KR960019793A - 반도체 트렌지스터의 레이아웃과 그에 따른 반도체 트렌지스터소자 - Google Patents
반도체 트렌지스터의 레이아웃과 그에 따른 반도체 트렌지스터소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960019793A KR960019793A KR1019940030996A KR19940030996A KR960019793A KR 960019793 A KR960019793 A KR 960019793A KR 1019940030996 A KR1019940030996 A KR 1019940030996A KR 19940030996 A KR19940030996 A KR 19940030996A KR 960019793 A KR960019793 A KR 960019793A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- semiconductor transistor
- drain region
- region
- transistor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
본 발명에 의한 반도체 트렌지스터 소자의 레이아웃은 판상에 제1패턴을 레이아웃하는 단계와, 제1패턴을 두개의 영역으로 분할하는 제2패턴을 형성하되, 제1패턴의 경계부위에서는 제2패턴의 길이가 더 길게 레이아웃하는 단계를 포함하여 이루어지며, 그에 따라 제조될 트랜지스터 소자에서 소자형성부위에서 소오스영역과 드레인영역으로 양분하는 게이트전극은 소오스영역과 드레인영역이 서로 마주보는 거리인 채널길이가 중앙부분에는 일정하고 양측 단부에서는 중앙부분보다 더 길게 형성되고, 또한 게이트전극도 이 채널길이를 덮도록 중앙보다 끝부분이 넓게 형성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 트랜지스터의 레이아웃과 그에 따른 트렌지스터소자를 설명하기 위한 도면으로,
제2도의 (가)는 본 발명에 의한 반도체 트랜지스터의 레이아웃을 도시한 도면,
제2도의 (나)는 제2도의 (가)의 등가적 회로도를 도시한 도면,
제2도의 (다)는 본 발명에 의한 반도체 트랜지스터의 레이아웃방법으로 제조된 게이트전극을 도시한 평면도.
Claims (3)
- 반도체 트렌지스터 소자의 레이아웃 방법에 있어서, 1) 기판상에 제1패턴을 레이아웃하는 단계와, 2) 상기 제1패턴을 두개의 영역으로 분할하는 제2패턴을 형성하되, 제1패턴의 경계부위에서는 제2패턴의 길이가 더 길게 레이아웃하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 트랜지스터의 레이아웃 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1패턴은 트렌지스터 격리층인 필드산화막 사이의 소자형성부위의 패턴이고, 상기 제2패턴은 게이트의 패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 트랜지스터의 레이아웃 방법.
- 소오스영역, 드레인 영역, 및 게이트 전극을 가지는 반도체 트렌지스터 소자에 있어서, 상기 소오스영역과 드레인 영역이 서로 마주보는 거리인 채널길이가 상기 소오스영역과 드레인 영역의 중앙부분에는 일정하고 양측 단부에서는 중앙부분보다 더 길게 형성되고, 또한 게이트 전극도 이 채널길이를 덮도록 중앙보다 끝부분이 넓게 형성된 것이 특징인 반도체 트렌지스터소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940030996A KR960019793A (ko) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 반도체 트렌지스터의 레이아웃과 그에 따른 반도체 트렌지스터소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940030996A KR960019793A (ko) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 반도체 트렌지스터의 레이아웃과 그에 따른 반도체 트렌지스터소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960019793A true KR960019793A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940030996A KR960019793A (ko) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 반도체 트렌지스터의 레이아웃과 그에 따른 반도체 트렌지스터소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960019793A (ko) |
-
1994
- 1994-11-24 KR KR1019940030996A patent/KR960019793A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960012564A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 형성방법 | |
| KR920001753A (ko) | 종형 mos 트랜지스터와 그 제조 방법 | |
| KR900008698A (ko) | 반도체장치 및 반도체 기억장치 | |
| KR950007022A (ko) | 개선된 소오스-하이 성능을 갖는 실리콘 절연체의 트랜지스터 | |
| KR860003661A (ko) | 반도체 집적회로의 제법 및 그를 이용하여 제조된 장치 | |
| KR890003038A (ko) | 페데스탈 구조를 가지는 반도체 제조 공정 | |
| ATE375008T1 (de) | Feldeffekttransistorstruktur und herstellungsverfahren | |
| KR980006525A (ko) | 반도체장치 반도체 집적 장치 및 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR930003371A (ko) | 바이폴러 및 mos 트랜지스터가 통합된 반도체 디바이스와 그 제조방법 | |
| KR890004444A (ko) | Mos트랜지스터 | |
| KR960002880A (ko) | 실리콘 온 인슐레이터(soi) 트랜지스터 | |
| KR920001749A (ko) | 개량된 절연게이트형 트랜지스터를 갖는 반도체장치 | |
| KR940004807A (ko) | 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR980005865A (ko) | 저감된 지연변동을 갖는 전계효과 트랜지스터 | |
| KR960019793A (ko) | 반도체 트렌지스터의 레이아웃과 그에 따른 반도체 트렌지스터소자 | |
| KR930022601A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| EP0872895A3 (en) | Vertical insulated gate field-effect transistor, method of making the same and corresponding integrated circuit | |
| KR950010138A (ko) | 엠엔오에스(mnos)형 반도체장치 | |
| KR900017190A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
| KR900005561A (ko) | 반도체장치 | |
| KR970024260A (ko) | 채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터 | |
| KR960039424A (ko) | 모스트랜지스터 및 이의 제조방법 | |
| KR960043272A (ko) | 모스펫(mosfet) 및 그 레이아웃 방법 | |
| KR980005876A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR980006049A (ko) | 소자분리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |