KR960025702A - 반도체 메모리장치의 전원 공급시 오동작방지회로 - Google Patents

반도체 메모리장치의 전원 공급시 오동작방지회로 Download PDF

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KR960025702A
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박찬종
윤세승
김병철
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김광호
삼성전자 주식회사
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

1.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 메모리장치.
2.발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 메로리장치에서 초기 전원의 불안정으로 인한 내부회로의 오동작 방지.
3.발명의 해결 방법의 요지
반도체 메모리장치에서 초기 전원의 불안정으로 인한 내부회로의 오동작 방지하기 위하여, 오동작방지회로가, 기준전압을 입력하는 제1입력노드와, 전원전압을 입력하는 제2입력노드와, 상기 제1입력노드 및 제2입력노드의 전압을 비교하여 출력하는 수단과 상기 비교수단의 출력을 입력하며, 상기 비교결과신호가 소정 전압레벨을 초과할 시 스위칭되어 출력하는 수단으로 구성함.
4.발명의 중요한 용도
반도체 메모리장치에서 초기 전원 불안으로 인한 발생될 수 있는 내부회로의 동작들을 전원전압이 안정된 상태에서 공급.

Description

반도체 메모리장치의 전원 공급시 오동작방지회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 메모리장치의 초기전원검출회로도

Claims (3)

  1. 반도체 메모리장치의 초기전원 공급시 오동작방지회로에 있어서, 기준전압을 입력하는 제1입력노드와 전원전압을 입력하는 제2입력노드와 상기 제1입력노드 및 제2입력노드의 전압을 비교하여 출력하는 수단과, 상기 비교수단의 출력을 입력하며, 상기 비교결과신호가 소정 전압레벨을 초과할 시 스위칭되어 출력하는 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 초기전원 공급시 오동작방지회로
  2. 제1항에 있어서, 상기 기준전압이, 초기 전원 공급시 외부 전원전압에 의해 생성되는 기준전압인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 초기전원 공급시 오동작방지회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전원전압이 내부전원 발생기에서 생성되는 전압이며, 상기 기준전압보다 높은 전압레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 초기전원 공급시 오동작방지회로
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940035780A 1994-12-21 1994-12-21 반도체 메모리장치의 전원 공급시 오동작방지회로 KR0158477B1 (ko)

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