KR960030435A - 신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents
신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960030435A KR960030435A KR1019950000788A KR19950000788A KR960030435A KR 960030435 A KR960030435 A KR 960030435A KR 1019950000788 A KR1019950000788 A KR 1019950000788A KR 19950000788 A KR19950000788 A KR 19950000788A KR 960030435 A KR960030435 A KR 960030435A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- collector
- layer
- electrode
- single crystal
- base
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract 9
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0821—Collector regions of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41708—Emitter or collector electrodes for bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42304—Base electrodes for bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1004—Base region of bipolar transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
본 발명은 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 베이스와 콜렉터간의 정전용량이 대폭적으로 감소된 바이폴라 트랜지스터 및 선택적 에피택시 공정을 이용하여 전기 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발병의 바이폴라 트랜지스터는 선택적 에피택시 공정시 에피층의 성장을 방해하도록 단결정 기판(41) 상에 수평방향(단결정기판의 110방향)과 10°내지 40°의 각을 이루면서 유전체 박막으로 형성된 마스크(20); 전기 마스크(20)의 상부에 형성되며 베이스-콜렉터간의 정전용량을 감소시켜 주기 위한 빈 공간(31); 단결정 기판 위에 형성된 서브 콜렉터층(42), 콜렉터층(43), 베이스층(44), 에미터층(45), 및 에미터 캡층(46);및, 에미터 전극(48), 베이스전극(49) 및 콜렉터 전극(47)을 포함하여, 마스크 형성공정, 선택적 에피택시공정, 식각 및 전극형성공정에 의해 제조되고, 본 발명에 의해 콜렉터가 절연기판 내부에 묻히지 않는 구조를 지니면서도 효과적으로 베이스-콜렉터간의 정전용량을 대폭적으로 감소시킴으로써, 동작속도가 향상된 바이폴라 트랜지스터를 간단한 공정에 의해 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 바이폴라 트랜지스터에 대한 제조공정을 순차적으로 도시한 제조과정이다.
Claims (4)
- 선택적 에피택시 공정시 에피층의 성장을 방해하도록 단결정 기판(41) 상에 수평방샹(단결정기판의 110방향)과 10°내지 40°의 각을 이루면서 유전체박막으로 형성된 마스크(20); 전기 마스크(20)의 상부에 형성되며 베이스-콜렉터간의 정전용량을 감소시켜 주기 위한 빈 공간(31); 단결정 기판 위에 형성된 서브 콜렉터층(42), 콜렉터층(43), 베이스층(44), 에미터층(45), 및 에미터 캡층(46);및, 에미터 전극(48), 베이스전극(49) 및 콜렉터 전극(47)을 포함하는 바이폴라 트랜지스터.
- (i) 단결정 기판 상에 유전체 박막을 사용하여 수평방향(단결정 기판의 110방향)과 10°내지 40°의 각을 이루어 마스크를 형성하는 공정; (ii) 전기 마스크의 상부에 빈 공간이 형성되도록 선택적 에피택시 공정에 의해 서브 콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층을 형성하는 공정; 및, (iii) 에미터 전극, 베이스 전극 및 콜렉터 전극을 형성하기 위한 식각 및 전극형성공정을 포함하는 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 단결정 기판으로는 GaAs기판, InP기판, GaP기판 및 Si기판으로부터 선택된 1종의 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 선택적 에피택시 공정으로는 유기금속화학 증착법, 분자선 에피택시 공정, 기상에피택시 공정 및 액상에피택시 공정으로부터 선택된 1종을 사용하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950000788A KR0155220B1 (ko) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950000788A KR0155220B1 (ko) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960030435A true KR960030435A (ko) | 1996-08-17 |
| KR0155220B1 KR0155220B1 (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=19406888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950000788A KR0155220B1 (ko) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0155220B1 (ko) |
-
1995
- 1995-01-18 KR KR1019950000788A patent/KR0155220B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0155220B1 (ko) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970054342A (ko) | 베이스 결정박막 바이폴러 트랜지스터의 소자격리와 컬렉터－베이스 자기정렬의 동시 형성방법 | |
| US5682040A (en) | Compound semiconductor device having a reduced resistance | |
| US4967254A (en) | Semiconductor device | |
| GB2228617A (en) | A method of manufacturing a semiconductor device having a mesa structure | |
| KR960030435A (ko) | 신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| KR880005690A (ko) | 선택적인 에피켁샬층을 사용한 BiCMOS 제조방법 | |
| JP2002009253A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002359249A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| KR970054370A (ko) | 수평구조 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970077721A (ko) | 바이폴라소자 및 그 제조방법 | |
| KR960006749B1 (ko) | 수직구조 쌍극자 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR950000138B1 (ko) | 이중 측면절연막을 갖는 자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법 | |
| KR940004260B1 (ko) | 갈륨비소 이종접합 트랜지스터의 제조방법 | |
| EP0355464A2 (en) | Heterojunction bipolar transistor formed on a critically misoriented substrate | |
| KR890008997A (ko) | 트렌치내에 베이스 및 에미터 구조를 갖는 반도체 바이폴라 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | |
| KR20000007258A (ko) | 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR100226852B1 (ko) | 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| JPH06209077A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100340927B1 (ko) | 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법 | |
| JPH0453108B2 (ko) | ||
| KR940027195A (ko) | 에미터-콜렉터 자기정합 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR900019139A (ko) | 고성능 횡방향 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor)의 제조방법 | |
| JPH0577174B2 (ko) | ||
| JPS6254967A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH0571171B2 (ko) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040622 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |