KR950003898A - 더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(tft lcd)패널의 화소구조 - Google Patents

더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(tft lcd)패널의 화소구조 Download PDF

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KR950003898A
KR950003898A KR1019930014041A KR930014041A KR950003898A KR 950003898 A KR950003898 A KR 950003898A KR 1019930014041 A KR1019930014041 A KR 1019930014041A KR 930014041 A KR930014041 A KR 930014041A KR 950003898 A KR950003898 A KR 950003898A
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여주천
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이헌조
주식회사 금성사
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Abstract

본 발명은 더블게이트 구조를 갖는 디에프티 엘시디(TFT LCD)패널의 화소구조에 관한 것으로 기생 용량에 의한 화소전극의 전압변동을 줄일 수 있는 TFT LCD패널의 화소 구조를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 더블게이트 구조를 갖는 TFT LCD에 있어서, 일주사선(10)에 연결되어 일주사선 신호에 의해 스위칭되는 일측 게이트전극(2), 상기 일주사선(10)의 전단 주사선(11)에 연결되며 상기 일주사선 신호와 일정시간 오우버랩 된 주사선 신호에 의해 스위칭 되는 타측 게이트전극(8)을 구비하여 구성됨을 특징으로 한다.

Description

더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(TFT LCD)패널의 화소구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 더불게이트 TFT의 단면도. 제 2 도는 종래 기술의 회로도. 제 3 도는 상기 제 2 도에 적용되는 주사선 신호의 파형도. 제 4 도는 본 발명의 회로도. 제 5 도는 상기 제 4 도에 적용되는 주사선 신호의 파형도.

Claims (1)

  1. 더블게이트 구조를 갖는 TFT LCD에 있어서, 일주사선(10)에 연결되어 일주사선 신호에 의해 스위칭 되는 일측 게이트전극(2), 상기 일주사선(10)의 전단 주사선(11)에 연결되며 상기 일주사선 신호와 일정시간 오우버랩 된 주사선 신호에 의해 스위칭되는 타측 게이트전극(8)을 구비하여 구성됨을 특징으로 하는 더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(TFT LCD)패널의 화소구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930014041A 1993-07-23 1993-07-23 더블게이트 구조를 갖는 티에프티 엘시디(tft lcd)패널의 화소구조 KR950003898A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100403934B1 (ko) * 1999-07-02 2003-11-01 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 능동매트릭스형 액정표시장치
US8779428B2 (en) 2010-12-10 2014-07-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Transistors and electronic devices including the same
US9559210B2 (en) 2015-01-07 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same

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