KR970008166A - 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터 시스템 - Google Patents

반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR970008166A
KR970008166A KR1019960027419A KR19960027419A KR970008166A KR 970008166 A KR970008166 A KR 970008166A KR 1019960027419 A KR1019960027419 A KR 1019960027419A KR 19960027419 A KR19960027419 A KR 19960027419A KR 970008166 A KR970008166 A KR 970008166A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory device
nonvolatile memory
semiconductor nonvolatile
voltage
memory cell
Prior art date
Application number
KR1019960027419A
Other languages
English (en)
Inventor
도시히로 다나카
마사타카 가토
가츠타카 기무라
데츠야 츠지카와
가즈요시 오시마
가즈유키 미야자와
Original Assignee
가나이 츠토무
히다치세사쿠쇼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 츠토무, 히다치세사쿠쇼 가부시끼가이샤 filed Critical 가나이 츠토무
Publication of KR970008166A publication Critical patent/KR970008166A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/103—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using serially addressed read-write data registers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F15/00—Digital computers in general; Data processing equipment in general
    • G06F15/76—Architectures of general purpose stored program computers
    • G06F15/78—Architectures of general purpose stored program computers comprising a single central processing unit
    • G06F15/7807—System on chip, i.e. computer system on a single chip; System in package, i.e. computer system on one or more chips in a single package
    • G06F15/7821—Tightly coupled to memory, e.g. computational memory, smart memory, processor in memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3404—Convergence or correction of memory cell threshold voltages; Repair or recovery of overerased or overprogrammed cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

임계값전압을 데이타로서 유지하는 메모리셀로서 그 데이타를 전기적으로 리라이트하는 것이 가능한 반도체 불휘발성 기억장치에 관한 것으로서, 전기적 리라이트가 가능한 반도체 불휘발성 기억장치에 있어서 리라이트(라이트, 소거) 동작전압을 절연막의 박막화 및 커플링비의 향상이 아닌 리라이트 임계값전압에 의해서 저전압화를 도모하고, 부유게이트에 전자를 주입 및 전자를 방출할 때의 절연막의 저하를 억제하여 리라이트 내성을 향상시킬 수 있는 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터 시스템을 제공하기 위해 임계값전압을 전기적으로 리라이트하는(소거, 라이트) 것이 가능한 트랜지스터로 이루어지는 반도체 불휘발성 기억장치에 적용되고, 리드선택워드선 전압Vrw는 외부에서 인가되는 전원전압Vcc보다 낮은 값이 인가되고, 또한 메모리셀의 2개의 상태의 높은 임계값전압VthH와 낮은 임계값전압VthL의 임계값전압차가 작고, 높은 임계값전압VthH가 낮은 임계값전압VthL에 근접시켜져 있고, 또 2개의 상태의 임계값전압에 대응하는 메모리셀의 열평형 상태의 임계값전압Vthi가 높은 임계값전압VthH와 낮은 임계값전압VthL 사이에 정의된다.

Description

반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시형태인 반도체 불휘발성 기억장치에 있어서 원리를 설명하기 위한 리드동작의 워드선 전압에 대한 전류특성(임계값 특성)을 도시한 특성도.

Claims (22)

  1. 반도체 불휘발성의 메모리셀의 트랜지스터에 흐르는 전류의 대소에 대응한 상기 메모리셀의 임계값전압을 리드하는 반도체 불휘발성 기억장치로서, 임의의 전압이 인가가능하게 되는 1개의 외부입력 전원전압단자를 갖고, 리드 선택 워드선전압은 상기 메모리셀의 2개의 상태의 임계값을 검증하는 워드선전압 사이의 전위이고, 또한 상기 반도체 불휘발성 기억장치에 외부에서 인가되는 전원전압보다 낮은 값의 전압이 인가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 리드 선택 워드선전압은 접지전압이 아닌 정의 전압이고, 또한 외부에서 인가되는 전원전압보다 낮은 값의 전압이 인가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 리드 선택 워드선전압은 상기 전원전압보다 상기 반도체 불휘발성 기억장치내에서 승압안정화된 전원인 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 리드 선택 워드선전압은 상기 메모리셀의 열평형상태의 임계값전압에 가까운 값인 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 리드 선택 워드선전압은 상기 메모리셀의 열평형상태의 임계값전압의 ±0.5V정도인 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 2진정보에 대응하는 각각의 임계값전압 사이에 상기 메모리셀의 열평형상태의 임계값전압이 정의되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 2진정보에 대응하는 각각의 임계값전압은 상기 메모리셀의 열평형상태의 임계값전압으로부터의 전위차가 거의 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전위차는 0.5~2.0V정도인 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 메모리셀에 대해서 직렬액세스 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 메모리셀에 대해서 직렬 액세스로 데이타를 리드하는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  11. 청구항 1기재의 반도체 불휘발성 기억장치를 사용하는 컴퓨터 시스템으로서, 상기 반도체 불휘발성 기억 장치에 부가해서 적어도 중앙처리장치 및 그 주변회로 등을 갖는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시스템.
  12. 각각이 제어게이트, 드레인 및 소오스를 갖는 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀을 어레이형상으로 배치한 메모리셀 어레이, 상기 여러개의 메모리셀군(섹터)의 제어게이트가 공통으로 접속된 워드선 및 상기 여러개의 메모리셀의 드레인이 공통으로 접속된 비트선을 갖고, 비트선마다 메모리셀의 센스동작과 메모리셀의 임계값전압의 리라이트 데이타의 래치동작을 실행하는 플립플롭, 검증후 메모리셀의 임계값 상태에 따라서 비트마다 플립플롭의 재데이타를 자동설정하는 회로 및 총칭 센스래치회로를 구비하고, 메모리셀의 비트선마다 마련되어 있는 센스래치회로를 구성하는 플립플롭의 리라이트 데이타를 리라이트 동작후의 메모리셀의 임계값전압이 검증 워드선전압에 미달시에는 데이타 리라이트 동작에 있어서 그대로의 데이타를 유지하고, 임계값전압이 검증워드선전압에 도달시에는 데이타 리라이트 동작에 있어서 데이타를 리라이트하는 동작시퀀스를 구비하고 있는 반도체 불휘발성 기억장치로서, 임의의 전압이 인가가능하게 되는 1개의 외부입력 전원전압단자를 갖고, 리드 선택 워드선전압은 상기 메모리셀의 2개의 상태의 임계값을 검증하는 워드선전압 사이의 전위이고, 또한 상기 반도체 불휘발성 기억장치에 외부에서 인가되는 전원전압보다 낮은 값의 전압이 인가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  13. 제12항에 있어서, 리드선택 워드선전압은 접지전압이 아닌 정의 전압이고, 또한 외부에서 인가되는 전원 전압보다 낮은 값의 전압이 인가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 리드선택 워드선전압은 상기 전원전압보다 상기 반도체 불휘발성 기억장치내에서 강압안정화된 전원인 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 리드선택 워드선전압은 상기 메모리셀의 열평형상태의 임계값전압에 가까운 값인 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 리드선택 워드선전압은 상기 메모리셀의 열평형상태의 임계값전압의 ±0.5V정도인 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 2진 정보에 대응하는 각각의 임계값전압 사이에 상기 메모리셀의 열평형상태의 임계값전압이 정의되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 2진 정보에 대응하는 각각의 임계값전압은 상기 메모리셀의 열평형상태의 임계값전압으로부터의 전위차가 거의 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 전위차는 0.5~2.0V정도인 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 메모리셀에 대해서 직렬액세스 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 메모리셀에 대해서 직렬액세스로 데이타를 리드하는 것을 특징으로 하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  22. 청구항 12기재의 반도체 불휘발성 기억장치를 사용한 컴퓨터 시스템으로서, 상기 반도체 불휘발성 기억장치에 부가해서 적어도 중앙처리장치 및 그 주변회로 등을 갖는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960027419A 1995-07-10 1996-07-08 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터 시스템 KR970008166A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-173089 1995-07-10
JP17308995 1995-07-10
JP96-144176 1996-06-06
JP14417696A JPH0982097A (ja) 1995-07-10 1996-06-06 半導体不揮発性記憶装置およびそれを用いたコンピュータシステム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970008166A true KR970008166A (ko) 1997-02-24

Family

ID=26475683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960027419A KR970008166A (ko) 1995-07-10 1996-07-08 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터 시스템

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5748532A (ko)
JP (1) JPH0982097A (ko)
KR (1) KR970008166A (ko)
TW (1) TW363189B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170033227A (ko) * 2015-09-16 2017-03-24 삼성전자주식회사 전력 관리 메커니즘을 갖는 솔리드 스테이트 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
US11216323B2 (en) 2015-09-16 2022-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state memory system with low power error correction mechanism and method of operation thereof

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW365001B (en) * 1996-10-17 1999-07-21 Hitachi Ltd Non-volatile semiconductor memory apparatus and the operation method
CN100359601C (zh) * 1999-02-01 2008-01-02 株式会社日立制作所 半导体集成电路和非易失性存储器元件
US6400638B1 (en) * 2000-02-25 2002-06-04 Advanced Micro Devices, Inc. Wordline driver for flash memory read mode
US6356496B1 (en) 2000-07-07 2002-03-12 Lucent Technologies Inc. Resistor fuse
TW477065B (en) 2001-01-30 2002-02-21 Ememory Technology Inc Manufacturing method of flash memory cell structure with dynamic-like write-in/erasing through channel and its operating method
US6620682B1 (en) * 2001-02-27 2003-09-16 Aplus Flash Technology, Inc. Set of three level concurrent word line bias conditions for a nor type flash memory array
TW559814B (en) * 2001-05-31 2003-11-01 Semiconductor Energy Lab Nonvolatile memory and method of driving the same
EP1333479A1 (en) * 2002-01-30 2003-08-06 eMemory Technology Inc. Channel write/erase flash memory cell and its manufacturing method
JP3866650B2 (ja) * 2002-11-29 2007-01-10 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその消去ベリファイ方法
JP4685484B2 (ja) * 2005-03-24 2011-05-18 シチズンホールディングス株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US20070272090A1 (en) * 2006-02-01 2007-11-29 Bommaraju Tilak V Hydrogen mitigation and energy generation with water-activated chemical heaters
US7907456B2 (en) * 2007-10-31 2011-03-15 Texas Instruments Incorporated Memory having circuitry controlling the voltage differential between the word line and array supply voltage
US9076505B2 (en) * 2011-12-09 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0334198A (ja) * 1989-06-30 1991-02-14 Fujitsu Ltd 書き換え可能な不揮発性メモリ
JPH06124597A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Fujitsu Ltd 不揮発性半導体記憶装置
JPH05266680A (ja) * 1992-03-19 1993-10-15 Fujitsu Ltd 不揮発性半導体記憶装置
US5592415A (en) * 1992-07-06 1997-01-07 Hitachi, Ltd. Non-volatile semiconductor memory
JPH06309883A (ja) * 1993-04-22 1994-11-04 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
JP3252306B2 (ja) * 1993-08-10 2002-02-04 株式会社日立製作所 半導体不揮発性記憶装置
JPH07211094A (ja) * 1994-01-19 1995-08-11 Hitachi Ltd 半導体メモリ装置
JP2993358B2 (ja) * 1994-03-11 1999-12-20 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置の動作方法
US5481494A (en) * 1994-12-22 1996-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Method for tightening VT distribution of 5 volt-only flash EEPROMS
JP3180669B2 (ja) * 1996-06-03 2001-06-25 日本電気株式会社 不揮発性半導体メモリおよびその書き込み方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170033227A (ko) * 2015-09-16 2017-03-24 삼성전자주식회사 전력 관리 메커니즘을 갖는 솔리드 스테이트 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
US11216323B2 (en) 2015-09-16 2022-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state memory system with low power error correction mechanism and method of operation thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US5872734A (en) 1999-02-16
US5748532A (en) 1998-05-05
TW363189B (en) 1999-07-01
JPH0982097A (ja) 1997-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0172366B1 (ko) 불휘발성 반도체 메모리 장치의 독출 및 프로그램 방법과 그 회로
US5465235A (en) Non-volatile memory device with a sense amplifier capable of copying back
KR100370909B1 (ko) 1칩 마이크로 컴퓨터와 그 데이타 리프레시 방법
US20070153618A1 (en) Semiconductor device
KR910010526A (ko) 페이지 소거 가능한 플래쉬형 이이피롬 장치
KR20070042543A (ko) 메모리 비트 라인 세그먼트 아이솔레이션
US20060239072A1 (en) Nonvolatile memory device and semiconductor device
KR970008166A (ko) 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터 시스템
US6331949B1 (en) Circuit for storing and latching defective address data for a nonvolatile semiconductor memory device having redundant function
KR950020749A (ko) 반도체 불휘발성 기억장치
CN105654987B (zh) Sonos结构eeprom及其存储器阵列和操作的方法、及sonos器件
US6822904B2 (en) Fast sensing scheme for floating-gate memory cells
KR19990036007A (ko) 방해가 감소된 플래쉬 메모리 시스템 및 방법
KR100610490B1 (ko) Ｅｅｐｒｏｍ 셀 및 ｅｅｐｒｏｍ 블록
JP2003051196A5 (ja) 不揮発性メモリ及びそれを用いた電子機器
TW449751B (en) Non-volatile semiconductor memory device
US8144493B2 (en) CAM cell memory device
US6813186B2 (en) Nonvolatile semiconductor memory device
US6973003B1 (en) Memory device and method
CN108511018B (zh) 半导体存储装置以及数据读出方法
KR970017668A (ko) 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터시스템
US5896319A (en) Current control circuit and non-volatile semiconductor memory device having the same
KR930001653B1 (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
JPH10334073A (ja) １チップマイクロコンピュータ
KR940005695B1 (ko) 불휘발성 기억소자의 로우 디코더 회로

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid