KR960019960A - 차동 증폭기 - Google Patents

차동 증폭기 Download PDF

Info

Publication number
KR960019960A
KR960019960A KR1019940030634A KR19940030634A KR960019960A KR 960019960 A KR960019960 A KR 960019960A KR 1019940030634 A KR1019940030634 A KR 1019940030634A KR 19940030634 A KR19940030634 A KR 19940030634A KR 960019960 A KR960019960 A KR 960019960A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power supply
supply voltage
voltage
differential amplifier
node
Prior art date
Application number
KR1019940030634A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0130154B1 (ko
Inventor
오영남
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940030634A priority Critical patent/KR0130154B1/ko
Publication of KR960019960A publication Critical patent/KR960019960A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0130154B1 publication Critical patent/KR0130154B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/471—Indexing scheme relating to amplifiers the voltage being sensed

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 차동 증폭기에 관한 것으로 풀-업(pull-up) 구동단에 스위칭소자를 이용한 동작 전압 조절부를 구현하고 전원전압 검출기를 이용하여 전원전압(Vcc)의 전위에 따라 그 동작 상태를 조절함으로써, 높은 전원전압의 경우에 아웃풋 스윙을 조절하여 스피드 지연을 개선시키고 낮은 전원전압의 경우에는 차동증폭기의 오동작을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

차동 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 차동 증폭기의 블럭도,
제3도는 본 발명에 사용된 전압 감지기의 상세도,
제4도는 본 발명을 이용한 제1 실시예로써 차동 증폭기의 회로도.

Claims (6)

  1. 두개의 입력신호를 차동 증폭하기 위한 증폭수단과, 전원전압의 변화를 감지하는 전원전압 감지수단과, 상기 전원전압 감지수단으로 부터의 출력에 의해 상기 증폭수단에 공급되는 동작전압을 일정하게 유지시키는 동작전압 조절수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전원전압 감지수단은, 상기 제1 전원전압원(Vcc)에 의해 제어되어 상기 제1 전원전압원(Vcc)을 분압하여 출력하는 분압수단과, 상기 전원전압 감지수단으로 부터의 출력전위와 기준전압(Vref)을 비교 증폭하는 전압 비교수단과, 상기 전압 비교수단으로 부터의 비교 증폭된 출력신호를 완충하여 구동전압(det)으로 출력하는 완충수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 완충수단은 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  4. 제2항에 있어서, 상기 전원전압감지수단은, 상기 전원전압 감지기 대신에 퓨즈(Fuse) 또는 본드 패드(Bond PAD)로 부터의 입력이 접속된 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 동작전압 조절수단은 전원전압 강하에 따른 차동증폭기의 공통 모드레인지를 조절할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 동작전압 조절수단은, 전원전압(Vcc) 및 노드(N19) 사이에 접속되며 게이트가 노드(N18)에 연결된 PMOS트랜지스터(Q22)와, 상기 노드(N18) 및 접지전압(Vss) 사이에 접속되며 게이트에 구동전압(det)이 연결된 NMOS트랜지스터(Q24)와, 상기 노드(N18) 및 상기 노드(N19) 사이에 접속되며 게이트에 구동전압(det)가 연결된 PMOS트랜지스터(Q23)로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940030634A 1994-11-21 1994-11-21 차동 증폭기 KR0130154B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940030634A KR0130154B1 (ko) 1994-11-21 1994-11-21 차동 증폭기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940030634A KR0130154B1 (ko) 1994-11-21 1994-11-21 차동 증폭기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960019960A true KR960019960A (ko) 1996-06-17
KR0130154B1 KR0130154B1 (ko) 1998-10-01

Family

ID=19398525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940030634A KR0130154B1 (ko) 1994-11-21 1994-11-21 차동 증폭기

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0130154B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100505569B1 (ko) * 1997-12-08 2005-10-19 삼성전자주식회사 동기식 디램 반도체 장치의 내부 전압 발생기

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100834119B1 (ko) * 2006-10-31 2008-06-02 삼성전자주식회사 Ｍｏｓｆｅｔ회로 구조 및 상기 ｍｏｓｆｅｔ 회로 구조를채용한 ｃｍｏｓ 증폭기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100505569B1 (ko) * 1997-12-08 2005-10-19 삼성전자주식회사 동기식 디램 반도체 장치의 내부 전압 발생기

Also Published As

Publication number Publication date
KR0130154B1 (ko) 1998-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970071820A (ko) 감지 증폭기
KR950025782A (ko) 반도체 소자의 감지 증폭기
KR920013458A (ko) 차동감지 증폭회로
KR100480597B1 (ko) 출력 피드백 신호를 사용하여 오프셋 전압을 조절하는입력 수신기
KR910014947A (ko) 메모리장치
KR950020698A (ko) 동작전압의 변동에 대응 가능한 반도체집적회로의 입력버퍼회로
KR970055264A (ko) 차동 증폭기
KR920017116A (ko) 전류 감지 증폭회로
KR970051131A (ko) 반도체 메모리의 센스 앰프 출력 제어 회로
KR950034259A (ko) 전류차 감지 방식의 고속 감지 증폭기
US4658160A (en) Common gate MOS differential sense amplifier
KR960006283A (ko) 데이타 출력버터
KR960019960A (ko) 차동 증폭기
KR970063248A (ko) 반도체메모리, 디바이스, 신호의 증폭방법, 패스 트랜지스터를 제어하기 위한 방법 및 장치
KR960002357A (ko) 센스앰프
KR940026953A (ko) 반도체 메모리 장치
KR960012716A (ko) 저잡음 출력 버퍼
KR940016256A (ko) 고속동작을 위한 데이타 패스 구조를 갖는 반도체 메모리소자
KR970023402A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로
KR910006974A (ko) 다출력 메모리 소자의 독출 제어회로
KR19980046509A (ko) 외부전원전압 변화에 안정된 동작을 가지는 반도체 메모리 장치
KR100307530B1 (ko) 플래시 메모리의 읽기 센스증폭기 회로
KR100223734B1 (ko) 마스크 롬의 센스증폭기
KR960043519A (ko) 잡음을 억제시키는 출력 버퍼
KR950020721A (ko) 반도체 기억소자의 감지 증폭기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101025

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee