KR960034263A - 폴리이미드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광범위한 유기용매에 용해되는 동시에, 내열성이 뛰어난 신규 폴리이미드 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 폴리이미드는 하기 식(1)로 표시되는 구조 단위를 함유하고, 수 평균 분자량이 4,000~200,000인 것을 특징으로 한다.
(식 중, X는 -SO2-또는 -C(=O)-OCH2CH2O-C(=O)-을 나타내고, R1, R2, R3및 R4는 각각 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 1~4의 알콕시기를 나타낸다.)

Description

폴리이미드 및 그의 제조방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (15)

  1. 하기 식(1)로 표시되는 구조 단위를 함유하고, 수 평균 분자량이 4,000~200,000인 폴리이미드;
    (식 중, X는 -SO2-또는 -C(=O)-OCH2CH2O-C(=O)-을 나타내고, R1, R2, R3및 R4는 각각 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 1~4의 알콕시기를 나타낸다.)
  2. 제1항에 있어서, 식(1)로 표시되는 구조 단위가 하기 식(2) 및 하기 식(3)으로 표시되는 구조 단위를 함유하는 폴리이미드:
    (식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 1~4의 알콕시기를 나타낸다.)
    (식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 1~4의 알콕시기를 나타낸다.)
  3. 제1항에 있어서, 상기 식(1)로 표시되는 구조 단위 및 하기 식(4)로 표시되는 구조 단위로 이루어지고 수 평균 분자량이 4,000~200,000인 폴리이미드:
    [식 중, X는 -SO2-또는 -C(=O)-OCH2CH2O-C(=O)-을 나타내고, Ar은 벤젠고리를 1~6개 갖는 2가의 기를 나타낸다. 단, Ar가 하기 식을 나타내는 경우를 제외한다.
    (식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 1~4의 알콕시기를 나타낸다.)
  4. 제3항에 있어서, 상기 식(1)로 표시되는 구조 단위가 40~99몰%이며, 상기 식(4)로 표시되는 구조단위가 60~1몰%인 폴리이미드.
  5. 제3항 도는 4항에 있어서, 상기 식(1)로 표시되는 구조 단위가 상기 식(2) 및 상기 식(3)으로 표시되는 구조 단위로 이루어지는 폴리이미드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 식(1)로 표시되는 구조 단위 및 하기 식(5)로 표시디는 구조단위로 이루어지고 수평균 분자량이 4,000~200,000인 폴리이미드.
    [식 중, X는 -SO2- 또는 -C(=O)-OCH2CH2O-C(=O)-을 나타내고, R은 탄소수 2~20의 알킬렌기 또는 -R′-[Si(CH3)2O]nSi(CH3)2-R′ (단, R`은 탄소수 1~10의 알킬렌기 또는 페녹시메틸렌기를 나타내고, n은 1~20의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 디메틸실록산기를 나타낸다.]
  7. 제6항에 있어서, 상기 식(1)로 표시되는 구조 단위가 40~99몰%이며, 상기 식(5)로 표시되는 구조단위가 60~1몰%인 폴리이미드.
  8. 제6항 또는 7항에 있어서, 상기 식(1)로 표시되는 구조 단위가 상기 식(2) 및 상기 식(3)으로 표시되는 구조 단위로 이루어지는 폴리이미드.
  9. 제1항에 있어서, 상기 식(1)로 표시되는 구조 단위 및 하기 식(6)으로 표시되는 구조 단위로 이루어지고, 수 평균 분자량이 4,000~200,000인 폴리이미드.
    (식 중, X`는 직접 결합, -O-, -C(=O)-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-을 나타내고, R9, R10, R16및 R12은 각각 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 1~4의 알콕시기를 나타낸다.)
  10. 제9항에 있어서, 상기 식(1)로 표시되는 구조 단위가 40~99몰%이며, 상기 식(6)으로 표시되는 구조단위가 60~1몰%인 폴리이미드.
  11. 제9항 또는 10항에 있어서, 상기 식(1)로 표시되는 구조 단위가 상기 식(2) 및 상기 식(3)으로 표시되는 구조 단위로 이루어지는 폴리이미드.
  12. 하기 식(7)로 표시되는 테트라카르복실산 이무수물과 하기 식(8)로 표시되는 화합물을 반응시킴을 특징으로 하는 제1항에 기재된 폴리이미드의 제조방법.
    (식 중, X는 -SO2-또는 -C(=O)-OCH2CH2O-C(=O)-을 나타낸다.)
    (식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 1~4의 알콕시기를 나타내고, Y는 아미노기 또는 이소시아네이트기를 나타낸다.)
  13. 상기 식(7)로 표시되는 테트라카르복실산 이무수물, 상기 식(8)로 표시되는 화합물 및 하기 식(9)로 표시되는 화합물을 반응시킴을 특징으로 하는 제3항에 기재된 폴리이미드의 제조방법.
    Y-Ar-Y (9)
    [식 중, Ar은 벤젠고리를 1~6개 갖는 2가의 기를 나타내고, Y는 아미노기 또는 이소시아네이트기를 나타낸다. 단, Ar가 하기 식을 나타내는 경우를 제외한다.
    (식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 탄소수 1~4의 알킬기 또는 탄소수 1~4의 알콕시기를 나타낸다.)]
  14. 상기 식(7)로 표시되는 테트라카르복실산 이무수물, 상기 식(8)로 표시되는 화합물 및 하기 식(10)로 표시되는 화합물을 반응시킴을 특징으로 하는 제6항에 기재된 폴리이미드의 제조방법.
    Y-R-Y (10)
    [식 중, R은 탄소수 2~20의 알킬렌기 또는 -R′-[Si(CH3)2O]nSi(CH3)2-R′-(단, R′은 탄소수 1~10의 알킬렌기 또는 페녹시메틸렌기를 나타내고, n은 1~20의 정수를 나타낸다.]로 표시되는 디메틸 실록산기를 나타내고, Y는 아미노기 또는 이소시아네이트기를 나타낸다.
  15. 상기 식(7)로 표시되는 테트라카르복실산 이무수물, 상기 식(8)로 표시되는 화합물 및 하기 식(11)로 표시되는 화합물을 반응시킴을 특징으로 하는 제9항에 기재된 폴리이미드의 제조방법.
    (식 중, X`는 직접 결합, -O-, -C(=O)-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-을 나타낸다.)
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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