KR960026607A - 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 기판상에 질소 뎅글링 본드막을 형성하고, 소자분리 영역으로 예정되어 있는 부분을 노출시키는 중첩되어진 패드산화막과 다결정실리콘층 및 제1질화막 패턴을 형성하되, 상기 다결정실리콘층은 언더컷이 지도록 형성하고, 상기 패턴들의 표면에 제2질화막 패턴을 도포한 후, 상기 제2질화막 패턴 양측의 반도체 기판을 열산화시켜 소자분리 산화막을 형성하였으므로, 제2질화막 패턴에 의해 패드산화막 패턴으로의 산소 침투가 방지되어 버즈빅의 크기가 작아지며, 질소 뎅글링 본드막에 의해 질화막 패턴과 반도체 기판간의 스트레스가 완충되어 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조 공정도.
Claims (9)
- 반도체 기판상에 질소 뎅글링 본드막을 형성하는 공정과, 상기 질소 뎅글링 본드막상에 패드산화막을 형성하는 공정과, 상기 패드산화막상에 다결정실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판에서 소자분리영역으로 예정되어 있는 부분 상측의 제1질화막에서 질소 뎅글링 본드막까지를 순차적으로 제거하여 반도체 기판을 노출시키는 제1질화막과 다결정실리콘층과 패드산화막 및 질소 뎅글링 본드막 패턴을 형성하되, 상기 다결정실리콘층 패턴에 언더컷이 지도록 형성하는 공정과, 상기 제1질화막과 다결정실리콘층과 패드산화막 및 질소 뎅글링 본드막 패턴의 표면에 제2질화막 패턴을 형성하여 상기 언더컷을 메우는 공정과, 상기 노출되어 있는 반도체 기판을 열산화시켜 소자분리 산화막을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질소 뎅글링 본드막을 5~30Å 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질소 뎅글링 본드막 형성공정은 H2+O2분위기에서 N20 가스 또는 NH3가스를 첨가하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질소 뎅글링 본드막 형성공정을 800~1000℃ 온도에서 열산화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드산화막을 100~300Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다결정실리콘층을 300~800Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1질화막을 1000~2000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소자분리 산화막 형성을 위한 열산화 공정을 900~1200℃ 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소자분리 산화막 형성을 위한 열산화 공정을 건식이나 습식으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039248A KR100281278B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039248A KR100281278B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026607A true KR960026607A (ko) | 1996-07-22 |
| KR100281278B1 KR100281278B1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=66647564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039248A KR100281278B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 소자분리 산화막의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100281278B1 (ko) |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039248A patent/KR100281278B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100281278B1 (ko) | 2001-03-02 |
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