KR950035507A - Ab급 푸쉬-풀 구동회로, 그의 구동방법 및 그를 이용한 ab급 전자회로 - Google Patents

Ab급 푸쉬-풀 구동회로, 그의 구동방법 및 그를 이용한 ab급 전자회로 Download PDF

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KR950035507A
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노부유키 아다치
마사토요 니시베
마사히코 에가와
아키하루 이노우에
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스미타 아케요시
니혼무센 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 AB급 푸쉬-풀 구동회로에 관한 것으로서, 본 발명의 AB급 푸쉬-풀 구동회로는 두개의 NPN트랜지스터(Q1, Q2)와 두개의 PNP트랜지스터(Q3, Q4)를 갖고, 상기 트랜지스터의 에미터는 함께 연결되며, 정전압회로가 상기 트랜지스터(Q1) 및 (Q3)의 베이스 사이의 전압과, 상기 트랜지스터(Q2) 및 (Q4)의 베이스사이의 전압을 일정하게 유지하고, 상기 트랜지스터(Q1)및 (Q2)의 베이스간에는 차동입력 전압이 인가되고, 상기 트랜지스터(Q1), (Q3), (Q2) 및 (Q4)의 컬렉터 전류는 지수함수적 및 미분함수적으로 증가하거나 감소하고, 상기 컬렉터 전류는 차동관계이고 상기 컬렉터 전류는 AB급 구동전류를 제공하여 출력진폭을 증가시키기 위하여 역전되고 증가되며, 대칭성이 또한 개선되고, 신호증폭 경로길이 사이의 어떤 차가 제거되므로 상기 경로간의 위상차가 고주파 영역에서 거의 발생되지 않고, AB급 구동을 위해 피드백 등 이 없기 때문에 어떤 비정상적인 발진도 발생되지 않고, 상기 정전압회로가 복수의 다이오드로 구성되므로 상기 트랜지스터(Q1) 내지 (Q4)의 온도특성이 보상될 수 있고, 더욱 AB급 푸쉬-풀 구동회로가 비교적 저전압으로 구동될 수 있고, 상기 바이폴라 트랜지스터(Q1) 내지 (Q4)는 FET로 대체될 수도 있는 것을 특징으로 한다.

Description

AB급 푸쉬-풀 구동회로, 그의 구동방법 및 그를 이용한 AB급 전자회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 제1구체적 실시예를 주요부분을 보여 주는 회로도이고, 제2도는 본 발명에 따른 제2구체적 실시예의 주요부분을 보여주는 회로도이고, 제3도는 본 발명에 따른 제3구체적 실시예의 주요부분을 보여 주는 회로도이다.

Claims (19)

  1. 각각이 공급전극, 구동전극 및 제어전극을 갖는 제1 내지 제4반도체 소자로서, 상기 제1 및 제2반도체 소자는 제1극성을 갖고 상기 제3 및 제4반도체 소자는 제2극성을 갖고, 상기 제1 내지 제4반도체 소자의 공급전극은 함께 연결되고, 상기 공급전극의 전류와 동일한 전류가 상기 각 구동전극을 통하여 흐르고, 상기 각각의 구동전극에 흐르는 전류는 상기 제어전극 중 대응하는 하나에 의해 제어되는 제1 내지 제4반도체 소자:상기 제1 및 제3반도체 소자의 제어전극 사이의 전압을 일정하게 유지하기 위한 제1정전압회로:상기 제2 및 제4반도체 소자의 제어전극 사이의 전압을 일정하게 유지하기 위한 제2정전압회로:AB급 구동전류를 출력시키기 위하여 상기 제1 및 제3반도체 소자의 구동전극에 흐르는 전류를 역전하고 증가시키기 위한 제1출력회로:또 다른 AB급 구동전류를 출력시키기 위하여 상기 제2 및 에4반도체 소자의 구동전극에 흐르는 전류를 역전하고 증가시키기 위한 제2출력 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 AB급 푸시-풀 구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1출력회로는, 상기 제1반도체 소자의 구동전극의 전류에 대해 미러비율 만큼 배가된 전류를 출력시키기 위한 제1커런트 미러회로:상기 제3반도체 소자의 구동전극의 전류에 대해 미러비율 만큼 배가된 전류를 출력시키기 위한 제3커런트 미러회로를 포함하고, 상기 제1 및 제3커런트 이러회로는 그들의 출력전류가 AB급 구동전류를 형성하기 위해 역전되고 증가되도록 서로 연결된 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2출력회로는, 상기 제2반도체 소자의 구동전극의 전류에 대해 미러비율 만큼 배가된 전류를 출력시키기 위한 제2커런트 미러회로:상기 제4반도체쇼자의 구동전극의 전류에 대해 미러비율 만큼 배가된 전류를 출력시키기 위한 제4커런트 미러회로를 포함하고, 상기 제2 및 제4커런트 미러회로는 그들의 출력전류가 AB급 구동전류를 형성하기 위해 역전되고 증가 되도록 서로 연결된 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제4반도체 소자는 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 제1 및 제2극성은 각각 NPN 접합 및 PNP 접합이고, 상기 공급전극, 구동전극 및 제어전극은 각각 에미터, 컬렉터 및 베이스인 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제4반도체 소자는 전계효과 트랜지스터이고, 상기 제1 및 제2극성을 각각 N채널 및 P채널이고, 상기 공급전극, 구동전극 및 제어전극은 각각 소스, 드레인 및 게이트인 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1정전압회로는 상기 제1 및 제3반도체 소자의 전압 대 온도 특성을 보상하기 위한 제1온도특성 보상수단을 포함하고, 상기 2정전압회로는 상기 제2 및 제4반도체쇼자의 전압 대 온도특성을 보상하기 위한 제2온도특성 보상수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1온도특성 보상수단은, 전압 대 온도특성이 상기 제1반도체 소자의 특성과 동일한 제1온도보상소자와, 상기 제1온도 보상소자와 직렬로 순방향으로 연결되고 전압 대 온도 특성이 제3반도체 소자의 특성과 동일한 제3온도보상 소자로 포함하고, 상기 제2온도특성 보상수단은 전압 대 온도 특성이 상기 제2반도체 소자의 특성과 동일한 제2온도보상 소자와, 상기 제2온도보상 소자와 직렬로 순방향으로 연결되고 전압 대 온도특성이 상기 제4반도체 소자의 특성과 동일한 제4온도보상 소자로 포함하고, 상기 제1 및 제3온도보상 소자간의 직렬연결은 상기 제1 및 제3반도체 소자에 평행하게 순방향으로 연결되고, 상기 제2 및 제4온도보상 소자간의 직렬연결은 상기 제2 및 제4반도체 소자에 평행하게 순방향으로 연결되는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 내지 제4온도보상 소자는 각각 전압 대 온도 특성이 각각 대응하는 제1 내지 제4반도체 소자의 온도특성과 동일한 순방향으로 바이어스된 P-N접합이고, 상기 제1 및 제2온도특성 보상수단은 각각 상기 제1 내지 제4온도보상 소자중 대응하는 두개의 소자를 순 바이어스 방향으로 바이어스시키기 위한 제1정전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 내지 제4반도체 소자는 바이폴라 트랜지스터이고 상기 P-N접합은 그의 컬렉터 및 베이스 사이가 단락된 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이의 P-N 접합인 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1 내지 제4반도체 소자는 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 제1 및 제2온도특성 보상수단은 각각 베이스가 상기 제1정전류원에 의해 구동되는 바이폴라 트랜지스터를 포함하고, 상기 순방향으로 바이어스된 P-N접합은 베이스가 대응하는 바이폴라 트랜지스터에 의해 구동되는 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 에미터간의 P-N접합인 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1 내지 제4반도체소자는 바이폴라 트랜지스터이고, 상기 제1 및 제2온도특성 보상수단은 각각 제2정전류원을 포함하고, 상기 각각의 순방향으로 바이어스된 P-N접합은 베이스가 상기 제2 정전류원에 의해 구동되는 대응하는 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이의 P-N접합인 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  12. 제7항에 있어서, 상기 제1 내지 제4온도보상 소자는 전계효과 트랜지스터이고, 상기 각 전계효과 트랜지스터는 상기 제1 내지 제4반도체 소자의 전압대 온도 특성과 동일한 특성으로 갖을 그의 게이트와 드레인간이 단락되었으며, 상기 제1 및 제2 온도특성보상수단은 각각 순바이어스된 방향으로 대응하는 제1 내지 제4온도보상 소자중 2개를 바이어스시키기 위한 제1정전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  13. 제7항에 있어서, 상기 제1 내지 제4온도보상 소자는 전계효과 트랜지스터이고, 상기 각 전계효과 트랜지스터는 상기 제1 내지 제4반도체 소자의 전압 대 온도 특성과 동일한 특성을 갖고 그의 게이트와 드레인 사이는 단락되었으며, 상기 제1 및 제2온도특성 보상수단은 제1 내지 제4온도보상 소자중 대응하는 두개의 소자를 바이어스시키기 위한 제1정전류원과 상기 제1 내지 제4온도보상 소자중 대응하는 두개 소자의 게이트를 구동하기 위한 제2정전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  14. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2반도체 소자의 제어전극 사이에는 차동입력 전압이 직접 인가되고, 상기 제3 및 제4반도체 소자의 제어전극 사이에는 상기 제1 및 제2정전압회로를 통해 다른 차동입력 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  15. 제1항에 있어서, 상기 제3 및 제4반도체소자의 제어전극 사이에는 차동입력 전압이 직접 인가되고, 상기 제1 및 제2반도체 소자의 제어전극 사이에는 상기 제1 및 제2정전압회로를 통해 또 다른 차동입력 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  16. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2반도체소자의 제어전극 사이에는 상기 제1 및 제2정전압회로를 통해 차동입력 전압이 인가되고, 상기 제3 및 제4반도체소자의 제어전극 사이에는 상기 제1 및 제2정전압회로의 다른 부분을 통해 또 다른 차동입력 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  17. 제1항에 있어서, 상기 AB급 푸쉬-풀구동회로는 상기 제1 및 제2정전압회로에 공급되는 차동전류를 발생시키기 위한 차동입력 전압에 대응하는 차동입력 회로를 더 구비하고, 상기 제1 및 제2정전압회로는 상기 차동전류에 따라 상기 정전압 유지기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  18. 제1항에 있어서, 상기 AB급 푸쉬-풀구동회로는, 정전류에 의해 구동되고, 차동입력 전압에 따라 제1차동 입력전류를 출력하는 제1차동 입력회로:상기 정전류에 의해 구동되고 상기 차동입력 전압에 따라 제2차동전류를 출력하는 제2차동 입력회로를 더 구비하고, 상기 제1정전압회로는 직접 또는 간접적으로 상기 제1 및 제2차동전류가 공급되어 정전압 유지기능을 수행하고 상기 제2정전압회로는 기준전안으로서 양과 음의 공급전압 사이의 중간전압에 따라 정전압 유지기능으로 수행하는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
  19. 각각이 공급전극, 구동전극 및 제어전극을 갖는 제1 내지 제4반도체 소자로서, 상기 제1 및 제2반도체 소자는 제1극성을 갖고 상기 제3 및 제4반도체 소자는 제2극성을 갖고, 상기 제1 내지 제4반도체 소자의 공급전극은 함께 연결되고, 상기 공급전극의 전류와 동일한 전류가 상기 각구동전극을 통하여 흐르고, 상기 각각의 구동전극에 흐르만 전류는 상기 제어전극중 대응하는 하나에 의해 제어되는 제1 내지 제4반도체 소자:상기 제1 및 제3반도체소자의 제어전극 사이의 전압을 일정하게 유지하기 위한 제1정전압회로:상기 제2 및 제4반도체 소자의 제어전극 사이의 전압을 일정하게 유지하기 위한 제2정전압회로:AB급 구동전류를 출력시키기 위하여 상기 제1 및 제3반도체 소자의 구동전극에 흐르는 전류를 역전하고 증가시키기 위한 제1출력회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 AB급 푸쉬-풀 구동회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950000712A 1994-01-19 1995-01-18 Ab급 푸쉬-풀 구동회로, 그의 구동방법 및 그를 이용한 ab급 전자회로 KR100195308B1 (ko)

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