KR950033614A - 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터 - Google Patents

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    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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Abstract

본 발명은 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터에 관한 것으로, 종래 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터는 면적이 커지고 화소 수가 증가할수록 스캔라인의 레지스턴스와 캐패시턴스성분에 의해 스위칭소자(TFT)를 스위칭시키는 스캔펄스 즉, 게이트펄스의 왜곡이 발생하게 되는데, 이는 게이트 “온”전압의 감소를 의미하고, 이 때문에 스위칭소자의 전류는 작아져서 결과적으로 화소전극은 데이타신호가 불충분하게 차아징된다. 이는 스캔라인을 따라 형성되는 각 스위칭소자(TFT)의 크기가 (W/L), 즉 폭(Width:W)과 길이(Length:L)가 동일하기 때문에 스캔라인을 따라 점차로 심각해져서 화면상에 수평라인 방향으로의 화질저하가 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 스캔라인의 끝단부분에 형성되는 스위칭소자일수록 스캔펄스의 왜곡정도 및 스위칭소자의 전류-전압특성을 고려하여 그 크기(W/L)를 점차로 크게 형성하여 차아징(Charging)특성을 향상시키도록 하는 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터를 제공하는 것이다.

Description

액정표시소자의 화소 박막트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도는 종래 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터의 어레이구조도, 제3도는 종래 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터의 시뮬레이션 결과도, 제4도 및 제5도는 본 발명 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터의 어레이구조도, 제6도는 본 발명 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터의 시뮬레이션 결과도.

Claims (3)

  1. 게이트신호를 발생하는 스캔구동부와 데이타신호를 발생하는 데이타구동부와, 스캔라인, 데이타라인, 스위칭소자(TFT) 및 스토리지 캐패시터로 구성되어 상기 스캔구동부의 게이트신호에 따라 상기 데이타구동부의 데이타신호를 스위칭하여 화상을 표시하는 화소부로 구성되는 액정표시소자에 있어서, 상기 스위칭소자(TFT)의 크기((W/L)의 비율)를 상기 스캔구동부로 부터 멀어질수록 크게 하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 스캔구동부와 데이타구동부는 일부 또는 전체가 내장된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 양방향에서 스캔구동부가 구동할 경우 스캔라인의 양단보다 중앙부분의 스위칭소자의 크기를 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소 박막트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940011426A 1994-05-25 1994-05-25 액정표시소자의 화소 박막트렌지스터 KR0129235B1 (ko)

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