KR960008920A - 전계 방출 장치 및 그 제조방법과 패널 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
전계 방출장치는, 절연 기판상에 방사체 물질을 증착하고, 이 방사체 물질에 마스크용 파티클을 도포하며, 상기 마스크용 파티클과 방사체 물질위에 절연막과 게이트 도전막을 도포하고, 방사체 물절에 불규칙하게 분포된 구멍이 드러나도록 상기 파티클을 제거하는 것에 의해 제조된다. 그 결과, 저렴한 비용으로 편평한 패널디스플레이를 제조하는데 사용할 수 있는 다수의 불규칙하게 분포된 방출 구멍을 갖는 신규하고도 경재적인 전계 방출 장치를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 전계 방출 장치를 제조하기 위한 개선된 프로세스의 흐름도.
제2도 내지 제4도는 여러가지 제조단계에 있어서의 전계 방출장치의 개략적인 단면도.
제5도는 제4도 구조의 다른 실시예를 도시한 도면.
Claims (23)
- 전계 방출 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 방사체 물질층을 기판상에 도포하는 단계;상 기 방사체 물질에 마스크용 파티클을 도포하는 단계; 상기 마스크용 파티클과 상기 방사체 물질위에 절연물질 및 도전성 물질의 연속 층을 도포하는 단계; 상기 방사체 물질에 대해 언더라잉 구멍이 드러나도록 상기 마스크용 파티클을제거하는 단계와, 상기 장치를 마무리하는 단계를 포함하는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 었어서, 상기 전자 방사체 물질을 도포하는 단계 전에, 상기 기판에 도전층을 도포하는 단계를 더 포함하는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전자 방사체 물질층은, 전자 방출 물질을 포함하는 도전성 슬러리(slurry)를 도포하는 것에 의해 도포되는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크용 파티클은 정전기적으로(electrostatically) 도포되는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스그용 파티클은 파티클의 사이즈가 0.1∼100마이크로미터 범위인 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크용 파티클은 솔질에 의해 제거되는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크용 파티클은 자기를 띄고 있고(magnetic), 자기적인 당김(magnetic pulling)에 의해 제거되는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전자 방사체 물질층을 패터닝하는 단계를 포함하는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전성 물질층을 패터닝하는 단계를 포함하는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전자 방사체 물질층을 제1의 일련의 평행한 줄무늬(stripes)로 패터닝하는 단계와; 상기 도전성 물질층을, 상기 제1의 일련의 줄무늬와 교차하는 제2의 일련의 평행한 줄무늬로 패터닝하는 단계를 포함하는 전계방출 장치 제조 방법.
- 전자 방출 물질층에 지지된 기판; 상기 전자 방출 물질층과 전기적으로 접촉하기 위한 수단과; 상기 전자 방출 물질위에 놓여지고, 샹기 전자 방출물질에 대해 불규칙하게 분포된 구멍을 포함하는 절연 및 도전성 물질의 연속층을 포함하는 전계 방출 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 0.01∼5마이크로미터의 범위내에 있는 전계 방출 장치
- 제11항에 있어서, 상기 돈전체층의 두께는 0.2∼5마이크로미터의 범위내에 있는 전계 방출 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 구멍은 상기 도전층내에서, 직경이 주로 0.1∼50마이크로미터의 범위에 있는 구멍을 형성하는 전계 방출 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 구멍은 도전층내에서, 구멍의 비율이 적어도 5%를 이루지만 여과의 임계값 미만으로 남아있는 전계 방출 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 전자 방출 물질은 다이아몬드, 흑연, Mo, W, Cs, LaB6, YB6또는 AIN으로 이루어지는 군에서 선택된 물질인 전계 방출 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 전자 방출 물질층과 상기 도전성 물질층은 다수의 어드레스 가능한 교차부 영역을 한정하도록 패터닝되는 전계 방출 장치.
- 제11, 12, 13, 14, 15, 16 또는 17항에 따른 전계 방출 장치를 포함하는 디스플레이 장치.
- 투영한 앞쪽 플레이트상의 인이 코팅된 애노우드와 셀의 뒷쪽 플레이트상의 전계 방사체 캐소우드의 어레이를 갖는 진공셀을 포함하고, 상기 애노우드와 상기 캐소우드 사이에 1개 이상의 도전 게이트층이 배치되며, 디스플레이용 픽셀을 한정하기 위한 패턴으로 상기 캐소우드와 게이트가 형성되는 형태의 편평한 패널 디스플레이 장치에 있어서, 상기 게이드 층은 상기 전계 방사체 캐소우드의 대해 구멍을 마련하기 위해, 직경이 주로 0.1∼50 마이크로미터의 범위내에 있는 불규칙하게 분포되어 잇는 구멍을 포함하는 패널 디스플레이장치.
- 제19항에 있어서, 픽셀을 한정하는 게이트층의 부분은 직경이 0.1∼50마이크로미터 범위내에 있는 적어도 50개의 불규칙한 구멍을 가신 패널 디스플레이 장치.
- 기판상에 전자방출 물질층을 도포하는 단계와, 상기 방출 물질위에 절연 물질층과 도전 물질층을 도포하는 단계와, 상기 도전 물질과 절연물질을 통해 전자 방출 물질에 이르는 구멍을 형성하는 단계를 포함하는 전계 방출 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 구멍을 헝성하는 단계는, 불규칙하게 분포되어 있는 구멍을 한정하기 위해 대상물의 표면에 마스크용 파티클을 도포하는 것을 포함하는 전계 방출 장치 제조방법.
- 제21항에 있어서, 상기 마스크용 파티클은, 상기 절연층을 도포하기 전에, 상기 방사체 물질에 도포되는 전계 방출 장치 제조방법.
- 제21항에 있어서, 상기 마스크용 파티클은, 에칭용 마스크로서 작용하도록 후속하는 에칭 차단층을 도포하기 전에, 상기 도전물질에 도포되는 전게 방출 장치 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US29967494A | 1994-08-31 | 1994-08-31 | |
US08/299,674 | 1994-08-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960008920A true KR960008920A (ko) | 1996-03-22 |
KR100354921B1 KR100354921B1 (ko) | 2003-02-05 |
Family
ID=23155777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950027532A KR100354921B1 (ko) | 1994-08-31 | 1995-08-30 | 전계방출장치및그제조방법과패널디스플레이장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5588894A (ko) |
EP (1) | EP0700065B1 (ko) |
JP (1) | JP2963376B2 (ko) |
KR (1) | KR100354921B1 (ko) |
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- 1995-08-30 JP JP24394095A patent/JP2963376B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-30 KR KR1019950027532A patent/KR100354921B1/ko active IP Right Grant
- 1995-10-26 US US08/548,533 patent/US5588894A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-26 US US08/548,720 patent/US5808401A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-08-12 US US08/695,441 patent/US5698934A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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---|---|
US5588894A (en) | 1996-12-31 |
EP0700065A1 (en) | 1996-03-06 |
US5698934A (en) | 1997-12-16 |
JPH0877917A (ja) | 1996-03-22 |
EP0700065B1 (en) | 2001-09-19 |
JP2963376B2 (ja) | 1999-10-18 |
US5808401A (en) | 1998-09-15 |
KR100354921B1 (ko) | 2003-02-05 |
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A201 | Request for examination | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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