KR960032656A - 반도체 제조장치 및 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 제조장치 및 반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 이면 상에 존재하는 입자들을 제거하기 위한 반도체 제조장치 및 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 대표적인 반도체 제조장치는 다음과 같은 구성요소를 포함한다.
즉, 본 발명의 반도체 제조장치는, 표면과 이면을 지닌 반도체 웨이퍼를 지지하며 반도체 웨이퍼의 이면과 접촉하는 지지수단과, 가스를 분출하기 위한 복수개의 노즐을 지니며, 각각의 노즐은 반도체 웨이퍼의 이면과 일정각도를 이루면서 제공되고 제1방향으로 경사지게 형성되며, 반도체 웨이퍼의 이면과 대해 가스를 토출하기 위한 가스 유출수단과, 반도체 웨이퍼의 외주연 말단에 인접하여 위치하고 상기한 제1방향으로 연장되도록 배치되며, 가스를 흡기하기 위한 배기수단을 포함한다.

Description

반도체 제조장치 및 반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 제조장치를 나타낸 개략도

Claims (26)

  1. 표면과 이면을 지닌 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼를 회전시키는 단계와, 소정의 방향으로 제1기류가 형성되도록 상기한 반도체 웨이퍼의 이면에 대해 가스를 토출하면서, 상기한 반도체 웨이퍼의 이면 상에 존재하는 입자들을 제거하기 위하여 상기한 반도체 웨이퍼의 이면에 대해 가스를 토출하는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼의 이면에서 제거된 상기한 입자들을 흡기하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
  2. 제1항에 있어서, 상기한 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  3. 제1항에 있어서, 상기한 가스는 반도체 웨이퍼의 이면에 대하여 소정 각도로 토출되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  4. 제3항에 있어서, 상기한 소정 각도는 0°보다 크고 90°미만인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  5. 표면과 이면을 지닌 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계와, 소정의 방향으로 제1기류가 형성되도록 상기한 반도체 웨이퍼의 표면에 가스를 적용하면서, 소정의 방향으로 상기한 반도체 웨이퍼의 표면에 가스를 공급하는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼를 회전시키는 단계와, 소정의 방향으로 제2기류가 형성되도록 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 대해 가스를 토출하면서, 상기한 반도체 웨이퍼의 이면 상에 존재하는 입자들을 제거하기 위하여 상기한 반도체 웨이퍼의 이면에 대해 가스를 토출하는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼의 이면에서 제거된 상기한 입자들을 흡기하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
  6. 제5항에 있어서, 상기한 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  7. 제5항에 있어서, 상기한 가스는 반도체 웨이퍼의 이면에 대하여 소정의 각도로 토출되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  8. 제7항에 있어서, 상기한 소정 각도는 0°보다 크고 90°미만인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  9. 표면과 이면을 지닌 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼를 회전시키는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼의 외주연 말단을 향하여 제1기류가 발생되도록 상기한 반도체 웨이퍼의 이면에 대하여 가스를 토출하면서, 상기한 반도체 웨이퍼의 이면 상에 존재하는 입자들을 제거하기 위하여 상기한 반도체 웨이퍼의 이면에 대해 가스를 토출하는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼의 이면 및 상기한 반도체 웨이퍼의 외주연 말단주변에서 제거된 상기한 입자들을 흡기하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
  10. 제9항에 있어서, 상기한 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  11. 제10항에 있어서, 상기한 가스는 반도체 웨이퍼의 이면에 대하여 소정의 각도로 토출되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  12. 제11항에 있어서, 상기한 소정 각도는 0°보다 크고 90°미만인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  13. 표면과 이면을 지닌 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계와, 소정의 방향으로 제1기류가 형성되도록 상기한 반도체 웨이퍼의 표면에 가스를 적용하면서, 소정의 방향으로 상기한 반도체 웨이퍼의 표면에 가스를 공급하는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼를 회전시키는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼의 외주연 말단을 향하여 제2기류가 발생되도록 상기한 반도체 웨이퍼의 이면에 대하여 가스를 토출하면서, 상기한 반도체 웨이퍼의 이면 상에 존재하는 입자들을 제거하기 위하여 상기한 반도체 웨이퍼의 이면에 대해 가스를 토출하는 단계와, 상기한 반도체 웨이퍼의 이면 및 상기한 반도체 웨이퍼의 외주연 말단 부근에서 제거된 상기한 입자들을 흡기하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
  14. 제13항에 있어서, 상기한 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  15. 제13항에 있어서, 상기한 가스는 반도체 웨이퍼의 이면에 대하여 소정의 각도로 토출되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  16. 제15항에 있어서, 상기한 소정 각도는 0°보다 크고 90°미만인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  17. 반도체 웨이퍼의 이면과 접촉하며 표면과 이면을 지닌 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지수단과, 가스를 분출하기 위한 복수개의 노즐을 지니며, 각각의 노즐은 반도체 웨이퍼의 이면과 일정 각도를 이루면서 제공되고 제1방향으로 경사지게 형성되며, 반도체 웨이퍼의 이면에 대해 가스를 토출하기 위한 가스 유출수단과, 반도체 웨이퍼의 외주연 말단에 인접하여 위치하고 상기한 제1방향으로 연장되도록 배치되며, 가스를 흡기하기 위한 배기수단을 포함하는 반도체 제조장치
  18. 제17항에 있어서, 상기한 각각의 노즐과 상기한 반도체 웨이퍼의 이면 사이에 형성된 각도는 0°보다 크고 90°미만인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치
  19. 제17항에 있어서, 상기한 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치
  20. 반도체 웨이퍼의 이면과 접촉하며 표면과 이면을 지닌 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지수단과, 가스를 분출하기 위한 복수개의 노즐을 지니며, 각각의 노즐은 반도체 웨이퍼의 이면과 일정 각도를 이루면서 제공되고 제1방향으로 경사지게 형성되며, 반도체 웨이퍼의 이면에 대해 가스를 토출하기 위한 제1가스 유출수단과, 반도체 웨이퍼의 표면 상에 제1방향으로 기류를 생성하기 위한 제2가스 유출수단과, 반도체 웨이퍼의 외주연 말단에 인접하여 위치하고 상기한 제1방향으로 연장되도록 제공되며, 가스를 흡기하기 위한 배기수단을 포함하는 반도체 제조장치
  21. 제20항에 있어서, 상기한 각각의 노즐과 상기한 반도체 웨이퍼의 이면 사이에 형성된 각도는 0°보다 크고 90°미만인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치
  22. 제20항에 있어서, 상기한 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치
  23. 반도체 웨이퍼의 이면과 접촉하며 표면과 이면을 지닌 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지수단과, 가스를 분출하기 위한 복수개의 노즐을 지니며, 각각의 노즐은 반도체 웨이퍼의 이면과 일정 각도를 이루면서 제공되고 제1방향으로 경사지게 형성되며, 반도체 웨이퍼의 이면에 대해 가스를 토출하기 위한 가스 유출수단과, 반도체 웨이퍼의 외주연 말단에 인접하여 위치하며, 가스를 흡기하기 위한 배기수단을 포하하는 반도체 제조장치
  24. 제23항에 있어서, 상기한 각각의 노즐과 상기한 반도체 웨이퍼의 이면 사이에 형성된 각도는 0°보다 크고 90°미만인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치
  25. 제23항에 있어서, 상기한 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치
  26. 제23항에 있어서, 상기한 가스 유출수단은 회전가능한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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