KR960038969A - 병합 내부전원전압 발생회로 - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야 ;
본 발명은 칩내부의 회로에 전원전압을 공급하는 내부전원전압 발생회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 ;
종래에는 스탠바이상태에서의 전류소모를 줄이기 위하여 내부전원전압 발생회로와 액티브용 내부전원전압 발생회로를 나누어 구비하여야 했다. 이로 인해 전류소비가 줄어든 반면 칩면적이 대단히 늘어나게 되었다.
3. 발명의 해결방법의 요지 ;
본 발명에서는 약간의 회로배치를 다르게 하므로써 액티브상태에서 동작하는 제2전류소스수단을 사용하므로써 하나의 회로에 종래의 내부전원전압 발생회로가 수행하는 액티브용 및 스탠바이용 내부전원전압 발생회로의 동작을 무리없이 수행가능하게 하였다.
4. 발명의 중요한 용도 ; 이러한 병합 내부전원전압 발생회로가 제공되므로써 칩면적을 상당히 줄일 수 있게 되어 고집적에 유리한 반도체 메모리장치가 구현된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 내부전원전압 발생회로를 나타내는 회로도.
Claims (5)
- 칩외부에서 사용되는 외부전원전압을 칩내부에 적응적인 내부전원전압으로 변환하는 반도체 메모리의 내부전원전압 발생회로에 있어서, 외부전원전압공급단자와 접지전압단자사이에 접속되고 소정전압레벨의 기준전압과 내부전원전압을 입력하여 상기 2개의 입력전압을 비교하는 비교기와 기준전압을 입력하며 상기 비교기의 비교결과에 따라 상기 비교기의 출력전압크기를 제어하는 제1전류방전수단과, 상기 비교기의 출력에 응답하여 상기 비교기의 비교결과에 따라 내부공급전압의 크기를 제어하는 구동트랜지스터와, 내부공급전압단자와 접지전압단자사이에 접속되고 활성화상태를 감지하는 제어신호에 응답하는 활성화회로와, 상기 활성화회로의 출력에 응답하며 상기 비교기의 비교결과에 따라 활성화상태에서 상기 비교기의 출력전압크기를 제어하는 제2전류소스수단을 구비함을 특징으로 하는 병합 내부전원전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 병합 내부전원전압 발생회로가 씨모오스 트랜지스터를 구성됨을 특징으로 하는 병합 내부전원전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제어신호가 칩내부를 활성화시키는 로우 어드레스 스트로브신호 혹은 컬럼 어드레스 스트로브신호에 동기되어 발생되는 신호임을 특징으로 하는 병합 내부전원전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 활성화회로가 상기 제어신호를 입력하는 씨모오스 인버터회로임을 특징으로 하는 병합 내부전원전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2전류소스수단이 엔모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 병합 내부전원전압 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950010169A KR0142961B1 (ko) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | 병합 내부전원전압 발생회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950010169A KR0142961B1 (ko) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | 병합 내부전원전압 발생회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960038969A true KR960038969A (ko) | 1996-11-21 |
| KR0142961B1 KR0142961B1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=19413140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950010169A KR0142961B1 (ko) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | 병합 내부전원전압 발생회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0142961B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432973B1 (ko) * | 1997-05-24 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 전원 전압 발생 회로 |
| KR100505569B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2005-10-19 | 삼성전자주식회사 | 동기식 디램 반도체 장치의 내부 전압 발생기 |
-
1995
- 1995-04-27 KR KR1019950010169A patent/KR0142961B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432973B1 (ko) * | 1997-05-24 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 전원 전압 발생 회로 |
| KR100505569B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2005-10-19 | 삼성전자주식회사 | 동기식 디램 반도체 장치의 내부 전압 발생기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0142961B1 (ko) | 1998-08-17 |
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