TH37026A - วิธีการก่อรูปบริเวณแยกโดดด้านซิลิคอนไดออกไซด์ความร้อนที่แคบในชนิดสารกึ่งตัวนำและอุปกรณ์มอสชนิดสารกึ่งตัวนำที่ได้รับการติดประกอบโดยวิธีการนี้ - Google Patents
วิธีการก่อรูปบริเวณแยกโดดด้านซิลิคอนไดออกไซด์ความร้อนที่แคบในชนิดสารกึ่งตัวนำและอุปกรณ์มอสชนิดสารกึ่งตัวนำที่ได้รับการติดประกอบโดยวิธีการนี้Info
- Publication number
- TH37026A TH37026A TH9801003458A TH9801003458A TH37026A TH 37026 A TH37026 A TH 37026A TH 9801003458 A TH9801003458 A TH 9801003458A TH 9801003458 A TH9801003458 A TH 9801003458A TH 37026 A TH37026 A TH 37026A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- semiconductor
- silicon dioxide
- type
- substrate
- formation
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (28/09/41) วิธีการหนึ่งได้รับการเปิดเผยไว้สำหรับการก่อรูปบริเวณแยกโดดด้านซิลิคอนไดออกไซด์ความ ร้อนที่แคบในแผ่นฐานรองชนิดสาร กึ่งตัวนำและอุปกรณ์ชนิดสารกึ่งตัวนำชนิดมอสหรือชนิดซีมอส ที่ได้รับ การติดประกอบโดยวิธีการนี้ สิ่งกีดขวางการแพร่ซึม ทางขวางที่เป็นออกซิไนไตรด์ที่บางต่อออกซิเจน ได้รับการใช้ ร่วมกับชั้นระบายความเค้นบัฟเฟอร์พอลิซิลิคอนบนพื้นผิวของ แผ่นฐานรองชนิดสารกึ่งตัวนำ ก่อนหน้ากระบวนการออกซิไดซ์สนามเพื่อจำกัดการขยายตัวทางขวางของซิลิคอนไดออกไซด์ซึ่งทำให้ สามารถเกิดการสร้างบริเวณแยกโดดด้านซิลิคอนไดออกไซด์ความ ร้อนที่แคบในแผ่นฐานรองชนิดสาร กึ่งตัวนำได้ วิธีการหนึ่งได้รับการเปิดเผยไว้สำหรับการก่อรูปบริเวณแยกโดดด้านซิลิคอนไดออกไซด์ความร้อนที่แคบในแผ่นฐานรองชนิดสาร กึ่งตัวนำและอุปกรณ์ชนิดสารกึ่งตัวนำชนิดมอสหรือชนิดซีมอส ที่ได้รับการติดประกอบโดยวิธีการนี้ สิ่งกีดขวางการแพร่ซึม ทางขวางที่เป็นออกซิไนไตรด์ที่บางต่อออกซิเจนได้รับการใช้ ร่วมกับชั้นระบายความเค้นบัพเฟอร์พอลิซิลิคอนบนพื้นผิวของ แผ่นฐานรองชนิดสารกึ่งตัวนำก่อนหน้ากระบวนการออกซิไดซ์สนาม เพื่อจำกัดการขยายตัวทางขวางของซิลิคอนไดออกไซด์ซึ่งทำให้ สามารถเกิดการสร้างบริเวณแยกโดดด้านซิลิคอนไดออกไซด์ความ ร้อนที่แคบในแผ่นฐานรองชนิดสารกึ่งตัวนำได้
Claims (1)
1. วิธีการก่อรูปบริเวณแยกโดดด้านซิลิคอนไดออกไซด์ทางความร้อนที่แคบในแผ่นฐานรองสารกึ่งตัวนำได้รับการเปิดเผยไว้โดย ประกอบด้วยขั้นตอนของ การจัดเตรียมแผ่นฐานรองสารกึ่งตัวนำ การก่อรูปชั้นออกซิไนไตรด์บนพื้นผิวของแผ่นฐานรองสารกึ่ง ตัวนำที่กล่าวมาแล้ว การเกาะจับชั้นพอลิซิลิคอนอสัณฐานบนพื้นผิวของชั้นออกซิไน ไตรด์ที่กล่าวมาแล้ว การเกาะจับชั้นซิลิคอนไนไตรด์บนพื้นผิวของชั้นพอลิซิลิคอ นอสัณฐานที่กล่าวมาแล้ว การก่อรูปชั้นน้ำยาไว้แสงเป็นแบบรูปให้มีช่องเปิดในที่ นั้นบนพื้นผิวของชั้นซิลิคอนไนไตรด์ที่กล่าวมาแล้ว กแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH37026A true TH37026A (th) | 2000-01-24 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900019171A (ko) | 나이트라이드 층으로 전도층을 덮어 반도체 소자를 제조하는 방법 | |
| ATE345580T1 (de) | Herstellungsverfahren für ein halbleiterbauelement und gate-stapel | |
| TH37026A (th) | วิธีการก่อรูปบริเวณแยกโดดด้านซิลิคอนไดออกไซด์ความร้อนที่แคบในชนิดสารกึ่งตัวนำและอุปกรณ์มอสชนิดสารกึ่งตัวนำที่ได้รับการติดประกอบโดยวิธีการนี้ | |
| TW430943B (en) | Method of forming contact or wiring in semiconductor device | |
| TW429523B (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR970003811A (ko) | 반도체 소자분리막 형성 방법 | |
| DE60236657D1 (de) | Em soi-substrat | |
| KR960026585A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 | |
| KR960026588A (ko) | 반도체소자의 소자분리 방법 | |
| WO2002054470A3 (de) | Verfahren zur kontaktierung eines dotiergebiets eines halbleiterbauelements | |
| KR100262017B1 (ko) | 셀 제조방법 | |
| KR950021107A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026607A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 | |
| KR970052303A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR970063500A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960032676A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막 제조방법 | |
| KR970053102A (ko) | 모스전계효과 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960026283A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 | |
| KR970053523A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960026603A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 | |
| KR970054012A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970008483A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| KR950021102A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960026611A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 | |
| KR960026544A (ko) | 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법 |