KR960030356A - 웨이퍼로부터 다이를 절단하여 분리시키는 방법 및 장치 - Google Patents

웨이퍼로부터 다이를 절단하여 분리시키는 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 개개의 소자로 절단하는 장치 및 그 사용 방법에 관한 것이다, 앤빌(100)은 웨이퍼(300)가 장착된 유연성 막에 대하여 가압된다. 애빌(100)에는 진공이 가해지므로 유연성 막 및 웨이퍼(300)가 앤빌(100)면에 대하여 가압되게 된다. 유연성 막이 앤빌(100)에 대하여 변형될 때 웨이퍼(300)가 개개의 소자로 절단된다. 웨이퍼(300)가 절단될 때 발생되는 다이싱 조각이 베이스 구조물(408)로 떨어지게 되어 있어서 이들 조각들이 소자와 접촉하지 않고 상기 소자에 손상을 주지 않는다.

Description

웨이퍼로부터 다이를 절단하여 분리시키는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 위에퍼를 절단하는데 사용되는 앤빌(anvil)에 대한 본 발명의 한 실시예에 따른 평면도.

Claims (11)

  1. 웨이퍼를 웨이퍼 부분으로 분리시키기 위한 방법에 있어서, 웨이퍼를 유연성 막 위에 장치하는 단계, 물리적으로 웨이퍼를 웨이퍼 부분으로 분리시키기 위해 웨이퍼를 앤빌로 변형시키는 단계, 및 공간적으로 웨이퍼 부분을 분리시키기 위해 상기 막을 연장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 웨이퍼 부분으로 분리시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 변현시키는 단계에 앞서 웨이퍼 부분들 간의 에이퍼 영역을 연화(weakening)시키는 단계를 더 포함하며, 이러한 연화 단계에 의해 연화된 영역의 절단이 용이해지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 웨이퍼 부분으로 분리시키는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 변형시키는 단계는, 상기 앤빌과 유연성 막을 접촉시키는 단계, 및 상기 유연성 막이 상기 앤빌에 대하여 압축되도록 상기 앤빌의 내부 영역을 진공화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 웨이퍼 부분으로 분리시키는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유연성 막은 내측링과 외측링 사이에 속박되어 있으며, 상기 연장 단계는 상기 내측링을 제3의 링 속으로 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 웨이퍼 부분으로 분리시키는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유연성 막은 내측링과 외측링의 제1부분 사이에 속박되어 있으며, 상기 연장 단계는 상기 내측링을 상기 외측링의 제2부분 속으로 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 웨이퍼 부분으로 분리시키는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유연성 막은 내측링과 외측링의 제1부분 사이에 속박되어 있으며, 상기 연장 단계는 분할링을 외측링의 제2부분 상에 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 웨이퍼 부분으로 분리시키는 방법.
  7. 웨이퍼를 소자로 분리시키는 장치에 있어서, 앤빌, 일면에 웨이퍼가 붙어 있는 유연성 막을 지지하는 테이프 프레임, 상기 앤빌이 유연성 막 및 웨이퍼를 변형시켜 웨이퍼를 개개의 소자로 절단시킬 때 상기 테이프 프레임을 지지하는 베이스 구조물, 및 공간적으로 개개의 소자를 분리시키기 위해 유연성 막을 연장시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 소자로 분리시키는 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 테이프 프레임은 내측링 및 외측링으로 구성되고 있고, 상기 유연성 막은 상기 내측링과 상기 외측링의 제1부분 사이에 속박되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 소자로 분리시키는 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유연성 막을 연장시키는 수단은 상기 내측링은 제3링 속으로 가압하기 위해 상기 앤빌 상에 립(lip)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 소자로 분리시키는 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 유연성 막을 연장시키는 수단은 상기 내측링을 상기 외측링의 제2부분에 가압하기 위해 앤빌 상에 립을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 소자로 분리시키는 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 유연성 막을 연장시키는 수단은 상기 내측링으로부터 분할링을 가압하여 상기 분할링이 상기 외측링의 제2부분에 대향하여 상기 유연성 막을 연장 및 가압하도록 하기 위해 앤빌 상에 립을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼를 소자로 분리시키는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6685073B1 (en) * 1996-11-26 2004-02-03 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for stretching and processing saw film tape after breaking a partially sawn wafer
US6184063B1 (en) * 1996-11-26 2001-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for breaking and separating a wafer into die using a multi-radii dome
US5899730A (en) * 1997-11-14 1999-05-04 Lucent Technologies Inc. Method of handling semiconductor wafers, bars and chips
US6187654B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-13 Intercon Tools, Inc. Techniques for maintaining alignment of cut dies during substrate dicing
US6165232A (en) * 1998-03-13 2000-12-26 Towa Corporation Method and apparatus for securely holding a substrate during dicing
US6325059B1 (en) 1998-09-18 2001-12-04 Intercon Tools, Inc. Techniques for dicing substrates during integrated circuit fabrication
US6205994B1 (en) * 1998-12-23 2001-03-27 Lucent Technologies, Inc. Scriber adapter plate
US6465329B1 (en) 1999-01-20 2002-10-15 Amkor Technology, Inc. Microcircuit die-sawing protector and method
US6688300B2 (en) 1999-04-08 2004-02-10 Intercon Technologies, Inc. Techniques for dicing substrates during integrated circuit fabrication
AU7367400A (en) * 1999-09-09 2001-04-10 Allied-Signal Inc. Improved apparatus and methods for integrated circuit planarization
US6589889B2 (en) 1999-09-09 2003-07-08 Alliedsignal Inc. Contact planarization using nanoporous silica materials
US6387778B1 (en) 2000-02-11 2002-05-14 Seagate Technology Llc Breakable tethers for microelectromechanical system devices utilizing reactive ion etching lag
US6812061B1 (en) * 2001-01-17 2004-11-02 Innovative Micro Technology Method and apparatus for assembling an array of micro-devices
KR100441790B1 (ko) * 2001-03-22 2004-07-27 에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드 픽업 및 재치 장치와 그 방법
DE60221060T2 (de) * 2001-03-22 2008-03-20 Asm Assembly Automation Ltd. Vorrichtung und Verfahren zur Bestückungsbehandlung
DE10203397B4 (de) * 2002-01-29 2007-04-19 Siemens Ag Chip-Size-Package mit integriertem passiven Bauelement
CA2490849C (en) * 2004-12-22 2009-12-22 Ibm Canada Limited - Ibm Canada Limitee An automated singularization tool for brittle insulating arrays
CN101198450A (zh) * 2005-06-16 2008-06-11 Nxp股份有限公司 拉伸持箔器的箔片的工具、从晶片移除晶粒的机器及方法
JP5324942B2 (ja) * 2009-01-28 2013-10-23 パナソニック株式会社 ダイシング方法およびエキスパンド装置
US10090430B2 (en) 2014-05-27 2018-10-02 Sunpower Corporation System for manufacturing a shingled solar cell module
TWI543833B (zh) 2013-01-28 2016-08-01 先進科技新加坡有限公司 將半導體基板輻射開槽之方法
TWI561327B (en) 2013-10-16 2016-12-11 Asm Tech Singapore Pte Ltd Laser scribing apparatus comprising adjustable spatial filter and method for etching semiconductor substrate
EP3518126B1 (en) * 2014-05-27 2022-11-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
US11942561B2 (en) 2014-05-27 2024-03-26 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
CN108091705B (zh) * 2014-05-27 2019-07-02 太阳能公司 叠盖式太阳能电池模块
CN108305904B (zh) * 2014-05-27 2022-08-05 迈可晟太阳能有限公司 叠盖式太阳能电池模块
US11482639B2 (en) 2014-05-27 2022-10-25 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US10861999B2 (en) 2015-04-21 2020-12-08 Sunpower Corporation Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects
US20180323105A1 (en) * 2017-05-02 2018-11-08 Psemi Corporation Simultaneous Break and Expansion System for Integrated Circuit Wafers
EP3410473B1 (de) * 2017-05-30 2021-02-24 Infineon Technologies AG Anordnung und verfahren zum vereinzeln von substraten
JP6651208B1 (ja) * 2019-05-15 2020-02-19 ハイソル株式会社 ウェハチャック及びチャックリング

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3448510A (en) * 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
US3562058A (en) * 1967-05-16 1971-02-09 Texas Instruments Inc Method for breaking and separating substrate material
CA858142A (en) * 1969-04-26 1970-12-08 R. St. Louis Jacques Method and apparatus for dicing and cleaning semi-conductor slices
US3493155A (en) * 1969-05-05 1970-02-03 Nasa Apparatus and method for separating a semiconductor wafer
US3727282A (en) * 1970-02-05 1973-04-17 Burroughs Corp Semiconductor handling apparatus
US3677875A (en) * 1970-08-19 1972-07-18 Raychem Corp Method and means of die matrix expansion
US3766638A (en) * 1970-08-31 1973-10-23 Hugle Ind Inc Wafer spreader
US3730410A (en) * 1971-06-16 1973-05-01 T Altshuler Wafer breaker
US3790051A (en) * 1971-09-07 1974-02-05 Radiant Energy Systems Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller
US3918150A (en) * 1974-02-08 1975-11-11 Gen Electric System for separating a semiconductor wafer into discrete pellets
US3920168A (en) * 1975-01-15 1975-11-18 Barrie F Regan Apparatus for breaking semiconductor wafers
US4296542A (en) * 1980-07-11 1981-10-27 Presco, Inc. Control of small parts in a manufacturing operation
JPS6282008A (ja) * 1985-10-04 1987-04-15 三菱電機株式会社 半導体ウエハ−ブレイク装置
KR920004514B1 (ko) * 1987-05-01 1992-06-08 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 반도체소자 제조장치
JP2567395B2 (ja) * 1987-05-01 1996-12-25 住友電気工業株式会社 半導体素子製造装置
JPH03177051A (ja) * 1989-12-05 1991-08-01 Kawasaki Steel Corp 半導体ウエハの切断方法およびその装置
US5227001A (en) * 1990-10-19 1993-07-13 Integrated Process Equipment Corporation Integrated dry-wet semiconductor layer removal apparatus and method
US5310104A (en) * 1991-12-16 1994-05-10 General Electric Company Method and apparatus for cleaving a semiconductor wafer into individual die and providing for low stress die removal

Also Published As

Publication number Publication date
EP0721208A3 (en) 1997-12-03
JPH08236485A (ja) 1996-09-13
US5979728A (en) 1999-11-09
US5710065A (en) 1998-01-20
EP0721208A2 (en) 1996-07-10

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