KR970003579A - 반도체소자의 자연 산화막 제거방법 - Google Patents
반도체소자의 자연 산화막 제거방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970003579A KR970003579A KR1019950018897A KR19950018897A KR970003579A KR 970003579 A KR970003579 A KR 970003579A KR 1019950018897 A KR1019950018897 A KR 1019950018897A KR 19950018897 A KR19950018897 A KR 19950018897A KR 970003579 A KR970003579 A KR 970003579A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- natural oxide
- oxide film
- hydrogen gas
- semiconductor device
- removal method
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 자연 산화막 제거방법에 관한 것으로서, 세정이나 습식 공정에 의해 자연산화막이 형성된 반도체기판을 순수가 채워져 있는 수조에 담구고, 상기 수조내로 수소가스를 흘려주면, 자연산화막에서 불완전한 결합을 이루고 있는 산소가 수소가스와 반응하여 물로 환원되므로 상기 자연산화막이 제거되는 방법으로 사용하였으므로, 자연산화막 제거 공정이 간단하고, 용액의 취급이 용이하며, 별도의 세척 공정이 불필요하고, 자연산화막 제거 공정에 의한 반도체기판의 손상이 일어나지 않아 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체소자의 자연 산화막 제거방법을 설명하기 위한 개략도.
Claims (2)
- 세정공정에 의해 자연산화막이 형성된 반도체기판을 순수 수조에 담구고, 상기 수조내로 수소가스를 흘러주어 상기 수소가스가 자연산화막에 불완전하게 결합되어 있는 산소와 결합되어 상기 자연산화막을 제거하는 공정을 구비하는 반도체소자의 자연 산화막 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수소 가스가 전기분해에 의해 얻어지는 수소 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 자연 산화막 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018897A KR970003579A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 자연 산화막 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018897A KR970003579A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 자연 산화막 제거방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970003579A true KR970003579A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950018897A KR970003579A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 자연 산화막 제거방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970003579A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018897A patent/KR970003579A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970077287A (ko) | 반도체재료의 처리방법 | |
KR970003579A (ko) | 반도체소자의 자연 산화막 제거방법 | |
KR840002475A (ko) | 유체분사식 직기에 있어서의 불량위사 처리방법 | |
KR950024017A (ko) | 선택적 식각방법 | |
KR970010936A (ko) | 반도체 장치의 세정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법 | |
JPS57204132A (en) | Washing method for silicon wafer | |
JPS5443469A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
KR880014219A (ko) | 캐스킷 밀봉의 제거방법 | |
KR970063551A (ko) | 반도체 소자의 산화막 제거 방법 | |
DK147396C (da) | Vaeskeringpumpeanlaeg - isaer til udsugning af gasformige syreanhydrider eller halogenanhydrider | |
KR980005755A (ko) | 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 방법 | |
DE3170562D1 (en) | Method and device for cleaning, desinfecting, rinsing and drying objects or instruments | |
KR940002968A (ko) | 반도체기판의 표면세정방법 | |
KR950015624A (ko) | 반도체 제조공정시의 세정방법 | |
KR970003615A (ko) | 웨이퍼의 게이트 산화막의 형성을 위한 전처리 방법 | |
KR960015076A (ko) | 실리콘 습식식각방법 | |
KR950021182A (ko) | 반도체 소자의 세정방법 | |
KR920008856A (ko) | 반도체 웨이퍼의 표면 세정방법 | |
JPS57190605A (en) | Method for washing membrane of separation apparatus | |
KR980005742A (ko) | 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 세정방법 | |
KR970003599A (ko) | 반도체 소자의 자연 산화막 제거방법 | |
KR830010012A (ko) | 유리표면의 저반사 처리방법 | |
JPS6161686A (ja) | タンク内付着残液の除去回収装置 | |
KR950007007A (ko) | 반도체 소자의 자연산화막 제거방법 | |
JPH07232144A (ja) | 超音波洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |