KR960008919A - 전계 방출 장치 및 그 제조방법과 패널 디스플레이 장치 - Google Patents
전계 방출 장치 및 그 제조방법과 패널 디스플레이 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960008919A KR960008919A KR1019950027531A KR19950027531A KR960008919A KR 960008919 A KR960008919 A KR 960008919A KR 1019950027531 A KR1019950027531 A KR 1019950027531A KR 19950027531 A KR19950027531 A KR 19950027531A KR 960008919 A KR960008919 A KR 960008919A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- field emission
- emission device
- conductive
- mask
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30457—Diamond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
전계 방출 장치는, 절연 기판상에 방사체 물질을 배치하고, 방사체 물질에 대해 전기 방식용(防蝕用)막(sacrificial film)을 도포하여, 상기 전기 방식용 층위에, 내부에 구멍이 불규칙하게 분포되어 있는 도전게이트층을 형성하는 것에 의해 제조된다. 바람직한 실시예에 있어서, 게이트는 전기 방식용 층에 마스크용 파티클을 도포하고, 마스크용 파티클과 전기 방식용 막위에 도전막을 도포하며, 그후 마스크용 파티클을 제거하여 랜덤히게 분포된 구멍을 노출시키는 것에 의해 형성된다. 그후, 전기 방식용 막이 제거된다. 그후, 구멍이 방사체물질까지 연장한다. 바람직한 실시예에 있어서, 전기 방식용 필름은, 게이트로부터 에미터를 분리시키기 위해 막이 제거된 후에 남는 절연 스페이서 파이클을 포함한다. 그 결과, 저렴한 비용의 편평한 패널 디스플레이를 제조하는데 사용할 수 있는, 랜덤하게 분포된 다수의 방출 구멍을 갖는 신규하고도 경제적인 전체 방출 장치가 얻어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 제1도의 프로세스에 의해 제조된 전계 방출 장치를 사용한 편평한 패널 디스플레이의 단면도.
Claims (20)
- 전계 방출 장지의 제조 방법에 있어서, 전자 방사 물질층을 기판상에 도포하는 단계; 상기 전자 방사물질위에 방식용 층을 도포하는 단계; 상기 방식용 층위에, 불규칙하게 분포된 구멍이 그 내부에 있는 도전게이트층을 형성하는 단계; 상기 도전층과 상기 방사 물질층 사이에 간격을 마련하기 위해, 방식용 층을 제거하는 단계와, 상기 장치를 마무리하는 단계를 포함하는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도진 게이트층은, 상기 방식용 층에 마스크용 파티클을 도포하는 단계와, 상기 마스크용 파티클과 방식용 층위에 도전 물질층을 도포하는 단계와, 상기 도체층내에 언더라잉 구멍이 드러나도록 마스크용 파티클을 제거하는 단계에 의해 형성되는 전계 방출 장치 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방사용 층은 절연 스페이서 파티클을 포함하는 전계 방출 장치 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방식용 층은, 직경이 주로 0.1∼2 마이크로미터의 범위내에 있는 절연 스페이서 파티클을 포함하는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 마스크용 파티클은 정전기적으로(electrostatically) 도포되는 전계 방출 장치 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 마스크용 파티클은 파티클의 사이즈가 0.1∼100마이크로미터 범위인 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 마스크용 파티클은 솔질에 의해 제거되는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 마스크용 파티클은 자기를 띄고 있고(magnetic), 자기적인 당김(magneti cpulling)에 의해 제거되는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 진자 방식용 층은 가열 동작에 의해 제거되는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전자 방사 물질층과 도전성 물질층을 패터닝하는 단계를 포함하는 전계 방출 장치 제조 방법.
- 전자 방출 물질층에 지지된 기판; 상기 전자 방출 물질층과 전기적으로 접촉하기 위한 수단과; 상기 전자 방출 물질위에 놓여지고 다수의 절연 스페이서 파티클에 의해 상기 저자 방출 물질로부터 간격을 두고 떨어져 있으며, 상기 전자 방출물질에 대해 불규칙하게 분포된 구멍을 포함하는 도전층을 포함하는 전계 방출장치.
- 제11항에 있어서, 상기 스페이서 파티클의 크기는 0.1∼2 마이크로미터의 범위내에 있는 전계 방출 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 도전체층의 두께는 0.2∼5 마이크로미터의 범위내에 있는 전계 방출 장치
- 제11항에 있어서, 상기 구멍은 도전층내에서 구멍의 비율이 적어도 5%를 이루지만 여과의 임계값 미만으로 남아있는 전계 방출 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 전자 방출 물질은 다이아몬드, 혹연, Mo, W, Cs, LaB6, YB6, 또는 AIN으로 이루어지는 군에서 선택된 물질인 전계 방출 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 전자 방출 물질층과 상기 도전성 물질층은 다수의 어드레스 가능한 교차부 영역을 한정하도록 패터닝되는 전계 방출 장치.
- 제11, 12, 13, 14, 15 또는 16항에 따른 전계 방출 장치를 포함하는 디스플레이 장치.
- 투명한 앞쪽 플레이트상의 인이 코팅된 애노우드와 셀의 뒷쪽 플레이트상의 전계 방사체 캐소우드의 어레이를 갖는 진공셀을 포함하고, 상기 애노우드와 상기 캐소우드 사이에 1개 이상의 도전 게이트층이 배치되며, 디스플레이용 픽셀을 한정하기 위한 패턴으로 상기 캐소우드와 게이트가 형성되는 형태의 편편한 패널디스플레이 장치에 있어서, 상기 게이트 층은 다수의 절연파티클에 의해 상기 전계 방사체 캐소우드로부터간격을 두고 떨어져 있고, 상기 전체 방사체 캐소우드의 대해 구멍을 마련하기 위해, 직경이 주로 0.1∼50마이크로미터의 범위내에 있는 불규칙하게 분포되어 있는 구멍을 포함하는 패널 디스플레이 장치.
- 제18항에 있어서, 픽셀을 한정하는 게이트층의 부분은 직경이 0.1∼50마이크로미터 범위내에 있는 적어도 50개의 불규칙한 구멍을 가진 패널 디스플레이 장치.
- 청구범위 제1항의 프로세서에 의해 제조된 전계 방출 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/299,470 | 1994-08-31 | ||
US08/299,470 US5504385A (en) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | Spaced-gate emission device and method for making same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960008919A true KR960008919A (ko) | 1996-03-22 |
KR100400818B1 KR100400818B1 (ko) | 2003-12-24 |
Family
ID=23154938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950027531A KR100400818B1 (ko) | 1994-08-31 | 1995-08-30 | 전계방출장치및그제조방법과패널디스플레이장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5504385A (ko) |
EP (1) | EP0700066B1 (ko) |
JP (1) | JP2963377B2 (ko) |
KR (1) | KR100400818B1 (ko) |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0700065B1 (en) * | 1994-08-31 | 2001-09-19 | AT&T Corp. | Field emission device and method for making same |
US5623180A (en) * | 1994-10-31 | 1997-04-22 | Lucent Technologies Inc. | Electron field emitters comprising particles cooled with low voltage emitting material |
US5709577A (en) * | 1994-12-22 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Method of making field emission devices employing ultra-fine diamond particle emitters |
US5704820A (en) * | 1995-01-31 | 1998-01-06 | Lucent Technologies Inc. | Method for making improved pillar structure for field emission devices |
KR100405886B1 (ko) * | 1995-08-04 | 2004-04-03 | 프린터블 필드 에미터스 리미티드 | 전계전자방출물질과그제조방법및그물질을이용한소자 |
DE19613713C1 (de) * | 1996-03-29 | 1997-08-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von Feldemissionselektronenquellen, so hergestellte Feldemissionselektronenquelle und ihre Verwendung |
US6187603B1 (en) | 1996-06-07 | 2001-02-13 | Candescent Technologies Corporation | Fabrication of gated electron-emitting devices utilizing distributed particles to define gate openings, typically in combination with lift-off of excess emitter material |
US5865659A (en) * | 1996-06-07 | 1999-02-02 | Candescent Technologies Corporation | Fabrication of gated electron-emitting device utilizing distributed particles to define gate openings and utilizing spacer material to control spacing between gate layer and electron-emissive elements |
US5789848A (en) * | 1996-08-02 | 1998-08-04 | Motorola, Inc. | Field emission display having a cathode reinforcement member |
JPH10125215A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Nec Corp | 電界放射薄膜冷陰極及びこれを用いた表示装置 |
GB9626221D0 (en) * | 1996-12-18 | 1997-02-05 | Smiths Industries Plc | Diamond surfaces |
KR20010006238A (ko) * | 1997-04-09 | 2001-01-26 | 모리시타 요이찌 | 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법 |
GB2326270A (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-16 | Ibm | A display device |
US6095883A (en) * | 1997-07-07 | 2000-08-01 | Candlescent Technologies Corporation | Spatially uniform deposition of polymer particles during gate electrode formation |
US6039621A (en) * | 1997-07-07 | 2000-03-21 | Candescent Technologies Corporation | Gate electrode formation method |
US5965898A (en) * | 1997-09-25 | 1999-10-12 | Fed Corporation | High aspect ratio gated emitter structure, and method of making |
JP3019041B2 (ja) * | 1997-09-26 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 電界放出型陰極及びその製造方法 |
US6054395A (en) * | 1997-10-24 | 2000-04-25 | Micron Technology, Inc. | Method of patterning a semiconductor device |
US6010918A (en) * | 1998-02-10 | 2000-01-04 | Fed Corporation | Gate electrode structure for field emission devices and method of making |
US7713297B2 (en) | 1998-04-11 | 2010-05-11 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Drug-releasing stent with ceramic-containing layer |
US6630772B1 (en) | 1998-09-21 | 2003-10-07 | Agere Systems Inc. | Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device |
US6283812B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Process for fabricating article comprising aligned truncated carbon nanotubes |
US6250984B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-06-26 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article |
US6143580A (en) * | 1999-02-17 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a mask pattern and methods of forming a field emitter tip mask |
US6290564B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-09-18 | Motorola, Inc. | Method for fabricating an electron-emissive film |
US6741019B1 (en) | 1999-10-18 | 2004-05-25 | Agere Systems, Inc. | Article comprising aligned nanowires |
JP2001345041A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電子管用陰極 |
GB0015928D0 (en) * | 2000-06-30 | 2000-08-23 | Printable Field Emitters Limit | Field emitters |
US6626720B1 (en) * | 2000-09-07 | 2003-09-30 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing vacuum gap dielectric field emission triode and apparatus |
US6884093B2 (en) | 2000-10-03 | 2005-04-26 | The Trustees Of Princeton University | Organic triodes with novel grid structures and method of production |
US7170223B2 (en) * | 2002-07-17 | 2007-01-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Emitter with dielectric layer having implanted conducting centers |
CN101176040A (zh) * | 2005-04-14 | 2008-05-07 | 哈佛大学 | 用于微制造的牺牲层中可调整的溶解度 |
US20070224235A1 (en) | 2006-03-24 | 2007-09-27 | Barron Tenney | Medical devices having nanoporous coatings for controlled therapeutic agent delivery |
US8187620B2 (en) | 2006-03-27 | 2012-05-29 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical devices comprising a porous metal oxide or metal material and a polymer coating for delivering therapeutic agents |
US8815275B2 (en) | 2006-06-28 | 2014-08-26 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Coatings for medical devices comprising a therapeutic agent and a metallic material |
CA2655793A1 (en) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Boston Scientific Limited | Medical devices with selective coating |
EP2068757B1 (en) | 2006-09-14 | 2011-05-11 | Boston Scientific Limited | Medical devices with drug-eluting coating |
US7981150B2 (en) | 2006-11-09 | 2011-07-19 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Endoprosthesis with coatings |
US8070797B2 (en) | 2007-03-01 | 2011-12-06 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical device with a porous surface for delivery of a therapeutic agent |
US8431149B2 (en) | 2007-03-01 | 2013-04-30 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Coated medical devices for abluminal drug delivery |
US8067054B2 (en) | 2007-04-05 | 2011-11-29 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Stents with ceramic drug reservoir layer and methods of making and using the same |
US7976915B2 (en) | 2007-05-23 | 2011-07-12 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Endoprosthesis with select ceramic morphology |
US7942926B2 (en) | 2007-07-11 | 2011-05-17 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Endoprosthesis coating |
US8002823B2 (en) | 2007-07-11 | 2011-08-23 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Endoprosthesis coating |
US9284409B2 (en) | 2007-07-19 | 2016-03-15 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Endoprosthesis having a non-fouling surface |
US8815273B2 (en) | 2007-07-27 | 2014-08-26 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Drug eluting medical devices having porous layers |
US7931683B2 (en) | 2007-07-27 | 2011-04-26 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Articles having ceramic coated surfaces |
WO2009018340A2 (en) | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical device coating by laser cladding |
EP2185103B1 (en) | 2007-08-03 | 2014-02-12 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Coating for medical device having increased surface area |
JP2009099367A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Fuji Heavy Ind Ltd | 発光装置 |
US8216632B2 (en) | 2007-11-02 | 2012-07-10 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Endoprosthesis coating |
US7938855B2 (en) | 2007-11-02 | 2011-05-10 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Deformable underlayer for stent |
US8029554B2 (en) | 2007-11-02 | 2011-10-04 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Stent with embedded material |
US7755061B2 (en) * | 2007-11-07 | 2010-07-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Dynamic pattern generator with cup-shaped structure |
JP5581311B2 (ja) | 2008-04-22 | 2014-08-27 | ボストン サイエンティフィック サイムド,インコーポレイテッド | 無機材料のコーティングを有する医療デバイス及びその製造方法 |
WO2009132176A2 (en) | 2008-04-24 | 2009-10-29 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical devices having inorganic particle layers |
US8449603B2 (en) | 2008-06-18 | 2013-05-28 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Endoprosthesis coating |
EP2318063B1 (en) * | 2008-07-23 | 2017-03-01 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical devices having inorganic barrier coatings |
US8231980B2 (en) | 2008-12-03 | 2012-07-31 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical implants including iridium oxide |
US8071156B2 (en) | 2009-03-04 | 2011-12-06 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Endoprostheses |
US8287937B2 (en) | 2009-04-24 | 2012-10-16 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Endoprosthese |
US8089051B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-01-03 | Kla-Tencor Corporation | Electron reflector with multiple reflective modes |
US8373144B1 (en) | 2010-08-31 | 2013-02-12 | Kla-Tencor Corporation | Quasi-annular reflective electron patterning device |
JP5196602B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2013-05-15 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ナノギャップ電極の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2593953B1 (fr) * | 1986-01-24 | 1988-04-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ |
GB8720792D0 (en) * | 1987-09-04 | 1987-10-14 | Gen Electric Co Plc | Vacuum devices |
FR2623013A1 (fr) * | 1987-11-06 | 1989-05-12 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source |
US4943343A (en) * | 1989-08-14 | 1990-07-24 | Zaher Bardai | Self-aligned gate process for fabricating field emitter arrays |
US5150019A (en) * | 1990-10-01 | 1992-09-22 | National Semiconductor Corp. | Integrated circuit electronic grid device and method |
US5312514A (en) * | 1991-11-07 | 1994-05-17 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making a field emitter device using randomly located nuclei as an etch mask |
EP0525763B1 (en) * | 1991-08-01 | 1995-10-25 | Texas Instruments Incorporated | A method for building a vacuum microelectronics device |
US5138237A (en) * | 1991-08-20 | 1992-08-11 | Motorola, Inc. | Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter |
US5129850A (en) * | 1991-08-20 | 1992-07-14 | Motorola, Inc. | Method of making a molded field emission electron emitter employing a diamond coating |
US5283500A (en) * | 1992-05-28 | 1994-02-01 | At&T Bell Laboratories | Flat panel field emission display apparatus |
US5278475A (en) * | 1992-06-01 | 1994-01-11 | Motorola, Inc. | Cathodoluminescent display apparatus and method for realization using diamond crystallites |
FR2705830B1 (fr) * | 1993-05-27 | 1995-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication de dispositifs d'affichage à micropointes, utilisant la lithographie par ions lourds. |
-
1994
- 1994-08-31 US US08/299,470 patent/US5504385A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-08-23 EP EP95305911A patent/EP0700066B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-30 JP JP24394195A patent/JP2963377B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-30 KR KR1019950027531A patent/KR100400818B1/ko active IP Right Grant
- 1995-11-17 US US08/560,061 patent/US5681196A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5681196A (en) | 1997-10-28 |
US5504385A (en) | 1996-04-02 |
JP2963377B2 (ja) | 1999-10-18 |
KR100400818B1 (ko) | 2003-12-24 |
EP0700066B1 (en) | 2001-07-04 |
JPH0877918A (ja) | 1996-03-22 |
EP0700066A1 (en) | 1996-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960008919A (ko) | 전계 방출 장치 및 그 제조방법과 패널 디스플레이 장치 | |
KR960008920A (ko) | 전계 방출 장치 및 그 제조방법과 패널 디스플레이 장치 | |
US5278475A (en) | Cathodoluminescent display apparatus and method for realization using diamond crystallites | |
US6739932B2 (en) | Field emission display using carbon nanotubes and methods of making the same | |
US5621272A (en) | Field emission device with over-etched gate dielectric | |
JPH10134701A (ja) | 電界放出デバイス | |
US5589728A (en) | Field emission device with lattice vacancy post-supported gate | |
US6116975A (en) | Field emission cathode manufacturing method | |
KR100453397B1 (ko) | 개선된전계방출장치 | |
KR900003900B1 (ko) | 방전표시장치 | |
JPH0831347A (ja) | マイクロチップ放射陰極電子源 | |
KR100371627B1 (ko) | 용장성도체전자소스 | |
KR100404985B1 (ko) | 전자방출 디바이스의 제조시 잉여 이미터 물질 제거 전에 전자방출소자의 보호 방법 | |
US6213837B1 (en) | Inhibiting edge emission for an addressable field emission thin film flat cathode display | |
JPH08212907A (ja) | 電子源 | |
JPH09245689A (ja) | 電界放出型冷陰極を用いた画像表示装置 | |
US3693046A (en) | Cathodes with treated apertures for interconnecting gas cells of a display panel | |
US5920296A (en) | Flat screen having individually dipole-protected microdots | |
US5836799A (en) | Self-aligned method of micro-machining field emission display microtips | |
US6100636A (en) | Black matrix with conductive coating | |
KR940011723B1 (ko) | Fed의 제조방법 | |
KR950004518B1 (ko) | 인쇄용 마스크 및 그의 제조방법 | |
TW420820B (en) | High-efficiency FED | |
KR100285317B1 (ko) | 전계 방출 표시소자의 스페이서 형성방법 | |
JPS58119139A (ja) | 電気発光セルのアレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120907 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130906 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140901 Year of fee payment: 12 |