KR960043167A - 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960043167A
KR960043167A KR1019950037185A KR19950037185A KR960043167A KR 960043167 A KR960043167 A KR 960043167A KR 1019950037185 A KR1019950037185 A KR 1019950037185A KR 19950037185 A KR19950037185 A KR 19950037185A KR 960043167 A KR960043167 A KR 960043167A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating film
electrode
film
side wall
gate electrode
Prior art date
Application number
KR1019950037185A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0158065B1 (ko
Inventor
시게키 사와다
다카시 후루타
Original Assignee
스기야마 가즈히코
마쯔시다 덴시 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스기야마 가즈히코, 마쯔시다 덴시 고교 가부시키가이샤 filed Critical 스기야마 가즈히코
Publication of KR960043167A publication Critical patent/KR960043167A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0158065B1 publication Critical patent/KR0158065B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66272—Silicon vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8248—Combination of bipolar and field-effect technology
    • H01L21/8249—Bipolar and MOS technology
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
    • H01L27/0623—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with bipolar transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

P형 반도체기판상에는 바이폴라 트랜지스터와 COMOS 트랜지스터가 집적되어 있다. 바이폴라 트랜지스터는 베이스 인출전극 측면부의 산화막, 베이스 인출전극 측면의 실리콘 질화막 및 베이스 인출전극 측면의 다결정 실리콘막을 가지고 있다. CMOS 트랜지스터는 게이트전극 측면부의 산화막, 게이트전극 측면의 실리콘 질화막 및 게이트전극 절연측벽을 가지고 있다. 베이스 인출전극 측면의 실리콘 질화막과 게이트전극 측면의 실리콘 질화막은 동일 공정으로 형성되어 있다.

Description

반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 제1실시예에 관한 반도체 집적회로장치의 단면도.

Claims (8)

  1. 동일 반도체기판상에 형성된 바이폴라 트랜지스터와 MOS 트랜지스터를 구비하고, 상기 바이폴라 트랜지스터는 베이스층을 에워싸는 외부베이스층에 접속된, 상면에 제1절연막을 가짐과 동시에 측면에 제1측벽을 갖는 베이스 인출전극과, 상기 제1측벽에 의해 자기정합적으로 형성된 에미터층 및 에미터 인출전극을 갖고, 상기 MOS 트랜지스터는 상면에 제2절연막을 가짐과 동시에 측면에 제2측벽을 갖는 게이트전극과, 상기 제2측벽에 의해 자기정합적으로 형성된 소스·드레인층을 갖고, 상기 제1측벽은 베이스 인출전극측의 제3절연막 및 반대 베이스 인출전극측의 도체막으로 구성되고, 상기 제2측벽은 상기 제3절연막과 동일 공정으로 형성된 제4절연막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2측벽은 게이트전극측의 상기 제4절연막 및 반대 게이트전극측의 제5절연막으로구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제5절연막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2측벽은 상기 베이스 인출전극이 상기 외부베이스를 에워싸는 소자분리막상에 연장하는 쪽의 측면에도 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 상기 베이스 인출전극에 접하는 쪽에서 차례로 형성된 상기 전극의 산화막 및 실리콘 질화막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도체막은 다결정 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  7. 반도체기판상에 바이폴라 트랜지스터 및 MOS 트랜지스터를 절연하는 소자분리막을 형성함과 동시에, 이 소자분리막을 제거한 소자영역에 게이트 절연막을 형성하는 제1공정과, 바이폴라 트랜지스터를 형성하는 영역의 상기 게이트 절연막을 에칭으로 제거한 후, 상기 반도체기판상의 전면에 제1도체막 및 제1절연막을 순차 적층하는 제2공정과, 상기제1절연막 및 제1도체막에 대해 에칭을 행하고, 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스 인출전극 및 이 베이스 인출전극상의절연막과, 상기 MOS 트랜지스터의 게이트전극 및 이 게이트전극상의 절연막을 형성하는 제3공정과, 상기 베이스 인출전극의 측면, 베이스 인출전극에 에워싸인 에미터 형성영역의 상면 및 게이트전극 측면에 제2절연막을 형성한 후, 상기 반도체 기판상의 전면에 제3절연막 및 제2도체막을 순차 퇴적하는 제4공정과, 상기 제2도체막에 대해 에칭을 행하고, 상기 베이스 전극 측면 및 게이트전극 측면에 상기 제2절연막, 제3절연막 및 제2도체막으로 구성되는 제1측벽을 형성하는 제5공정과, 상기 에미터 형성영역 및 소스·드레인 형성영역상의 상기 제3절연막 및 제2절연막을 상기 제1측벽을 마스크로 하여 에칭으로 제거함으로써, 에미터 인출전극의 개구부를 자기정합적으로 형성하는 제6공정과, 상기 반도체기판상의 전면에 제3도체막을 퇴적한 후, 이 제3도체막을 선택적으로 에칭함으로써, 상기 에미터 인출전극의 개구부상에 에미터 인출전극을 형성함동시에, 상기 에미터 인출전극에 덮힌 상기 베이스 인출전극 측면 이외의 이 베이스 전극의 측면 및 게이트전극 측면에서의 상기 제1측벽내의 상기 제2도체막을 에칭으로 제거하여 제2측벽을 형성하는 제7공정과, 상기 소스 · 드레인 형성영역을 상기 제2측벽에 의해 자기정합적으로 형성하는 제8공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제7공정 후에, 상기 반도체 기판상의 전면에 제4절연막을 퇴적한 후, 이 제4절연막에 대해 에칭을 행하고, 상기 게이트전극의 측면에 상기 제2절연막, 제3절연막 및 제4절연막으로 구성되는 제2측벽을 형성하는 공정을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950037185A 1995-05-29 1995-10-25 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 KR0158065B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-130472 1995-05-29
JP13047295 1995-05-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960043167A true KR960043167A (ko) 1996-12-23
KR0158065B1 KR0158065B1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=15035067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950037185A KR0158065B1 (ko) 1995-05-29 1995-10-25 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0746032B1 (ko)
KR (1) KR0158065B1 (ko)
CN (1) CN1085893C (ko)
DE (1) DE69523292T2 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2756100B1 (fr) 1996-11-19 1999-02-12 Sgs Thomson Microelectronics Transistor bipolaire a emetteur inhomogene dans un circuit integre bicmos
FR2756103B1 (fr) * 1996-11-19 1999-05-14 Sgs Thomson Microelectronics Fabrication de circuits integres bipolaires/cmos et d'un condensateur
FR2757683B1 (fr) * 1996-12-20 1999-03-05 Sgs Thomson Microelectronics Transistor bipolaire et capacite
FR2758004B1 (fr) * 1996-12-27 1999-03-05 Sgs Thomson Microelectronics Transistor bipolaire a isolement dielectrique
FR2774509B1 (fr) * 1998-01-30 2001-11-16 Sgs Thomson Microelectronics Procede de depot d'une region de silicium monocristallin
FR2776828B1 (fr) * 1998-03-31 2003-01-03 Sgs Thomson Microelectronics Region de base-emetteur d'un transistor bipolaire submicronique
US6611044B2 (en) 1998-09-11 2003-08-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lateral bipolar transistor and method of making same
US6143073A (en) * 1998-11-19 2000-11-07 Heraeus Shin-Etsu America Methods and apparatus for minimizing white point defects in quartz glass crucibles
FR2790867B1 (fr) 1999-03-12 2001-11-16 St Microelectronics Sa Procede de fabrication de transistor bipolaire
DE10138648A1 (de) * 2001-08-07 2003-03-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zum parallelen Herstellen eines MOS-Transistors und eines Bipolartransistors
CN103915334B (zh) * 2014-04-04 2017-01-04 中国电子科技集团公司第五十五研究所 双层多晶硅双极型晶体管的制造方法
CN108878278B (zh) * 2018-06-29 2020-09-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 栅氧化层的制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63281456A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置及びその製造方法
JPH03198371A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5110815A (en) * 1990-12-03 1992-05-05 Hoechst-Roussel Pharmaceuticals Inc. 5-amino-5,6,7,8-tetrahydroquinolines and related compounds and pharmaceutical use

Also Published As

Publication number Publication date
DE69523292D1 (de) 2001-11-22
KR0158065B1 (ko) 1998-12-01
EP0746032A3 (en) 1998-09-02
DE69523292T2 (de) 2002-04-18
EP0746032A2 (en) 1996-12-04
CN1085893C (zh) 2002-05-29
EP0746032B1 (en) 2001-10-17
CN1137175A (zh) 1996-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890003038A (ko) 페데스탈 구조를 가지는 반도체 제조 공정
KR970703616A (ko) 바이폴라 트랜지스터 및 모스 트랜지스터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법(method of manufacturing a semiconductor device with bicmos circuit)
KR870006676A (ko) 공유 기판위에 쌍극성 트랜지스터와 상보 mos트랜지스터를 제조하기 위한 공정
KR890011103A (ko) 반도체 집적회로장치의 제조방법
KR870006675A (ko) 공유실리콘 기판에 쌍극성 트랜지스터 및 상보 mos-트랜지스터를 동시 제조하기 위한 공정
KR960043167A (ko) 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
JPH11330458A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2006059841A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US6555915B1 (en) Integrated circuit having interconnect to a substrate and method therefor
JPH10214907A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR960039222A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR920022562A (ko) 반도체 집적 회로 제조방법
JP2001077207A (ja) ダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法
KR950034667A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR930009111A (ko) 바이폴라트랜지스터, Bi-CMOS 장치 및 그 제조방법
KR960042931A (ko) Soi 구조를 갖는 반도체장치의 제조방법
JP2004063918A (ja) 横型ｍｏｓトランジスタ
JP3535542B2 (ja) 半導体メモリ装置及びその製造方法
KR940009365B1 (ko) 트랜치를 이용한 cmos 제조방법
KR960009991B1 (ko) Mos fet의 제조방법
KR100390891B1 (ko) 고집적반도체소자의제조방법
JPH11150266A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR930014888A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR940009359B1 (ko) 바이씨모스(bicmos)의 구조 및 제조방법
KR960012470A (ko) 실리콘 온 인슐레이터(soi) 기판을 이용한 반도체장치 및 백-게이트 바이어스 인가방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050722

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee