KR960030435A - 신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 베이스와 콜렉터간의 정전용량이 대폭적으로 감소된 바이폴라 트랜지스터 및 선택적 에피택시 공정을 이용하여 전기 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발병의 바이폴라 트랜지스터는 선택적 에피택시 공정시 에피층의 성장을 방해하도록 단결정 기판(41) 상에 수평방향(단결정기판의 110방향)과 10°내지 40°의 각을 이루면서 유전체 박막으로 형성된 마스크(20); 전기 마스크(20)의 상부에 형성되며 베이스-콜렉터간의 정전용량을 감소시켜 주기 위한 빈 공간(31); 단결정 기판 위에 형성된 서브 콜렉터층(42), 콜렉터층(43), 베이스층(44), 에미터층(45), 및 에미터 캡층(46);및, 에미터 전극(48), 베이스전극(49) 및 콜렉터 전극(47)을 포함하여, 마스크 형성공정, 선택적 에피택시공정, 식각 및 전극형성공정에 의해 제조되고, 본 발명에 의해 콜렉터가 절연기판 내부에 묻히지 않는 구조를 지니면서도 효과적으로 베이스-콜렉터간의 정전용량을 대폭적으로 감소시킴으로써, 동작속도가 향상된 바이폴라 트랜지스터를 간단한 공정에 의해 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 바이폴라 트랜지스터에 대한 제조공정을 순차적으로 도시한 제조과정이다.
Claims (4)
- 선택적 에피택시 공정시 에피층의 성장을 방해하도록 단결정 기판(41) 상에 수평방샹(단결정기판의 110방향)과 10°내지 40°의 각을 이루면서 유전체박막으로 형성된 마스크(20); 전기 마스크(20)의 상부에 형성되며 베이스-콜렉터간의 정전용량을 감소시켜 주기 위한 빈 공간(31); 단결정 기판 위에 형성된 서브 콜렉터층(42), 콜렉터층(43), 베이스층(44), 에미터층(45), 및 에미터 캡층(46);및, 에미터 전극(48), 베이스전극(49) 및 콜렉터 전극(47)을 포함하는 바이폴라 트랜지스터.
- (i) 단결정 기판 상에 유전체 박막을 사용하여 수평방향(단결정 기판의 110방향)과 10°내지 40°의 각을 이루어 마스크를 형성하는 공정; (ii) 전기 마스크의 상부에 빈 공간이 형성되도록 선택적 에피택시 공정에 의해 서브 콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층을 형성하는 공정; 및, (iii) 에미터 전극, 베이스 전극 및 콜렉터 전극을 형성하기 위한 식각 및 전극형성공정을 포함하는 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 단결정 기판으로는 GaAs기판, InP기판, GaP기판 및 Si기판으로부터 선택된 1종의 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 선택적 에피택시 공정으로는 유기금속화학 증착법, 분자선 에피택시 공정, 기상에피택시 공정 및 액상에피택시 공정으로부터 선택된 1종을 사용하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR0155220B1 KR0155220B1 (ko) | 1998-10-15 |
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| KR1019950000788A KR0155220B1 (ko) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
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| KR (1) | KR0155220B1 (ko) |
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1995
- 1995-01-18 KR KR1019950000788A patent/KR0155220B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR0155220B1 (ko) | 1998-10-15 |
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