。
導体装置の製造工程を示す図（その一）である。
【図２】（Ｃ），（Ｄ）は従来および本発明における半
導体装置の製造工程を示す図（その二）である。
導体装置の製造工程を示す図（その二）である。
【図３】（Ｅ），（Ｆ）は従来および本発明における半
導体装置の製造工程を示す図（その三）である。
導体装置の製造工程を示す図（その三）である。
【図４】（Ｇ），（Ｈ）は従来および本発明における半
導体装置の製造工程を示す図（その四）である。
導体装置の製造工程を示す図（その四）である。
【図５】（Ｉ），（Ｊ）は従来および本発明における半
導体装置の製造工程を示す図（その五）である。
導体装置の製造工程を示す図（その五）である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は従来の研磨工程で発生してい
た問題点を示す図である。
た問題点を示す図である。
１ 基板
１ａ フィールド酸化膜
１ｂ，１ｃ 拡散領域
１ｄ チャネル領域
２ ゲート電極
２ａ，２ｂ ゲート側壁絶縁膜
３，５，７ 絶縁膜
３ａ コンタクトホール
４，６ 導体層
４ａ 凹部
４ｂ 導体プラグ
４ｃ シーム
５ａ 溝
６ａ 凹部
６ｂ 導体パターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−156238（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−5964（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−59351（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−83780（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−264480（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−321479（ＪＰ，Ａ)
特表 平８−510437（ＪＰ，Ａ)
国際公開94／028194（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
B24D 3/00
B24D 3/02
Claims (4)
- 【請求項１】 ＭｎＯ ２ よりなる砥粒と、溶媒と、添加
剤とよりなる研磨剤において、 前記溶媒はＨ ２ Ｏであり、 前記添加剤はフタル酸カリウム，フタル酸アンモニウ
ム，アントラニル酸、乳酸，ラクトース，およびＢａＳ
Ｏ ４ のいずれかであることを特徴とする研磨剤 。 - 【請求項２】 ＭｎＯ ２ よりなる砥粒と、溶媒と、添加
剤とよりなる研磨剤において、 前記溶媒はＨ ２ Ｏまたは低級アルコールであり、 前記添加剤はフタル酸または安息香酸であることを特徴
とする研磨剤 。 - 【請求項３】 ＭｎＯ ２ よりなる砥粒を、溶媒と共に、
フタル酸カリウム，フタル酸アンモニウム，フタル酸，
安息香酸，アントラニル酸、乳酸，ラクトース，および
ＢａＳＯ ４ より選ばれる化合物よりなる添加剤と組み合
わせて使うことを特徴とする研磨方法。 - 【請求項４】 ＭｎＯ ２ よりなる砥粒を、溶媒と共に、
フタル酸カリウム，フタル酸アンモニウム，フタル酸，
安息香酸，アントラニル酸、乳酸，ラクトース，および
ＢａＳＯ ４ より選ばれる化合物よりなる添加剤と組み合
わせて、絶縁膜上の金属を研磨することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16904895A JP3495143B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法 |
| US08/674,507 US5763325A (en) | 1995-07-04 | 1996-07-02 | Fabrication process of a semiconductor device using a slurry containing manganese oxide |
| TW085108081A TW389954B (en) | 1995-07-04 | 1996-07-04 | Slurry containing manganese oxide and a fabrication process of a semiconductor device using such a slurry |
| KR1019960027066A KR100206663B1 (ko) | 1995-01-05 | 1996-07-04 | 망간산화물을 함유하는 슬러리 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조방법 |
| US09/014,246 US5877089A (en) | 1995-07-04 | 1998-01-27 | Slurry containing manganese oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16904895A JP3495143B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922887A JPH0922887A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3495143B2 true JP3495143B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=15879365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16904895A Expired - Lifetime JP3495143B2 (ja) | 1995-01-05 | 1995-07-04 | 研磨剤、研磨方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3495143B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100637887B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2006-10-23 | 도소 가부시키가이샤 | 연마용 성형체, 이것을 이용한 연마용 정반 및 연마방법 |
| JP2003338469A (ja) | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Fujitsu Ltd | 研磨剤、研磨方法および洗浄方法 |
| JP5935531B2 (ja) | 2012-06-14 | 2016-06-15 | 富士通株式会社 | 研磨剤及び研磨剤の製造方法 |
| WO2023080014A1 (ja) * | 2021-11-04 | 2023-05-11 | Ａｇｃ株式会社 | 研磨剤、添加液および研磨方法 |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP16904895A patent/JP3495143B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0922887A (ja) | 1997-01-21 |
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|---|---|---|---|
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