KR950003898A - 더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(tft lcd)패널의 화소구조 - Google Patents
더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(tft lcd)패널의 화소구조 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 더블게이트 구조를 갖는 디에프티 엘시디(TFT LCD)패널의 화소구조에 관한 것으로 기생 용량에 의한 화소전극의 전압변동을 줄일 수 있는 TFT LCD패널의 화소 구조를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 더블게이트 구조를 갖는 TFT LCD에 있어서, 일주사선(10)에 연결되어 일주사선 신호에 의해 스위칭되는 일측 게이트전극(2), 상기 일주사선(10)의 전단 주사선(11)에 연결되며 상기 일주사선 신호와 일정시간 오우버랩 된 주사선 신호에 의해 스위칭 되는 타측 게이트전극(8)을 구비하여 구성됨을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 더불게이트 TFT의 단면도. 제 2 도는 종래 기술의 회로도. 제 3 도는 상기 제 2 도에 적용되는 주사선 신호의 파형도. 제 4 도는 본 발명의 회로도. 제 5 도는 상기 제 4 도에 적용되는 주사선 신호의 파형도.
Claims (1)
- 더블게이트 구조를 갖는 TFT LCD에 있어서, 일주사선(10)에 연결되어 일주사선 신호에 의해 스위칭 되는 일측 게이트전극(2), 상기 일주사선(10)의 전단 주사선(11)에 연결되며 상기 일주사선 신호와 일정시간 오우버랩 된 주사선 신호에 의해 스위칭되는 타측 게이트전극(8)을 구비하여 구성됨을 특징으로 하는 더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(TFT LCD)패널의 화소구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930014041A KR950003898A (ko) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(tft lcd)패널의 화소구조 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019930014041A KR950003898A (ko) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(tft lcd)패널의 화소구조 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950003898A true KR950003898A (ko) | 1995-02-17 |
Family
ID=67142908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930014041A KR950003898A (ko) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(tft lcd)패널의 화소구조 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950003898A (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100403934B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2003-11-01 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 능동매트릭스형 액정표시장치 |
US8779428B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-07-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistors and electronic devices including the same |
US9559210B2 (en) | 2015-01-07 | 2017-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-07-23 KR KR1019930014041A patent/KR950003898A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100403934B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2003-11-01 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 능동매트릭스형 액정표시장치 |
US8779428B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-07-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistors and electronic devices including the same |
US9559210B2 (en) | 2015-01-07 | 2017-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |