KR960039355A - 비휘발성 메모리 셀의 채널스톱영역 형성방법 - Google Patents

비휘발성 메모리 셀의 채널스톱영역 형성방법 Download PDF

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KR960039355A
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film
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KR1019950007839A
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김성래
한성오
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/76216—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose introducing electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers

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Abstract

본 발명은 비휘발성 메모리 셀의 채널스톱영역 형성방법에 관한 것으로, 채널스톱이온의 측면확산으로 인한 유효채널폭의 감소를 방지하기 위하여 필드산화막을 형성한 후 채널스톱(Channel Stop)이온주입을 실시하므로써 소자의 동작전류를 증대시킬 수 있도록 한 비휘발성 메모리 셀의 채널스톱영역 형성방법에 관한 것이다.

Description

비휘발성 메모리 셀의 채널스톱영역 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1e도는 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀의 채널스톱영역 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (2)

  1. 비휘발성 메모리 셀의 채널스톱영역 형성방법에 있어서, 웰이 형성된 실리콘기판상에 패드산화막, 질화막 및 제1감광막을 순차적으로 형성한 후 소자분리마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 실시하여 필드영역의 상기 질화막이 노출되도록 상기 제1감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 패터닝된 제1감광막을 마스크로 이용하여 상기 노출된 질화막 및 패드산화막을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 제1감광막을 제거한 후 산화공정을 실시하여 상기 실리콘기판의 노출된 필드영역에 필드산화막을 성장시키는 단계와, 상기 단계로 부터 잔류된 상기 질화막 및 패드산화막을 제거한 후 전체상부면에 터널산화막, 폴리실리콘층 및 제2감광막을 순차적으로 형성하고 전극용마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 실시하여 상기 제2감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 필드산화막의 하부에 채널스톱영역이 형성되도록 채널스톱 이온주입공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 채널스톱영역 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극용마스크는 상기 소자분리마스크 보다 그 패턴선간의 임계치수가 작은 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 셀의 채널스톱영역 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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