KR960015596A - 수율이 개선된 컬럼 리던던시회로를 갖는 반도체 메모리장치 - Google Patents

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야.

본 발명은 바이트-와이드 메모리장치의 컬럼리던던시회로에 관해 개시하고 있다.

2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제.

종래에 사용된 바이트-와이드 메모리장치의 컬럼리던던시회로는 하나의 결합 메모리셀이 발생하면 그 결합 메모리셀을 포함하는 컬럼을 대체하기 위해서 각각의 서브-어레이 블럭영역에서 하나씩의 리던던트 컬럼이 대체됨으로써 리페어효율면에서 비효율적이었다. 리페어효율이 개선된 회로를 제작하여 수율을 높이는 바이트-와이드 메모리장치를 공급하는 것이 본 발명의 과제이다.

3. 발명의 해결방법의 요지.

이를 위하여 본 발명은 서로 따른 서브-어레이블럭을 담당하도록 2개로 구성되는 노멀 컬럼프리디코더에 컬럼어드레스버퍼의 어드레스신호를 선택적으로 입력하고 또한 상기 노멀 컬럼프리디코더의 수에 대응하는 수의 리던던시 컬럼프리디코더에 컬럼어드레스버퍼의 어드레스신호를 선택적으로 입력하는 회로를 구비함을 특징으로 한다.

4. 발명의 중요한 용도.

이렇게해서 리페어효율을 개선하게 하는 리던던시회로는 메모리장치에 널리 사용할 수 있다.

Description

수율이 개선된 컬럼 리던던시회로를 갖는 반도체 메모리장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 의한 반도체 메모리장치에서의 컬럼 리던던시회로의 블럭도,

제3도는 제2도에 있는 컬럼 어드레스버퍼(8)의 상세회로도,

제6도는 제2도에 있는 리던던시 컬럼프리디코더(26,28)의 상세회로도.

Claims (2)

1. 메모리셀 어레이 영역에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 메모리셀을 포함하고, 상기 메모리셀 어레이 영역이 N개로 분할된 서브-어레가 블럭영역으로 구성되고, 상기 N개의 서브-어레이블럭중 일부를 묶어 제1블럭군으로 하며 나머지 일부를 묶어 제2블럭군으로 하고, 각각의 서브-어레이 블럭영역에 적어도 1개 이상의 리던던시 메모리셀 컬럼을 포함하고, 또 로우 어드레스신호에 의해 하나의 로우(1ow)가 지정되고 컬럼 어드레스신호에 의해 각 서브-어레이 블럭영역마다에서 1개씩의 컬럼이 선택되어 전체적인 입출력이 바이트단위로 실행되는 바이트-와이드 메모리장치의 컬럼 리던던시 회로에 있어서, 시스템으로부터의 외부 어드레스신호를 칩 내부에서 처리할 수 있는 내부 어드레스신호로 변환해주는 컬럼어드레스버퍼와, 상기 컬럼어드레스버퍼의 어드레스신호중 상기 제1블럭군에 있는 블럭의 컬럼을 지정하는 어드레스신호를 입력으로 받아서 그 신호를 1차적으로 디코딩하여 출력하는 제1노멀 컬럼 프리디코더와, 상기 컬럼어드레스버퍼의 어드레스신호중 상기 제2블럭군에 있는 블럭의 컬럼을 지정하는 어드레스신호를 입력으로 받아서 그 신호를 1차적으로 디코딩하여 출력하는 제2노멀 컬럼 프리디코더와, 상기 제1노멀 컬럼 프리디코더의 어드레스신호가 입력되는 상기 제1블럭군의 영역에 있는 메모리셀중에서 결함있는 메모러셀을 포함하는 컬럼을 지정하는 어드레스신호가 입력되었을 때 상기 제1노멀 컬럼 프리디코더를 디스에이블시키고 제1리던던시 컬럼프리디코더가 인에이블되어 상기 컬럼 어드레스버퍼의 어드레스신호를 1차적으로 디코딩하여 출력하는 제1리던던시 컬럼 프리디코더와, 상기 제2노멀 컬럼 프리디코더의 어드레스신호가 입력되는 상기 제2블럭군의 영역에 있는 메모리셀중에서 결함있는 메모리 셀을 포함하는 컬럼셀을 지정하는 어드레스신호가 입력되었을 때 상기 제2노멀 컬럼 프리디코더를 디스에이블시키며 상기 컬럼 어드레스버퍼의 어드레스신호를 1차적으로 디코딩하여 출력하는 제2리던던시 컬럼 프리디코더와, 상기 제1노멀 컬럼 프리디코더의 어드레스신호가 입력되는 상기 제1블럭군의 영역에 있는 메모리셀중에서 결함있는 메모리셀을 포함하는 컬럼을 지정하는 어드레스신호가 입력되었을 매 상기 컬럼 어드레스버퍼의 어드레스신호를 2차적으로 디코딩하며 상기 제1블럭군의 영역에 있는 리던던트 컬럼을 지정하는 제1리던던시 컬럼디코더와, 상기 제2노멀 컬럼 프리디코더의 어드레스신호가 입력되는 상기 제2블럭군의 영역에 있는 메모리셀중에서 결함있는 메모리셀을 포함하는 컬럼셀을 지정하는 어드레스신호가 입력되었을 때 상기 컬럼 어드레스 버퍼의 어드레스신호를 2차적으로 디코딩하며 상기 제2블럭군의 영역에 있는 리던던트 컬럼을 지정하는 제2리던던시 컬럼디코더를 구비함을 특징으로 하는 컬럼 리던던시회로.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1노멀 컬럼 프리디코더와 상기 제2노멀 컬럼프리디코더는 메모리 어레이 영역을 반씩 분할해서 담당하므로 상기 컬럼 어드레스버퍼로부터 어드레스신호가 입력되었을 때 자신이 담당하는 서브-어레이 블럭영역의 해당 노멀 컬럼 디코더에만 상기 어드레스신호를 선택적으로 출력하고, 상기 제1리던던시 컬럼 프리디코더와 상기 제2리던던시 컬럼 프리디코더는 메모리 어레이영역의 리던던트 컬럼을 반씩 분할해서 담당하므로 상기 컬럼 어드레스버퍼로부터 결함있는 어드레스신호가 입력되었을 때 자신이 담당하는 서브-어레이 블럭영역의 해당 리던던트 컬럼디코더에만 상기 어드레스신호를 선택적으로 출력함을 특징으로 하는 컬럼 리던던시회로.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.