KR960002357A - 센스앰프 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 반도체 메모리부, 크로스 커플드 래치 구조의 증폭부, 풀-업드라이버, 풀-다운 드라이버로 이루어진 센스앰프에 있어서, SEP신호에 의해 동작상태가 결정되는 PMOS 트랜지스터(MP4)로 된 제1풀-업 드라이버와, SEN신호에 의해 동작상태가 결정되는 NMOS 트랜지스터(MN4)로 된 제1풀-다운 드라이버와, 온도감지기의 출력신호(TDET)와 SEP신호를 입력부로 하는 제1중계부의 출력에 의해 동작상태가 결정되는 PMOS 트랜지스터(MP3)로 된 제2풀-업 드라이버와, 온도감지기의 출력신호(TDET)와 SEN신호를 입력부로 하는 제2중계부의 출력에 의해 동작상태가 결정되는 NMOS 트랜지스터(MN3)로 된 제2풀-다운 드라이버와, 상기 제1, 제2풀-업 드라이버와, 상기 제1, 제2풀-다운 드라이버가 각각 병렬접속된 구조를 포함하는 센스 앰프.
- 제1항에 있어서, 제1중계부는 SEP신호가 로우이고, 온도감지기의 출력이 하이일때 출력이 로우상태가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
- 제2항에 있어서, 상기 제1중계부는 온도감지기의 출력신호가 인버터를 통해 SEP신호와 함께 NOR 게이트에 입력되고, 이 NOR 게이트의 출력에 인버트가 접속된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
- 제1항에 있어서, 상기 제2중계부는 SEN신호가 하이이고, 온도감지기의 출력이 하이일때 출력이 로우상태가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
- 제4항에 있어서, 상기 제2중계부는 온도감지기의 출력신호와 SEN신호가 NAND게이트에 입력되고, 이 NAND 게이트의 출력에 인버트가 접속된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
- 제1항에 있어서, 상기 온도감지기는 칩의 온도가 기준 온도보다 높을때 하이로 출력하고, 칩의 온도가 기준 온도보다 낮을 때 로우로 출력하는 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
- 제6항에 있어서, 상기 온도 감지기는, 온도 계수가 다른 두 물질 또는 소자를 이용한 제1전압 분배기와, 온도 계수가 같은 물질 또는 소자를 이용한 제2전압 분배기와, 상기 제1전압 분배기와 제2전압 분배기의 출력간의 전압차를 비교 증폭하는 차동증폭기와, 상기 차동증폭기의 출력을 인버터로 출력하는 온도감지신호와, 상기 제1/제2전압 분배기와 차동증폭기의 접지전압(Vss)에 연결되는 전류소모방지회로와, 상기의 회로로 구성된 온도 변화 감지기를 포함하는 것을 특징으로 하는 센스 앰프.
- 제7항에 있어서, 상기 전류소모방지회로는 센스 앰프의 제어신호(RAS)가 로우로 인에이블 될 때, NOMS 트랜지스터가 턴-오프되어 온도감지기에 전류소모가 되지 않도록 구성된 것을 특징으로 하는 센스 앰프.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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