KR100447262B1 - 메모리 소자의 여분셀 배열방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 메모리 소자의 여분셀 배열방법에 관한 것으로,

메모리 소자 제조공정시 발생하는 페일 ( fail ) 을 대체할 수 있는 메모리 소자의 여분셀 배열방법에 있어서, 메모리 셀 어레이의 가장자리에 구비되는 여분셀을 상기 메모리 셀 어레이와 같은 셀 어레이 방식으로 독립된 여분셀 어레이로 배열하여 모든 페일을 대체할 수 있고 후속 열처리공정시 손상되지않도록 함으로써 공정의 안정성을 향상시켜 수율을 향상시키고 그에 따른 메모리 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.

Description

메모리 소자의 여분셀 배열방법{A method for layout a rest cell of a memory device}

본 발명은 메모리 소자의 여분셀 배열방법에 관한 것으로, 특히 페일 ( fail ) 된 메모리 셀을 대체할 수 있는 경우의 수를 늘리고, 여분의 셀을 튼튼하게 공정하여 대체되어진 셀이 또다시 페일이 나지 않도록 하여 소자의 수율을 향상시키는기술에 관한 것이다.

종래의 연분의 셀 배열 방법은 메모리 셀을 배열하고 그 배율의 가장자리 부분에 여분의 셀을 배열한다.

그리고, 제일 가장자리에 희생셀을 배열한다.

이러한 배열방법에서는 메모리셀이 특정한 패턴으로 페일이 되어야 여분의 셀 대체가 가능하다.

즉, 가로 방향이나 세로 방향으로 일정한 개수 이내로 페일이 되어야 여분의 셀로 대체가 가능하다. 다시말하면, 대체 범위가 극히 제한적이다.

또한, 여분의 셀이 메모리 셀 배열의 가장자리에 배열되기 때문에 고정 진행시 원하는 타깃으로 패턴이 진행되기가 어렵다.

즉, 여분의 셀이 누설전류가 많은 취약한 셀로 만들어 지기 때문에 이 여분의 셀이 페일되어 대체되기가 어렵다.

도 1 은 종래기술에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법을 도시한 배치도이다.

먼저, 메모리셀 어레이(11)가 센스앰프(100)와 서브 워드라인(200)에 연결되고, 상기 메모리셀 어레이(11) 가장자리에 여분셀(13)이 형성되고, 상기 여분셀(13)의 가장자리에 희생셀(15)이 형성된다.

상기한 바와같이 종래기술에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법은, 메모리 셀의 가장자리에 배열되어 열공정후 페일이 유발되기 용이하여 소자의 수율 및 특성을 저하시킬 수 있는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 독립된 여분의 셀을 형성하여 안정성을 확보함으로써 메모리 소자의 특성 및 수율을 향상시킬 수 있는 메모리 소자의 여분셀 배열방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1 은 종래기술에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법을 도시한 배치도.

도 2 는 본 발명의 제1실시예에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법을 도시한 배치도.

도 3 은 본 발명의 제2실시예에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법을 도시한 배치도.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

11,21,31 : 메모리셀 13,23,33 : 여분셀

15,35 : 희생셀

100,300,500 : 센스앰프 200,400,600 : 서브 워드라인

상기 목적 달성을 위해 본 발명에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법은,

메모리 소자 제조공정시 발생하는 페일 ( fail ) 을 대체할 수 있는 메모리 소자의 여분셀 배열방법에 있어서,

메모리 셀 어레이의 가장자리에 구비되는 여분셀을 상기 메모리 셀 어레이와 같은 셀 어레이 방식으로 독립된 여분셀 어레이로 배열하여 모든 페일을 대체할 수 있는 것을 제1특징으로한다.

또한, 상기 목적 달성을 위해 본 발명에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법은,

메모리 소자 제조공정시 발생하는 페일 ( fail ) 을 대체할 수 있는 메모리 소자의 여분셀 배열방법에 있어서,

메모리 셀 어레이의 가장자리에 구비되는 여분셀을 상기 메모리 셀 어레이의 가로 및 세로 방향 가운데 부분에 배열하는 것을 제2특징으로한다.

한편, 이상의 목적을 달성하기 위해 본 발명의 원리는 다음과 같다.

종래의 메모리 셀이 페일되면 여분의 셀로 대체를 해야하는데 페일 패턴이 가로 방향이나 세로 방향 등 특정한 패턴으로 페일이 되어야 대체가 가능한 것을본 발명에서는 어떠한 패턴으로 페일이 유발되어도 대체가 가능하도록 한 것이다.

또한, 종래의 배열방법은 메모리 셀의 가장자리에 배열되었기 때문에 공정진행상 취약한 셀로 만들어져 여분의 셀이 대체되어도 조립완료후 후속 열공정을 거치면 페일이 발생하기 쉬운데 본 발명에서는 여분의 셀을 독립적으로 메모리 셀 배열 방법과 같이 하나의 셀 어레이로 배열함으로써 가장자리에 있는 셀 경우보다 튼튼하게 공정이 진행되어 소자의 수율 향상과 신뢰성을 높을 수 있도록 하는 것이다.

그리고, 십자 모양으로 가로 및 세로 방향으로 대체될 여분의 셀을 배열하고 그 바깥부분으로 메모리 셀을 배열하고 최외각 부분에 희생셀을 배열하여 페일된 메모리 셀을 대체 하여도 튼튼한 셀로 대체되기 때문에 보다 더 신뢰성이 높은 칩을 구현할 수 있도록 하는 것이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

도 2 는 본 발명의 제1실시예에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법을 도시한 배치도이다.

먼저, 센스앰프(300)와 서브 워드라인(400)이 연결된 독립된 메모리 셀 어레이(21)가 순차적으로 배열되되, 여분의 셀은 배제하고 형성한다.

그리고, 상기 독립된 메모리 셀 어레이(21)와 같이 센스앰프(300)와 서브 워드라인(400)이 연결된 하나의 독립된 여분의 셀 어레이 ⓐ 를 형성한다.

이때, 상기 여분의 셀 어레이 ⓐ 는 상기 메모리 셀 어레이(21)와 같이 여분의 셀(23)로만 이루어진 것이다.

여기서, 상기 메모리 셀 어레이(21) 가장자리에 구비되는 희생셀은 도시되지않았다. (도 2)

상기한 본 발명의 제1실시예는, 여분의 셀을 하나의 독립된 어레이로 배열하고 최외각에 희생셀을 배열하기 때문에 메모리 셀의 페일 패턴이 어떠한 모양으로 되어도 여분의 셀로 대체가 가능하고 최대로 메모리셀 어레이 한 블록 전체가 페일이 되어도 블럭자체가 가능하고 여분의 셀 어레이로 대체할 수 있어 여분의 셀로 대체할 수 있는 경우의 수를 증가시킬 수 있음으로써 수율을 향상시킬 수 있다.

도 3 은 본 발명의 제2실시예에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법을 도시한 배치도이다.

먼저, 센스앰프(500)와 서브 워드라인(600)이 연결된 독립된 메모리 셀 어레이(31)가 배열되되, 가장자리에 희생셀(35)이 구비되고, 가로 및 세로 방향 중앙부분에 여분셀(33)이 구비된다.

이때, 상기 여분셀(33)은 상기 메모리 셀(31)을 4개의 구역으로 나누는 "+" 형태로 형성된다. (도 3)

상기한 본 발명의 제2실시예는, 배열된 셀의 가운데 부분에 배열되어 집적공정시 원하는 타깃으로 메모리셀 보다 상대적으로 잘 진행되기 때문에 대체되고 나서 테스트를 하면 페일이 되지않고 셀의 누설전류가 없는 튼튼한 셀을 형성함으로써 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킨다.

상기한 바와같이 종래기술에 따른 메모리 소자의 여분셀 배열방법은, 메모리셀 어레이의 가장자리에 배열되는 여분셀을 "+" 자 형태로 메모리 셀 어레이의 가운데 부분에 형성하거나, 독립된 하나의 여분셀 어레이를 형성함으로써 공정의 안정성을 향상시키고 페일의 형태에 관계없이 대체할 수 있어 메모리 소자의 수율, 특성 및 신뢰성을 향상시키는 효과를 제공한다.

Claims (2)

1. 삭제
2. 메모리 소자의 여분셀 배열방법에 있어서,

   메모리 셀 어레이의 가장자리에 구비되는 여분셀을 상기 메모리 셀 어레이의 가로 및 세로 방향의 가운데 부분에 "+" 형태로 배열하는 것을 특징으로하는 메모리 소자의 여분셀 배열방법.