KR950021774A - 디바이스 시뮬레이터 및 메쉬 발생 방법 - Google Patents

Abstract

컴퓨터를 이용한 전기 특성 시뮬레이션의 대상인 반도체 디바이스의 상이한 성분의 경계 주변에 기생 저항을 발생하지 않는 경계 보호층을 생성하는 경계 보호층 생성 수단과, 상기 경계 보호층에서 미리 정해진 기준 거리만큼 격리하여 메쉬 포인트를 배치하는 메쉬 포인트 발생 수단과, 상기 메쉬 포인트를 접속하여 삼각 메쉬를 생성하는 메쉬 생성 수단을 구비한다.

Description

디바이스 시뮬레이터 및 메쉬 발생 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 디바이스 시뮬레이터의 구성을 도시한 블럭도.

제2도는 본 실시예의 메쉬 발생부의 동작을 도시한 플로우 챠트.

제3도는 경계 보호층을 생성하는 동작을 상세히 도시한 플로우 차트.

제4도는 본 실시예를 실현하는 데이타 구조를 도시한 도면.

제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 디바이스 시뮬레이터의 메쉬 발생부의 동작을 도시한 플로우 차트.

제6도는 본 발명을 적용하여 시뮬레이션 대상인 반도체 디바이스 상에 메쉬를 발생시킨 상태를 도시한 도면.

제7도는 본 발명을 적용하지 않고 시뮬레이션 대상인 반도체 디바이스 상에 메쉬를 발생시킨 상태를 도시한 도면.

제8도는 본 발명을 적용하여 메쉬를 발새시켜 시뮬레이션을 행한 결과를 도시한 도면.

Claims (13)

1. 컴퓨터를 이용한 전기 특성 시뮬레이션의 대상인 반도체 디바이스의 상이한 성분의 경계 주변에 기생 저항을 발생하지 않는 경계 보호층을 생성하는 경계 보호층 생성 수단과, 상기 경계 보호층에서 미리 정해진 기준 거리만큼 격리하여 메쉬 포인트를 배치하는 메쉬 포인트 배치 수단과, 상기 메쉬 포인트를 접속하여 삼각 메쉬를 생성하는 삼각 메쉬 생성 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 디바이스 시뮬레이터.
2. 제1항에 있어서, 상기 경계 보호층 생성 수단이 상기 경계에 평행한 메쉬 브랜치를 구비하는 직교 메쉬로 이루어진 경계 보호층을 생성하는 것을 특징으로 하는 디바이스 시뮬레이터.
3. 제1항에 있어서, 생성된 삼각 메쉬에 대하여 경계 보호층이 파괴되어 있는지의 여부를 검사하는 검사 수단을 더 구비하고, 상기 경계 보호층 생성 수단은 상기 검사 수단이 경계 보호층에 파괴된 부분을 검출한 경우에 이 파괴된 부분을 수정하여 경계 보호층을 재생성하는 것을 특징으로 하는 디바이스 시뮬레이터.
4. 컴퓨터를 이용한 전기 특성 시뮬레이션의 대상인 반도체 디바이스의 상이한 성분의 경계 주변에 기생 저항을 발생하지 않는 경계 보호층을 생성하는 스텝과, 상기 경계 보호층에서 미리 정해진 기준 거리만큼 격리하여 메쉬 포인트를 배치하는 스텝과, 상기 메쉬 포인트를 접속하여 삼각 메쉬를 생성하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 경계 보호층을 생성하는 스텝이, 경계 선분상에 메쉬 포인트를 발생하는 스텝과, 경계 선분상에 발생된 상기 메쉬 포인트 중 각의 정점 이외의 메쉬 포인트에서 이 경계 선부네 수직한 방향으로 소정 간격의 소정 갯수의 메쉬 포인트를 발생하는 스텝과, 경계 선분상에 발생된 상기 메쉬 포인트 중 내각이 180° 미만인 각의 정점에 위치하는 메쉬 포인트에서 이 각의 2등분선 방향으로 소정 간격의 소정 갯수의 메쉬 포인트를 발생하는 스텝과, 경계 선분 상에 발생된 상기 메쉬 포인트 중 내각이 180°를 초과하는 각의 정점에 위치하는 메쉬 포인트에서 이 각을 형성하는 2개의 경계 선분에 각각 수직한 방향 및 이 2방향 사이의 각도를 소정의 각도로 등분하는 방향으로 각각 소정 간격의 소정 갯수의 메쉬 포인트를 발생하는 스텝과, 각 스텝에서 발생된 메쉬 포인트를 상기 경계 선분에 수직한 선분 및 평행한 선분으로 이루어지는 메쉬 브랜치로 접속하여 직교 메쉬를 생성하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 방법.
6. 제4항에 있어서, 생성된 삼각 메쉬에 대하여 경계 보호층이 파괴되어 있는지의 여부를 검사하는 스텝과, 상기 경계 보호층이 파괴되어 있는지의 여부를 검사하는 스텝에서, 경계 보호층에 파괴된 부분을 검출한 경우에 이 파괴된 부분을 수정하여 경계 보호층을 재생성하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 방법.
7. 컴퓨터를 이용한 전기 특성 시뮬레이션의 대상인 반도체 디바이스 상에 삼각 메쉬를 생성하는 메쉬 생성 수단과, 상기 반도체 디바이스 중의 국소적인 불순물 농도의 변화율에 따라서 상기 삼각 메쉬의 메쉬 포인트의 위치를 변경하는 메쉬 포인트 변경 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 디바이스 시뮬레이터.
8. 제7항에 있어서, 상기 메쉬 포인트 변경 수단이, 상기 반도체 디바이스 중의 국소적인 불순물 농도의 변화율에 따라 설정된 계수를 탄성 계수로 하는 스프링으로 상기 삼각 메쉬의 각 메쉬 브랜치를 구성한 경우에 정역학적 균형 조건을 만족하는 위치로 메쉬 포인트를 이동하는 것을 특징으로 하는 디바이스 시뮬레이터.
9. 제7항에 있어서, 상기 메쉬 포인트 변경 수단에 의해 위치가 변경된 메쉬 포인트를 다시 접속하여 새로운 삼각형 메쉬를 재생성하는 메쉬 재생성 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 디바이스 시뮬레이터.
10. 컴퓨터를 이용한 전기 특성 시뮬레이션의 대상인 반도체 디바이스 상에 삼각 메쉬를 생성하는 스텝과, 상기 반도체 디바이스 중의 국소적인 불순물 농도의 변화율에 따라서 상기 삼각 메쉬의 메쉬 포인트의 위치를 변경하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 메쉬 포인트의 위치를 변경하는 스텝에서, 상기 반도체 디바이스 중의 국소적인 불순물 농도의 변화율에 따라서 설정된 계수를 탄성 계수로 하는 스프링으로 상기 삼각 메쉬의 각 메쉬 브랜치를 구성한 경우에 정역학적 균형 조건을 만족하는 위치로 메쉬 포인트를 이동하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 방법.
12. 제10항에 있어서, 상기 메쉬 포인트의 위치를 변경하는 스텝에 따라 위치가 변경된 메쉬 포인트를 다시 접속하여 새로운 삼각형 메쉬를 재생성하는 스텝을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 방법.
13. 컴퓨터를 이용한 전기 특성 시뮬레이션의 대상인 반도체 디바이스의 상이한 성분의 경계 주변에 기생 저항을 발생하지 않는 경계 보호층을 생성하는 경계 보호층 생성 수단과, 상기 경계 보호층에서 미리 정해진 기준 거리만큼 격리하여 메쉬 포인트를 배치하는 메쉬 포인트 배치 수단과, 상기 메쉬 포인트를 접속하여 삼각 메쉬를 생성하는 삼각 메쉬 생성 수단과, 상기 반도체 디바이스 중의 국소적인 불순물 농도의 변화율에 따라서 상기 삼각 메쉬의 메쉬 포인트의 위치를 변경하는 메쉬 포인트 변경 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 디바이스 시뮬레이터.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.