KR950024213A - 반도체 기억회로 - Google Patents

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Abstract

간이한 회로로 고속이퀄라이즈동작을 실현한다.
상보적인 신호를 전송하는 데이터선쌍(1),(2)와, 이 데이터선쌍의 한편과 특정전위 공급단자(14)간에 접속된 제1의 스위치수단(11)과 데이터선쌍(1),(2)의 타편과 특정전위 공급단자와의 사이에 접속된 제2의 스위치수단(12)을 가지며, 제어신호에 응해서 제1과 제2의 스위치수단(11,12)를 동작시켜서 데이터선쌍(1),(2)간을 전기적으로 접속하는 이퀄라이즈회로(10)와, 특정전위 공급단자(14)에 접속되어, 이퀄라이즈회로(10)가 데이터선쌍(1),(2)간을 전기적으로 접속하기 전에 이퀄라이즈회로가 동작하는데 따라서 특정전위 공급단자(14)에 이퀄라이즈전위를 공급하는 공급회로(13)를 가지는 것으로, 간이한 구성을 고속의 이퀄라이즈를 실현한다.

Description

반도체 기억회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 제1의 실시예의 이퀄라이즈회로를 표시하는 회로도.
제2도는 제1의 실시예의 이퀄라이즈동작을 실명하는 동작파형도.
제3도는 이 발명의 제2의 실시예의 이퀄라이즈회로를 표시하는 회로도.
제4도는 이 발명의 제3의 실시예의 이퀄라이즈회로를 표시하는 회로도.
제5도는 이 발명의 제4도의 실시예의 이퀄라이즈회로를 표시하는 회로도.

Claims (8)

  1. 상보적인 신호를 전송하는 데이타선쌍과, 이 데이터선쌍의 한편과 특정전위 공급단자의 사이에 접속된 제1의 스위치수단과 그 데이터선쌍의 타편과 특정전위 공급단자간에 접속된 제2의 스위치수단을 가지고, 제어신호에 응해서 그 제1과 제2의 스위치수단읕 동작시켜서 그 데이터선쌍간을 전기적으로 접속하는 이퀄라이즈회로와, 상기 특정전위 공급단자에 접속되어, 상기 이퀄라이즈회로가 상기 데이터선쌍을 전기적으로 접속하기 전에 그 특정전위 공급단자에 프리챠지전위를 공급하고, 상기 제어신호에 의해 그 이퀄라이즈회로가 동작한 것에 응해서 그 특정전위 공급단자에 이퀄라이즈 전위를 공급하는 공급회로를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공급회로는 제1의 전극이 상기 특정전위 공급단자에 접속되어, 제2의 전극이 프리챠지전위 혹은 이퀄라이즈전위를 공급하는 전원에 접속되어, 게이트전극에는 이 상기 이퀄라이즈회로가 상기 데이터선쌍간을 전기적으로 접속하기 전 및 상기 제어신호에 의해 그 이퀄라이즈회로가 동작한 후에 활성화시키기 위한 신호를 공급하는 활성확신호가 공급되는 MOS트랜지스터로된 것을 특징으로 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 공급회로는 일단이 특정전위 공급단자에 접속되어, 타단이 프리챠지전위 혹은 이퀄라이즈 전위를 공급하는 전원에 접속된 저항수단으로된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공급회로는 제1의 전극이 상기 특정전위 공급단자에 접속되어, 제2의 전극이 프리챠지전위 혹은 이퀄라이즈전위를 공급하는 전원에 접속되어, 게이트전극에는 그 특정전위 공급단자에 그 전원의 전위가 공급가능한 전위가 상시 공급되는 MOS트랜지스터로 된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 이퀄라이즈회로의 상기 제1과 제2의 스위치수단은 MOS트랜지스터로 되고, 상기 공급수단은 일단이 상기 특정전위 공급단자에 접속되어, 타단이 프리챠지전위를 공급하는 제1의 전원에 접속된 제3의 스위치수단과 일단이 그 특정전위 공급단자에 접속되어, 타단이 이퀄라이즈전위를 공급하는 제2의 전원에 접속된 제4의 스위치수단으로 되고, 그 제3의 스위치수단은 상기 제어신호에 의해 그 제1과 제2의 스위치수단을 동작시키기 전에 동작상태로 하고, 그 제4의 스위치수단은 그 제어신호에 의해 그 제1과 제2의 스위치수단중 한편이 동작한 후에 동작상태로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제3과 제4의 스위치수단은 상기 데이터선쌍간에서 떨어져서 위치시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1과 제2의 스위치수단은 N채널 MOS트랜지스터로 된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1과 제2의 스위치수단은 P채널 MOS트랜지터로 된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940039274A 1994-01-11 1994-12-30 반도체기억회로 KR100313777B1 (ko)

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