KR970003579A - 반도체소자의 자연 산화막 제거방법 - Google Patents

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KR1019950018897A
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이완기
박창서
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 자연 산화막 제거방법에 관한 것으로서, 세정이나 습식 공정에 의해 자연산화막이 형성된 반도체기판을 순수가 채워져 있는 수조에 담구고, 상기 수조내로 수소가스를 흘려주면, 자연산화막에서 불완전한 결합을 이루고 있는 산소가 수소가스와 반응하여 물로 환원되므로 상기 자연산화막이 제거되는 방법으로 사용하였으므로, 자연산화막 제거 공정이 간단하고, 용액의 취급이 용이하며, 별도의 세척 공정이 불필요하고, 자연산화막 제거 공정에 의한 반도체기판의 손상이 일어나지 않아 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체소자의 자연 산화막 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체소자의 자연 산화막 제거방법을 설명하기 위한 개략도.

Claims (2)

  1. 세정공정에 의해 자연산화막이 형성된 반도체기판을 순수 수조에 담구고, 상기 수조내로 수소가스를 흘러주어 상기 수소가스가 자연산화막에 불완전하게 결합되어 있는 산소와 결합되어 상기 자연산화막을 제거하는 공정을 구비하는 반도체소자의 자연 산화막 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수소 가스가 전기분해에 의해 얻어지는 수소 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 자연 산화막 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950018897A 1995-06-30 1995-06-30 반도체소자의 자연 산화막 제거방법 KR970003579A (ko)

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