KR960037867A - 실리콘 이산화물의 선택적인 제거 방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 물질 또는 금속과 관련된 SiO2의 선택적인 제거 방법에 있어서, 처리되어지고 SiO2를 함유하는 표본은 적어도 하나의 가스 유입 개구와 가스 유출 개구를 갖는 챔버내에 위치되어 진다. 가스 유입 개구에서 제어밸브를 사용함으로써 플루오르화 수소 가스와 수증기의 사용량이 챔버내로 유입된다. 그러나, 이러한 가스의 양은 제한되어져 에칭이 이루어지는 동안 표본위에 물을 형성하는 수증기의 응축은 일어나지 않는다. 이때 에칭이 이루어진다. 에칭이 일어나는 동안 반응 생산물로써 발생하는 수증기는 응축이 일어나기 전에 가스 유출 개구를 통해 제거되어 지고, 그리고 동시에 비활성 가스는 가스 유입 개구를 통해 챔버내로 유입되다. 이러한 단계는 필요에 따라 반복되어 진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 방법에 따른 장치를 기술한 도면.
Claims (15)
- 표본 내에 반도체 물질 및 금속과 관련된 SiO2의 선책적인 제거방법으로서, a) 적어도 하나의 유입 개구와, 유출 개구를 갖는 챔버 내부로 SiO2를 함유하는 표본을 위치시키는 위치 단계와, b) 가스 유입개구에 제어 밸브를 사용하여, 챔버 내부로 플루오르화 수소와 수증기의 사용량을 유입하여, 상기 가스와 상기 수증기는 에칭에 충분한 양으로 상기 표본내의 SiO2으로 진입하는데, 상기 가스와 상기 수증기의 양은 제한되어 있어 에칭시 상기 표본위에 물을 형성하는 수증기의 응축이 일어나지 않는 플루오르화 수소와 수증기의 유입 단계와, c) 상기 표본에서 에칭이 일어나는 이행단계와, d) 가스 유입 개구를 통해 챔버 내부로 비활성 가스의 유입과 응축이 일어나기 전에 가스 유출 개구를 통해 표본이 에칭되는 동안 반응 생산물로써 발생하는 수증기의 제거 단계와, 그리고 e) b)단계에서 d)단계까지 SiO2가 선택적으로 제거되는 반복 단계로 이루어지는 방법.
- 제1항에 있어서, 질소는 d)단계로 비활성 가스로써 사용되는 방법.
- 제1항에 있어서, 제어 밸브는 총괄 유량계로 제공되어진 b) 단계에서 사용되며, 이러한 밸브를 통해 가스량 흐름은 전자적으로 제어되는 방법.
- 제1항에 있어서, SiO2는 실리콘 또는 반도체 성분위의 금속과 관련하여 에칭되어지고, 상기 표본은 반도체 성분인 방법.
- 제4항에 있어서, 이동 가능한 폴리실리콘의 미세한 소자가 에칭 되어지는 방법.
- 제4항에 있어서, 알루미늄의 미세한 소자가 에칭 되어지는 방법.
- 표본 내에 반도체 성분에 실리콘 및 금속의 선택적인 제거 방법으로서, a) 적어도 하나의 유입 개구와, 유출 개구를 갖는 챔버 내부에 반도체 성분을 위치시키는 위치 단계와, b) 가스 유입개구에 제어 밸브를 사용하여, 챔버 내부로 플루오르화 수소와 수증기의 사용량을 유입하여, 상기 가스와 상기 수증기는 에칭에 충분한 양으로 상기 표본내의 SiO2으로 진입하는데, 상기 가스와 상기 수증기의 양은 제한되어 있어 에칭시 상기 표본위에 물을 형성하는 수증기의 응축이 일어나지 않는 플루오르화 수소와 수증기의 유입 단계와, c) 상기 반도체 성분에서 에칭이 일어나는 이행단계와, d) 가스 유입 개구를 통해 챔버 내부로 비활성 가스의 유입과 응축이 일어나기 전에 가스 유출 개구를 통해 표본이 에칭되는 동안 반응 생산물로써 발생하는 수증기의 제거 단계와, 그리고 e) b)단계에서 d)단계까지 실리콘 및 금속이 선택적으로 제거되는 반복 단계로 이루어지는 방법.
- 제7항에 있어서, 조절 밸브는 총유량계로 제공되는 b)단계에서 사용되어 지며, 그리고 이러한 밸브를 통하여 흐르는 가스량은 전자적으로 조절되는 방법.
- 제7항에 있어서, 이동가능한 폴리실리콘의 미세한 소자가 에칭되어지는 방법.
- 제7항에 있어서, 알루미늄의 미세한 소자가 에칭되어지는 방법.
- 표본 내에 반도체 물질 및 금속과 관련된 SiO2의 선택적인 제거방법으로서, a) 적어도 하나의 유입 개구와, 유출 개구를 갖는 챔버 내부로 SiO2를 함유하는 표본을 위치시키는 위치 단계와, b) 가스 유입개구에 제어 밸브를 사용하여, 챔버 내부로 플루오르화 수소와 수증기의 사용량을 유입하여, 상기 가스와 상기 수증기는 에칭에 충분한 양으로 상기 표본내의 SiO2으로 진입하는데, 상기 가스와 상기 수증기의 양은 제한되어 있어 에칭시 상기 표본위에 물을 형성하는 수증기의 응축이 일어나지 않으며, 상기 제어 밸브는 총유량계를 가지며, 그리고 전자적으로 제어되는 가스량은 상기 밸브를 통해 흐르는 플루오르화 수소와 수증기의 유입 단계와, c) 상기 표본에서 에칭이 일어나는 이행단계와, d) 가스 유입 개구를 통해 챔버 내부로 비활성 가스의 유입과 응축이 일어나기 전에 가스 유출 개구를 통해 표본이 에칭되는 동안 반응 생산물로써 발생하는 수증기의 제거 단계와, 그리고 e) b)단계에서 d)단계까지 SiO2가 선택적으로 제거되는 반복 단계로 이루어지는 방법.
- 제11항에 있어서, 질소는 d)단계에서 비활성 가스로 사용되어지는 방법.
- 제11항에 있어서, SiO2는 실리콘 또는 반도체 성분위의 금속과 관련되어 선택적으로 에칭되어 지고, 상기 표본은 반도체 성분인 방법.
- 제13항에 있어서, 이동가능한 폴리실리콘의 미세한 소자가 에칭 되어지는 방법.
- 제13항에 있어서, 알루미늄의 미세한 소자가 에칭 되어지는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|---|
| JP2682510B2 (ja) * | 1995-05-09 | 1997-11-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5935877A (en) * | 1995-09-01 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Etch process for forming contacts over titanium silicide |
| US5783495A (en) * | 1995-11-13 | 1998-07-21 | Micron Technology, Inc. | Method of wafer cleaning, and system and cleaning solution regarding same |
| US6153358A (en) * | 1996-12-23 | 2000-11-28 | Micorn Technology, Inc. | Polyimide as a mask in vapor hydrogen fluoride etching and method of producing a micropoint |
| US6097092A (en) * | 1998-04-22 | 2000-08-01 | International Business Machines Corporation | Freestanding multilayer IC wiring structure |
| KR100639841B1 (ko) * | 1998-07-23 | 2006-10-27 | 서페이스 테크놀로지 시스템스 피엘씨 | 이방성 에칭 장치 및 방법 |
| US6740247B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-25 | Massachusetts Institute Of Technology | HF vapor phase wafer cleaning and oxide etching |
| DE19941042A1 (de) * | 1999-08-28 | 2001-03-15 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung oberflächenmikromechanischer Strukturen durch Ätzung mit einem dampfförmigen, flußsäurehaltigen Ätzmedium |
| US6337277B1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-08 | Lam Research Corporation | Clean chemistry low-k organic polymer etch |
| US6534413B1 (en) * | 2000-10-27 | 2003-03-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method to remove metal and silicon oxide during gas-phase sacrificial oxide etch |
| JP3882806B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | エッチング方法 |
| JP2005150332A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Sony Corp | エッチング方法 |
| JP2005212032A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | M Fsi Kk | Ｍｅｍｓデバイス向け基板表面の処理方法 |
| JP2006167849A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Denso Corp | マイクロ構造体の製造方法 |
| US8071486B2 (en) * | 2005-07-18 | 2011-12-06 | Teledyne Dalsa Semiconductor Inc. | Method for removing residues formed during the manufacture of MEMS devices |
| CN101558477B (zh) * | 2005-08-23 | 2012-05-30 | 埃克提斯公司 | 间歇性蚀刻冷却 |
| US7952901B2 (en) * | 2007-08-09 | 2011-05-31 | Qualcomm Incorporated | Content addressable memory |
| US20080152437A1 (en) * | 2006-12-26 | 2008-06-26 | Illinois Tool Works Inc. | Pulverulent material transport |
| US20080205189A1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Illinois Tool Works Inc. | Dense phase pump for pulverulent material |
| JP6024272B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2016-11-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3920471A (en) * | 1974-10-10 | 1975-11-18 | Teletype Corp | Prevention of aluminum etching during silox photoshaping |
| US4749440A (en) * | 1985-08-28 | 1988-06-07 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
| JPH0626206B2 (ja) * | 1985-08-28 | 1994-04-06 | エフエスアイ コ−ポレイシヨン | 基板より気相法で膜除去する方法及び装置 |
| US5458724A (en) * | 1989-03-08 | 1995-10-17 | Fsi International, Inc. | Etch chamber with gas dispersing membrane |
| US5174855A (en) * | 1989-04-28 | 1992-12-29 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Surface treating apparatus and method using vapor |
| US5022961B1 (en) * | 1989-07-26 | 1997-05-27 | Dainippon Screen Mfg | Method for removing a film on a silicon layer surface |
| KR0161674B1 (ko) * | 1989-11-03 | 1999-02-01 | 한스 피터 후크숀 | 수분 존재하에 반도체 기판을 할로겐 에칭하는 방법 |
| US5294568A (en) * | 1990-10-12 | 1994-03-15 | Genus, Inc. | Method of selective etching native oxide |
| JP2833946B2 (ja) * | 1992-12-08 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | エッチング方法および装置 |
| KR100332402B1 (ko) * | 1993-05-13 | 2002-10-25 | 어드밴스트 세미컨덕터 매티리얼스 냄로즈 베누트스캡 | Hf와카르복실산혼합물을사용한반도체처리방법 |
| DE4317274A1 (de) * | 1993-05-25 | 1994-12-01 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung oberflächen-mikromechanischer Strukturen |
| DE4432210A1 (de) * | 1994-09-09 | 1996-03-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Rückseitenätzung einer mit Siliziumdioxid beschichteten Halbleiterscheibe mit Fluorwasserstoffgas |
| US5635102A (en) * | 1994-09-28 | 1997-06-03 | Fsi International | Highly selective silicon oxide etching method |
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