KR960002357A - 센스앰프 - Google Patents

센스앰프 Download PDF

Info

Publication number
KR960002357A
KR960002357A KR1019940014561A KR19940014561A KR960002357A KR 960002357 A KR960002357 A KR 960002357A KR 1019940014561 A KR1019940014561 A KR 1019940014561A KR 19940014561 A KR19940014561 A KR 19940014561A KR 960002357 A KR960002357 A KR 960002357A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
output
signal
sense amplifier
pull
temperature
Prior art date
Application number
KR1019940014561A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0121778B1 (ko
Inventor
유종학
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940014561A priority Critical patent/KR0121778B1/ko
Publication of KR960002357A publication Critical patent/KR960002357A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0121778B1 publication Critical patent/KR0121778B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/08—Control thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/06—Sense amplifier related aspects
    • G11C2207/065—Sense amplifier drivers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 집적호로의 센스 앰프(Sense Amp)에 관한 것으로, 온도와 노이즈(Noise)에 예민한 회로인 센스 앰프의 풀-업 드라이버(pull-up drive)와 풀-다운 드라이버(pull-down-drive)를 온도 감지기 출력을 이용하여 구동회로의 전류를 조절하도록 하여 메모리 회로의 센싱속도를 향상시킬 수 있는 기술이다.

Description

센스앰프
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명을 이용한 센스앰프 회로도,
제3도는 본 발명에 사용된 온도감지기의 회로도.

Claims (8)

  1. 반도체 메모리부, 크로스 커플드 래치 구조의 증폭부, 풀-업드라이버, 풀-다운 드라이버로 이루어진 센스앰프에 있어서, SEP신호에 의해 동작상태가 결정되는 PMOS 트랜지스터(MP4)로 된 제1풀-업 드라이버와, SEN신호에 의해 동작상태가 결정되는 NMOS 트랜지스터(MN4)로 된 제1풀-다운 드라이버와, 온도감지기의 출력신호(TDET)와 SEP신호를 입력부로 하는 제1중계부의 출력에 의해 동작상태가 결정되는 PMOS 트랜지스터(MP3)로 된 제2풀-업 드라이버와, 온도감지기의 출력신호(TDET)와 SEN신호를 입력부로 하는 제2중계부의 출력에 의해 동작상태가 결정되는 NMOS 트랜지스터(MN3)로 된 제2풀-다운 드라이버와, 상기 제1, 제2풀-업 드라이버와, 상기 제1, 제2풀-다운 드라이버가 각각 병렬접속된 구조를 포함하는 센스 앰프.
  2. 제1항에 있어서, 제1중계부는 SEP신호가 로우이고, 온도감지기의 출력이 하이일때 출력이 로우상태가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1중계부는 온도감지기의 출력신호가 인버터를 통해 SEP신호와 함께 NOR 게이트에 입력되고, 이 NOR 게이트의 출력에 인버트가 접속된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2중계부는 SEN신호가 하이이고, 온도감지기의 출력이 하이일때 출력이 로우상태가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2중계부는 온도감지기의 출력신호와 SEN신호가 NAND게이트에 입력되고, 이 NAND 게이트의 출력에 인버트가 접속된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
  6. 제1항에 있어서, 상기 온도감지기는 칩의 온도가 기준 온도보다 높을때 하이로 출력하고, 칩의 온도가 기준 온도보다 낮을 때 로우로 출력하는 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
  7. 제6항에 있어서, 상기 온도 감지기는, 온도 계수가 다른 두 물질 또는 소자를 이용한 제1전압 분배기와, 온도 계수가 같은 물질 또는 소자를 이용한 제2전압 분배기와, 상기 제1전압 분배기와 제2전압 분배기의 출력간의 전압차를 비교 증폭하는 차동증폭기와, 상기 차동증폭기의 출력을 인버터로 출력하는 온도감지신호와, 상기 제1/제2전압 분배기와 차동증폭기의 접지전압(Vss)에 연결되는 전류소모방지회로와, 상기의 회로로 구성된 온도 변화 감지기를 포함하는 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전류소모방지회로는 센스 앰프의 제어신호(RAS)가 로우로 인에이블 될 때, NOMS 트랜지스터가 턴-오프되어 온도감지기에 전류소모가 되지 않도록 구성된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940014561A 1994-06-24 1994-06-24 비트라인 센스 앰프 구동회로 KR0121778B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940014561A KR0121778B1 (ko) 1994-06-24 1994-06-24 비트라인 센스 앰프 구동회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940014561A KR0121778B1 (ko) 1994-06-24 1994-06-24 비트라인 센스 앰프 구동회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960002357A true KR960002357A (ko) 1996-01-26
KR0121778B1 KR0121778B1 (ko) 1997-12-05

Family

ID=19386183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940014561A KR0121778B1 (ko) 1994-06-24 1994-06-24 비트라인 센스 앰프 구동회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0121778B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100456116B1 (ko) * 2002-04-18 2004-11-06 엘지전자 주식회사 버스클럭 전송지연 보상장치와 그 방법
KR100478592B1 (ko) * 2000-11-25 2005-03-28 엘지전자 주식회사 디에스피 스케쥴링 제어 방법
KR100508073B1 (ko) * 1997-08-26 2005-10-27 삼성전자주식회사 온도검출회로및이를구비한스태틱램장치
KR100706828B1 (ko) * 2005-10-06 2007-04-13 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 센스앰프 드라이버 및 이를 이용한 비트라인 센싱방법
KR100816150B1 (ko) * 2007-02-14 2008-03-21 주식회사 하이닉스반도체 온도 감지 장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100661668B1 (ko) * 1999-12-28 2006-12-26 주식회사 하이닉스반도체 온도감지부가 구비된 플래시 메모리의 감지증폭기
KR102552875B1 (ko) 2018-12-03 2023-07-10 삼성전자주식회사 동적 반도체 메모리 장치 및 이를 구비하는 메모리 시스템

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100508073B1 (ko) * 1997-08-26 2005-10-27 삼성전자주식회사 온도검출회로및이를구비한스태틱램장치
KR100478592B1 (ko) * 2000-11-25 2005-03-28 엘지전자 주식회사 디에스피 스케쥴링 제어 방법
KR100456116B1 (ko) * 2002-04-18 2004-11-06 엘지전자 주식회사 버스클럭 전송지연 보상장치와 그 방법
KR100706828B1 (ko) * 2005-10-06 2007-04-13 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 센스앰프 드라이버 및 이를 이용한 비트라인 센싱방법
KR100816150B1 (ko) * 2007-02-14 2008-03-21 주식회사 하이닉스반도체 온도 감지 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR0121778B1 (ko) 1997-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0863978A (ja) 半導体メモリ装置の感知増幅器
KR950020698A (ko) 동작전압의 변동에 대응 가능한 반도체집적회로의 입력버퍼회로
KR970055264A (ko) 차동 증폭기
KR970051131A (ko) 반도체 메모리의 센스 앰프 출력 제어 회로
KR910001746A (ko) 메모리 소자내의 센스 앰프 드라이버
KR100298182B1 (ko) 반도체메모리소자의출력버퍼
KR900002323A (ko) 메모리 셀의 센스앰프 구동회로
KR960002357A (ko) 센스앰프
KR970063273A (ko) 반도체 메모리의 번인 감지 회로
KR100500928B1 (ko) 스위칭포인트 감지회로 및 그를 이용한 반도체 장치
JPH0868827A (ja) 半導体集積回路の静止時電流測定法、半導体集積回路
KR960006283A (ko) 데이타 출력버터
KR970051132A (ko) 비트라인 센스앰프 구동회로
KR950034263A (ko) 자동 비트 라인 프리차지 및 등화기능과 함께 비트 라인 부하를 가진 메모리
KR960012716A (ko) 저잡음 출력 버퍼
KR960027304A (ko) 센스 앰프의 구동 신호 발생 회로
KR960019960A (ko) 차동 증폭기
KR940007238B1 (ko) 센스증폭기의 출력검출 제어회로
KR940007751Y1 (ko) 기억소자의 데이타 감지회로
KR960043519A (ko) 잡음을 억제시키는 출력 버퍼
KR100197557B1 (ko) 광역 전압동작 특성을 가지는 반도체 장치
KR970013802A (ko) 출력 버퍼 회로
KR970019061A (ko) 데이타 출력버퍼
KR0172787B1 (ko) 컬럼 어드레스 스트로브 신호 입력 버퍼 장치
KR0147469B1 (ko) 출력 노이즈 감소회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100726

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee