KR970077721A - 바이폴라소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판상에 상기 기판의 결정방향과 경사진 각도를 가지며 에피덱셜 성장지연층을 형성하는 공정과, 상기 기판상에 상기 절연층과 인접하고, 상기 절연층과의 인접부에서 경사면을 가지고, 경사면에 연장된 상층부를 가지는 콜렉터층을 형성하는 공정과, 상기 콜렉터층의 경사면위에는 얇은 두께를 가지고 상기 콜렉터층의 상층부위에는 경사면 보다 두꺼운 두께를 가지는 베이스층을 형성하는 공정과, 상기 베이스층위에 에미터층을 형성하는 공정을 포함하는 바이폴라소자의 제조방법이다. 또 도전전극 물질을 데포지션하고 이를 패터닝하여 경사면 위에 에미터전극을 형성하는 단계, 상기 에미터층을 사진식각하여 에미터를 형성하고 동시에 베이스층을 노출시키고, 도전 물질을 데포지션하고 패터닝하여 에미터 전극과 인접한 베이스층위에 베이스 전극을 형성하는 단계, 상기 베이스층을 사진식각하여 베이스를 형성하고, 상기 에미터와 베이스 하부를 제외한 콜레터층을 식각하여 노출시키고, 도전물질을 데포지션하고 패터닝하여 콜렉터전극을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.

Description

바이폴라소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 에피택시 성장지연층의 형성 위치를 설명하기 위한 사시도.

Claims (23)

  1. 기판위에 형성된 절연층, 상기 절연층과 인접하고, 상기 절연층과의 인접부에서 경사면을 가지고 상기 기판상에 형성된 콜렉터, 상기 콜렉터의 경사면과 상기 콜렉터의 상측 일부에 형성된 베이스, 상기 콜렉터의 경사면에 대응하는 상기 베이스상에 형성된 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 콜렉터는 상기 절연층보다 두껍고, 상기 베이스는 상기 콜렉터의 경사면위에는 얇고, 상기 콜렉터의 상측 일부에는 두껍게 형성되고, 상기 에미터와 상기 절연층위에 형성된 에미터전극과, 상기 두껍게 형성된 베이스위에 형성된 베이스 전극과, 상기 베이스가 형성되지 아니한 콜렉터에 형성된 콜렉터전극을 포함하는 바이폴라소자.
  3. 제1항에 있어서 상기 에미터는 얇은 베이스와 두꺼운 베이스의 일부를 덮는 형태로 형성된 것이 특징인 바이폴라소자.
  4. 제1항에 있어서 상기 절연막은 소자분리 절연막으로 사용되는 것이 특징인 바이폴라소자.
  5. 제1항에 있어서 상기 절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성된 것이 특징인 바이폴라소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판으로는 GaAs, INP GaP, 또는 Si 기판 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 바이폴라소자의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서 상기 에미터는 n+반도체로 형성되고, 상기 베이스는 p+반도체로 형성되고, 상기 콜렉터는 n+반도체로 형성된 NPN 트랜지스터인 것이 특징인 바이폴라소자.
  8. 제1항에 있어서 상기 에미터는 p+반도체로 형성되고, 상기 베이스는 n+반도체로 형성되고, 상기 콜레터는 p+반도체로 형성된 PNP 트랜지스터인 것이 특징인 바이폴라소자.
  9. 기판상에 상기 기판의 결정방향과 경사진 각도를 가지며 에피덱셜 성장지연층을 형성하는 공정과, 상기 기판상에 상기 절연층과 인접하고, 상기 절연층과의 인접부에서 경사면을 가지고, 경사면에 연장된 상층부를 가지는 콜렉터층을 형성하는 공정과 상기 콜렉터층의 경사면위에는 얇은 두께를 가지고 상기 콜렉터층의 상층 부위에는 경사면 보다 두꺼운 두께를 가지는 베이스층을 형성하는 공정과, 상기 베이스층위에 에미터층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라소자의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 도전전극 물질을 데포지션하고 이를 패터닝하여 경사면 위에 에미터전극을 형성하는 단계, 상기 에미터층을 사진식각하여 에미터를 형성하고 동시에 베이스층을 노출시키고, 도전 물질을 데포지션하고 패터닝하여 에미터 전극과 인접한 베이스층위에 베이스 전극을 형성하는 단계, 상기 베이스층을 사진식각하여 베이스를 형성하고, 상기 에미터와 베이스 하부를 제외한 콜랙터층을 식각하여 노출시키고, 도전 물질을 데포지션하고 패터닝하여 콜렉터전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하여 이루어지는 바이폴라소자의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 성장지연층은 실리콘산화막으로 형성하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 성장지연층은 실리콘질화막으로 형성하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 성장지연층은 기판의 결정 구조 방향에 대하여 10 내지 40도 정도로 경사지게 형성하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 콜렉터층은 n+서브콜렉터층과 n-콜렉터층으로 형성하고, 베이스층은 p+층으로 형성하며, 에미터층은 n-에미터층과 n+에미터캡층으로 형성하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 콜렉터층은 p+서브콜렉터층과 p-콜렉터층으로 형성하고, 베이스층은 n+층으로 형성하며, 에미터층은 p-에미터층과 P+에미터캡층으로 형성하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 콜렉터전극, 베이스 전극 및 에미터 전극은 메탈로 형성하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  17. 제10항에 있어서, 상기 에미터전극은 포토 리소그래피 공정을 이용하여 경사면과 두꺼운 베이스층의 가장자리위를 덮도록 형성하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  18. 제10항에 있어서, 상기 에미터전극은 포토 리소그래피 공정을 이용하여 경사면위에만 형성되도록 하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 에미터층을 식각할 때는 에미터 캡층과 에미터층을 식각하고, 베이스층을 식각할때는 베이스층과 콜렉터층을 식각하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 에미터층을 식각할 때는 에미터 캡층과 에미터층을 식각하고, 베이스층을 식각할때는 베이스층과 콜렉터층을 식각하는 것이 특징인 바이폴라소자의 제조방법.
  21. 제9항에 있어서, 상기 기판으로는 GaAs, INP, GaP, 또는 Si 기판 중에서 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 바이폴라소자의 제조방법.
  22. 제9항에 있어서, 에피택시 공정으로는 유기 금속화학 증착법(MOCVD), 분자선 에피택시 공정(MBE), 기상 에피택시(VPE) 및 액상 에피택시(LPE) 공정 중에서 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 바이폴라소자의 제조방법.
  23. 재10항에 있어서, 에미터 전극형성후 에미터 전극을 식각 마스크로 사용하여 베이스층까지 식각하는 것을 특징으로 하는 바이폴라소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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